[發明專利]一種功率MOS器件結構

在審

• 申請號: 201210142749.0
• 申請日: 2012-05-10
• 公開（公告）號: CN103390647A
• 公開（公告）日: 2013-11-13
• 發明（設計）人: 章舒;何延強;羅澤煌;吳孝嘉
• 申請（專利權）人: 無錫華潤上華半導體有限公司
• 主分類號: H01L29/78
• 分類號: H01L29/78;H01L29/49
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.一種功率MOS器件結構，包括多個LDMOS基本單元和多個焊接墊；所述多個LDMOS基本單元并聯，并與所述多個焊接墊通過金屬電連接，以引出所述多個LDMOS基本單元的柵端、源端、漏端及襯底，其特征在于：

所述多個焊接墊正下方設有LDMOS基本單元；所述多個焊接墊包括厚度為3.5um至4.5um、線寬為1.5um至2.5um的單層金屬。

2.根據權利要求1所述的功率MOS器件結構，其特征在于：所述多個焊接墊與所述多個LDMOS基本單元之間設有第一金屬層，所述多個LDMOS基本單元、所述第一金屬層與所述多個焊接墊之間通過金屬栓電連接。

3.根據權利要求1所述的功率MOS器件結構，其特征在于：所述多個焊接墊包括柵極焊接墊、源極焊接墊、漏極焊接墊以及襯底焊接墊以分別引出并聯的所述多個LDMOS基本單元的柵端、源端、漏端及襯底。

4.根據權利要求1所述的功率MOS器件結構，其特征在于：所述單層金屬為鋁銅金屬或者鋁硅銅金屬。

5.根據權利要求1所述的功率MOS器件結構，其特征在于：所述多個焊接墊還包括位于單層金屬之下的阻擋層。

6.根據權利要求5所述的功率MOS器件結構，其特征在于：所述阻擋層包括鈦層和氮化鈦層，該鈦層的厚度為300?~600?，該氮化鈦層的厚度為300?~800?。

7.根據權利要求1所述的功率MOS器件結構，其特征在于：所述多個焊接墊還包括位于單層金屬之上的抗反射層。

8.根據權利要求7所述的功率MOS器件結構，其特征在于：所述抗反射層包括鈦層和氮化鈦層，該鈦層的厚度為100?~400?，該氮化鈦層的厚度為250?~400?。

9.根據權利要求1所述的功率MOS器件結構，其特征在于：所述功率MOS器件結構表面覆蓋有鈍化層，所述鈍化層上設有開口以將所述多個焊接墊露出。

10.根據權利要求9所述的功率MOS器件結構，其特征在于：所述鈍化層從下至上依次包括：厚度為1k?至2k?等離子體富硅氧化膜層、厚度為10k?至20k?的高密度等離子體二氧化硅膜層以及厚度為7k?至11k?的等離子體氮化硅膜層。