[發(fā)明專利]一種具有超級(jí)結(jié)肖特基半導(dǎo)體裝置及其制備方法

無效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201210141949.4
• 申請(qǐng)日: 2012-04-28
• 公開（公告）號(hào): CN103378170A
• 公開（公告）日: 2013-10-30
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 朱江
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 朱江
• 主分類號(hào): H01L29/872
• 分類號(hào): H01L29/872;H01L29/06;H01L21/329
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1.一種具有超級(jí)結(jié)肖特基半導(dǎo)體裝置，其特征在于：包括：

襯底層，為半導(dǎo)體材料構(gòu)成；

超級(jí)結(jié)結(jié)構(gòu)，位于襯底層之上，為第一導(dǎo)電半導(dǎo)體材料和第二導(dǎo)電半導(dǎo)體材料交替排列構(gòu)成；

絕緣材料，位于第一導(dǎo)電半導(dǎo)體材料和第二導(dǎo)電半導(dǎo)體材料交匯處上表面；

肖特基勢(shì)壘結(jié)，位于第一導(dǎo)電半導(dǎo)體材料或第二導(dǎo)電半導(dǎo)體材料表面。

2.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于：所述的襯底層為高濃度雜質(zhì)摻雜的半導(dǎo)體材料。

3.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于：所述的襯底層可以為高濃度雜質(zhì)摻雜的半導(dǎo)體材料層和低濃度雜質(zhì)摻雜的半導(dǎo)體材料層的疊加層。

4.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于：所述的超級(jí)結(jié)結(jié)構(gòu)可以為半超結(jié)結(jié)構(gòu)，即在傳統(tǒng)超結(jié)結(jié)構(gòu)中的漂移層底部增加一個(gè)第一導(dǎo)電半導(dǎo)體材料層或第二導(dǎo)電半導(dǎo)體材料層。

5.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于：所述的肖特基勢(shì)壘結(jié)為勢(shì)壘金屬與半導(dǎo)體材料形成的結(jié)。

6.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于：所述的肖特基勢(shì)壘結(jié)可以為第一導(dǎo)電半導(dǎo)體材料與勢(shì)壘金屬形成的結(jié)，同時(shí)第二導(dǎo)電半導(dǎo)體材料表面為歐姆接觸區(qū)。

7.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于：所述的肖特基勢(shì)壘結(jié)可以為第二導(dǎo)電半導(dǎo)體材料與勢(shì)壘金屬形成的結(jié)，同時(shí)第一導(dǎo)電半導(dǎo)體材料表面為歐姆接觸區(qū)。

8.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于：所述的肖特基勢(shì)壘結(jié)可以為第一導(dǎo)電半導(dǎo)體材料和第二導(dǎo)電半導(dǎo)體材料與勢(shì)壘金屬形成的結(jié)。

9.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于：所述的半導(dǎo)體裝置接一定的反向偏壓時(shí)，第一導(dǎo)電半導(dǎo)體材料與第二導(dǎo)電半導(dǎo)體材料形成電荷補(bǔ)償，形成超結(jié)結(jié)構(gòu)。

10.如權(quán)利要求1所述的一種具有超級(jí)結(jié)肖特基半導(dǎo)體裝置的制備方法，其特征在于：包括如下步驟：

1)在襯底層表面形成第一導(dǎo)電半導(dǎo)體材料層，然后表面形成一種絕緣介質(zhì)；

2)進(jìn)行光刻腐蝕工藝去除表面部分絕緣介質(zhì)，然后刻蝕去除部分裸露半導(dǎo)體材料形成溝槽；

3)在溝槽內(nèi)形成第二導(dǎo)電半導(dǎo)體材料，進(jìn)行表面平整化；

4)在半導(dǎo)體材料表面形成一種絕緣介質(zhì)，進(jìn)行光刻腐蝕工藝去表面除部分絕緣介質(zhì)；

5)淀積勢(shì)壘金屬，進(jìn)行燒結(jié)形成肖特基勢(shì)壘結(jié)。