[發(fā)明專利]集成電路封裝和封裝方法有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201210141249.5 | 申請(qǐng)日： | 2012-05-09 |
| 公開（公告）號(hào)： | CN102779808A | 公開（公告）日： | 2012-11-14 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | F.德歇;G.邁耶-貝格 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人： | 英飛凌科技股份有限公司 |
| 主分類號(hào)： | H01L23/538 | 分類號(hào)： | H01L23/538;H01L23/498;H01L23/373;H01L21/768;H01L21/60;H01L21/48 |
| 代理公司： | 中國專利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 王岳;劉春元 |
| 地址： | 德國瑙伊比*** | 國省代碼： | 德國;DE |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 集成電路 封裝 方法 | ||
1.一種集成電路封裝，包括：
封裝模塊，由限定電路互連的連續(xù)積層形成；
腔體，在封裝模塊的頂側(cè)形成；
芯片，具有帶有至少一個(gè)前向接觸的前側(cè)并且具有背側(cè)，該芯片設(shè)置于腔體中，使得至少一個(gè)前向接觸電連接到封裝模塊的電路互連中的至少一個(gè)；以及
頂層，耦合到芯片的背側(cè)，從而覆蓋封裝模塊的頂側(cè)和芯片的至少一部分。
2.權(quán)利要求1所述的集成電路封裝，其中芯片的背側(cè)具有低歐姆接觸。
3.權(quán)利要求2所述的集成電路封裝，其中電流在芯片的所述至少一個(gè)前向接觸與所述低歐姆接觸之間垂直流動(dòng)。
4.權(quán)利要求2所述的集成電路封裝，其中頂層為金屬層。
5.權(quán)利要求4所述的集成電路封裝，其中低歐姆接觸電連接到頂層，并且通過其電連接到封裝模塊中形成的一個(gè)或多個(gè)通孔。
6.權(quán)利要求1所述的集成電路封裝，其中頂層具有促進(jìn)熱擴(kuò)散的導(dǎo)熱屬性。
7.權(quán)利要求6所述的集成電路封裝，其中頂層附接到散熱器。
8.權(quán)利要求1所述的集成電路封裝，其中頂層由臟等離子體形成。
9.權(quán)利要求1所述的集成電路封裝，其中頂層選自由電鍍金屬、濺射金屬、結(jié)構(gòu)化金屬和納米金屬組成的組。
10.權(quán)利要求9所述的集成電路封裝，其中頂層通過粘合劑耦合到芯片的背側(cè)和封裝模塊的頂側(cè)。
11.權(quán)利要求9所述的集成電路封裝，進(jìn)一步包括通過粘合劑耦合到頂層上的金屬箔層。
12.權(quán)利要求1所述的集成電路封裝，其中芯片進(jìn)一步包括通硅通孔。
13.權(quán)利要求1所述的集成電路封裝，其中頂層經(jīng)由隔離中間層耦合到芯片的背側(cè)或者封裝模塊的頂側(cè)。
14.一種集成電路封裝方法，包括：
由限定電路互連的連續(xù)積層制造封裝模塊；
在封裝模塊的頂側(cè)形成腔體；
將具有帶有至少一個(gè)前向接觸的前側(cè)并且具有背側(cè)的芯片設(shè)置在腔體中，使得至少一個(gè)前向接觸電連接到封裝模塊的電路互連中的至少一個(gè)；以及
將頂層耦合到芯片的背側(cè)，從而覆蓋封裝模塊的頂側(cè)和芯片的至少一部分。
15.權(quán)利要求14所述的集成電路封裝方法，其中芯片的背側(cè)具有低歐姆接觸。
16.權(quán)利要求15所述的集成電路封裝方法，其中電流在芯片的所述至少一個(gè)前向接觸與所述低歐姆接觸之間垂直流動(dòng)。
17.權(quán)利要求15的集成電路封裝方法，其中頂層為金屬層。
18.權(quán)利要求17所述的集成電路封裝方法，其中低歐姆接觸電連接到頂層，并且通過其電連接到封裝模塊中形成的一個(gè)或多個(gè)通孔。
19.權(quán)利要求14所述的集成電路封裝方法，其中頂層具有導(dǎo)熱屬性。
20.權(quán)利要求19所述的集成電路封裝方法，進(jìn)一步包括將頂層附接到散熱器。
21.權(quán)利要求14所述的集成電路封裝方法，其中頂層由臟等離子體形成。
22.權(quán)利要求14所述的集成電路封裝方法，其中頂層選自由電鍍金屬、濺射金屬、結(jié)構(gòu)化金屬和納米金屬組成的組。
23.權(quán)利要求22所述的集成電路封裝方法，其中頂層通過粘合劑耦合到芯片的背側(cè)或封裝模塊的頂側(cè)。
24.權(quán)利要求22所述的集成電路封裝方法，進(jìn)一步包括金屬箔層通過粘合劑耦合到頂層上。
25.權(quán)利要求14所述的集成電路封裝方法，其中芯片進(jìn)一步包括通硅通孔。
26.權(quán)利要求14所述的集成電路封裝方法，其中頂層經(jīng)由隔離中間層耦合到芯片的背側(cè)或者封裝模塊的頂側(cè)。
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