[發(fā)明專利]一種薄膜晶體管陣列基板及其制作方法

無效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201210140146.7
• 申請(qǐng)日: 2012-05-08
• 公開（公告）號(hào): CN102683277A
• 公開（公告）日: 2012-09-19
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 黃華;賈沛
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 深圳市華星光電技術(shù)有限公司
• 主分類號(hào): H01L21/77
• 分類號(hào): H01L21/77;H01L27/12;G02F1/1362;G02F1/1368
• 代理公司: 深圳翼盛智成知識(shí)產(chǎn)權(quán)事務(wù)所(普通合伙) 44300
• 代理人: 歐陽啟明

1.一種薄膜晶體管陣列基板的制作方法，其特征在于，所述方法包括以下步驟：

提供基板；

在所述基板上沉積第一金屬層，并利用第一光罩對(duì)所述第一金屬層進(jìn)行圖案化，形成柵極；

在所述基板上依次沉積柵絕緣層和半導(dǎo)體層，利用第二光罩對(duì)所述半導(dǎo)體層進(jìn)行圖案化，保留位于所述柵極上方的半導(dǎo)體層；

在所述基板上依次沉積透明導(dǎo)電層和第二金屬層，利用多段式調(diào)整光罩來圖案化所述透明導(dǎo)電層和第二金屬層，在半導(dǎo)體層上形成包括所述透明導(dǎo)電層和第二金屬層的源極及漏極，在柵絕緣層上由所述透明導(dǎo)電層形成共通電極，在所述共通電極上由所述第二金屬層形成反射層。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管陣列基板的制作方法，其特征在于，所述反射層連接所述漏極。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管陣列基板的制作方法，其特征在于，所述反射層和所述漏極間隔設(shè)置。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管陣列基板的制作方法，其特征在于，在形成所述源極、漏極、共通電極和反射層后，所述方法還包括以下步驟：

在所述共通電極，反射層、以及構(gòu)成薄膜晶體管的所述源極、漏極和半導(dǎo)體層上沉積一平坦化層，所述平坦化層由透明絕緣材質(zhì)形成。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管陣列基板的制作方法，其特征在于，所述多段式調(diào)整光罩為灰階色調(diào)光罩、堆棧圖層光罩或半色調(diào)光罩。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管陣列基板的制作方法，其特征在于，所述第一金屬層依次由第一鋁金屬層和第一鉬金屬層組合形成，所述第二金屬層依次由第二鉬金屬層、第二鋁金屬層以及第三鉬金屬層組合形成。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管陣列基板的制作方法，其特征在于，利用第一光罩對(duì)所述第一金屬層進(jìn)行圖案化形成柵極的過程中，使用硝酸、磷酸以及醋酸的混合液對(duì)所述第一金屬層進(jìn)行濕法刻蝕。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管陣列基板的制作方法，其特征在于，利用第一光罩對(duì)所述半導(dǎo)體層進(jìn)行圖案化，保留位于所述柵極上方的半導(dǎo)體層，使用反應(yīng)離子刻蝕方法。

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管陣列基板的制作方法，其特征在于，利用多段式調(diào)整光罩在半導(dǎo)體層上形成反射層、以及包括所述透明導(dǎo)電層和第二金屬層的源極及漏極的過程中，使用硝酸、磷酸以及醋酸的混合液對(duì)所述第二金屬層進(jìn)行濕法刻蝕，使用反應(yīng)離子刻蝕方法對(duì)所述透明導(dǎo)電層進(jìn)行干法刻蝕；

利用多段式調(diào)整光罩在柵絕緣層上由所述透明導(dǎo)電層形成共通電極的過程中，使用反應(yīng)離子刻蝕方法對(duì)所述透明導(dǎo)電層進(jìn)行干法刻蝕。

10.一種薄膜晶體管陣列基板，其特征在于，所述薄膜晶體管陣列基板包括：

基板；

多個(gè)薄膜晶體管，設(shè)置于所述基板上，其中每一所述薄膜晶體管包括柵極、柵絕緣層、半導(dǎo)體層、源極及漏極，所述柵極、所述柵絕緣層、所述半導(dǎo)體層及所述源極及漏極是依序形成于所述基板上，所述源極及所述漏極包括透明導(dǎo)電層和金屬層；

共通電極，形成于所述柵絕緣層上；

反射層，由所述共通電極上的所述第二金屬層形成。