[發(fā)明專利]一種薄膜晶體管陣列基板及其制作方法

無效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201210140146.7
• 申請日: 2012-05-08
• 公開（公告）號: CN102683277A
• 公開（公告）日: 2012-09-19
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 黃華;賈沛
• 申請（專利權(quán)）人: 深圳市華星光電技術(shù)有限公司
• 主分類號: H01L21/77
• 分類號: H01L21/77;H01L27/12;G02F1/1362;G02F1/1368
• 代理公司: 深圳翼盛智成知識產(chǎn)權(quán)事務(wù)所(普通合伙) 44300
• 代理人: 歐陽啟明

【技術(shù)領(lǐng)域】

本發(fā)明涉及液晶生產(chǎn)技術(shù)領(lǐng)域，特別涉及一種薄膜晶體管陣列基板的制作方法。

【背景技術(shù)】

隨著液晶顯示器的不斷推廣和普及，對液晶顯示器的顯示性能提出了很高的要求。以半穿半反型液晶顯示器為例，由于半穿半反型液晶顯示器在日光直射的戶外環(huán)境下仍能夠提供清晰的圖像顯示效果，因此被越來越多地應(yīng)用在液晶顯示領(lǐng)域。

在半穿半反型液晶顯示器的薄膜晶體管(Thin?Film?Transistor，TFT)?陣列基板制程中，需使用多道光罩來進行光刻制程(Photo-lithography)，尤其是在形成透明的像素電極之后，需要額外的制程形成反射層，但是光罩次數(shù)越多則薄膜晶體管制程所需的成本越高，且增加制程時間及復(fù)雜度。

因此，現(xiàn)有技術(shù)中，由于需要專門增加一光罩制程形成反射層，使得半穿半反型液晶顯示器的薄膜晶體管陣列基板的工藝制程較為復(fù)雜，制作難度和制作成本較高，增加了液晶顯示器的生產(chǎn)難度。

【發(fā)明內(nèi)容】

本發(fā)明的一個目的在于提供一種薄膜晶體管陣列基板的制作方法，以解決現(xiàn)有技術(shù)中由于需要專門增加一光罩制程形成反射層，使得半穿半反型液晶顯示器的薄膜晶體管陣列基板的工藝制程較為復(fù)雜，制作難度和制作成本較高，增加了液晶顯示器的生產(chǎn)難度的技術(shù)問題。

為解決上述問題，本發(fā)明提供了一種薄膜晶體管陣列基板的制作方法，所述方法包括以下步驟：

提供基板；

在所述基板上沉積第一金屬層，并利用第一光罩對所述第一金屬層進行圖案化，形成柵極；

在所述基板上依次沉積柵絕緣層和半導(dǎo)體層，利用第二光罩對所述半導(dǎo)體層進行圖案化，保留位于所述柵極上方的半導(dǎo)體層；

在所述基板上依次沉積透明導(dǎo)電層和第二金屬層，利用多段式調(diào)整光罩來圖案化所述透明導(dǎo)電層和第二金屬層，在半導(dǎo)體層上形成包括所述透明導(dǎo)電層和第二金屬層的源極及漏極，在柵絕緣層上由所述透明導(dǎo)電層形成共通電極，在所述共通電極上由所述第二金屬層形成反射層。

在本發(fā)明的薄膜晶體管陣列基板的制作方法中，所述反射層連接所述漏極。

在本發(fā)明的薄膜晶體管陣列基板的制作方法中，所述反射層和所述漏極間隔設(shè)置。

在本發(fā)明的薄膜晶體管陣列基板的制作方法中，在形成所述源極、漏極、共通電極和反射層后，所述方法還包括以下步驟：

在所述共通電極，反射層、以及構(gòu)成薄膜晶體管的所述源極、漏極和半導(dǎo)體層上沉積一平坦化層，所述平坦化層由透明絕緣材質(zhì)形成。

在本發(fā)明的薄膜晶體管陣列基板的制作方法中，所述多段式調(diào)整光罩為灰階色調(diào)光罩、堆棧圖層光罩或半色調(diào)光罩。

在本發(fā)明的薄膜晶體管陣列基板的制作方法中，所述第一金屬層依次由第一鋁金屬層和第一鉬金屬層組合形成，所述第二金屬層依次由第二鉬金屬層、第二鋁金屬層以及第三鉬金屬層組合形成。

在本發(fā)明的薄膜晶體管陣列基板的制作方法中，利用第一光罩對所述第一金屬層進行圖案化形成柵極的過程中，使用硝酸、磷酸以及醋酸的混合液對所述第一金屬層進行濕法刻蝕。

在本發(fā)明的薄膜晶體管陣列基板的制作方法中，利用第一光罩對所述半導(dǎo)體層進行圖案化，保留位于所述柵極上方的半導(dǎo)體層，使用反應(yīng)離子刻蝕方法。

在本發(fā)明的薄膜晶體管陣列基板的制作方法中，利用多段式調(diào)整光罩在半導(dǎo)體層上形成反射層、以及包括所述透明導(dǎo)電層和第二金屬層的源極及漏極的過程中，使用硝酸、磷酸以及醋酸的混合液對所述第二金屬層進行濕法刻蝕，使用反應(yīng)離子刻蝕方法對所述透明導(dǎo)電層進行干法刻蝕；

利用多段式調(diào)整光罩在柵絕緣層上由所述透明導(dǎo)電層形成共通電極的過程中，使用反應(yīng)離子刻蝕方法對所述透明導(dǎo)電層進行干法刻蝕。

本發(fā)明的另一個目的在于提供一種薄膜晶體管陣列基板，以解決現(xiàn)有技術(shù)中由于需要專門增加一光罩制程形成反射層，使得半穿半反型液晶顯示器的薄膜晶體管陣列基板的工藝制程較為復(fù)雜，制作難度和制作成本較高，增加了液晶顯示器的生產(chǎn)難度的技術(shù)問題。

為解決上述問題，本發(fā)明提供了一種薄膜晶體管陣列基板，所述薄膜晶體管陣列基板包括：

基板；

多個薄膜晶體管，設(shè)置于所述基板上，其中每一所述薄膜晶體管包括柵極、柵絕緣層、半導(dǎo)體層、源極及漏極，所述柵極、所述柵絕緣層、所述半導(dǎo)體層及所述源極及漏極是依序形成于所述基板上，所述源極及所述漏極包括透明導(dǎo)電層和金屬層；

共通電極，形成于所述柵絕緣層上；

反射層，由所述共通電極上的所述第二金屬層形成。