[發明專利]共通線結構與顯示面板及其制作方法有效
| 申請號: | 201210139373.8 | 申請日: | 2010-07-15 |
| 公開(公告)號: | CN102651344A | 公開(公告)日: | 2012-08-29 |
| 發明(設計)人: | 蔡東璋 | 申請(專利權)人: | 友達光電股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/77 | 分類號: | H01L21/77;H01L21/768;H01L27/02;H01L23/528 |
| 代理公司: | 北京律誠同業知識產權代理有限公司 11006 | 代理人: | 梁揮;祁建國 |
| 地址: | 中國臺灣新竹科*** | 國省代碼: | 中國臺灣;71 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 共通 結構 顯示 面板 及其 制作方法 | ||
1.一種制作顯示面板的方法,其特征在于,包括:
提供一基板,其中該基板上設置有一柵極線、一柵極與該柵極線電性連接、一數據線、一源極與該數據線電性連接、一漏極、至少一第一共通線段與至少一第二共通線段;
于該基板、該柵極線、該柵極、該數據線、該源極、該漏極、該第一共通線段與該第二共通線段上形成一保護層;
形成至少一接觸洞貫穿該保護層,以部分暴露出該第一共通線段與該第二共通線段;以及
于該保護層上形成一連接線段,并使該連接線段電性連接該接觸洞所暴露出的該第一共通線段與該第二共通線段。
2.根據權利要求1所述的制作顯示面板的方法,其特征在于,該柵極線、該柵極、該至少一第一共通線段與該至少一第二共通線段由一第一導電圖案層所構成,且該數據線、該源極與該漏極由一第二導電圖案層所構成。
3.根據權利要求2所述的制作顯示面板的方法,其特征在于,該至少一接觸洞包括一第一接觸洞與一第二接觸洞,該第一接觸洞部分暴露出該第一共通線段,且該第二接觸洞部分暴露出該第二共通線段。
4.根據權利要求3所述的制作顯示面板的方法,其特征在于,另包括于形成該保護層與該第二導電圖案層之前,先于該基板與該第一導電圖案層上形成一絕緣層,該第一接觸洞貫穿該保護層與該絕緣層以部分暴露出該第一共通線段,且該第二接觸洞貫穿該保護層與該絕緣層以部分暴露出該第二共通線段。
5.根據權利要求4所述的制作顯示面板的方法,其特征在于,該第一接觸洞所暴露出的該絕緣層的一側壁與該第二接觸洞所暴露出的該絕緣層的一側壁分別具有一階梯結構,且各該階梯結構包括一第一傾斜面、一平面與一第二傾斜面。
6.根據權利要求5所述的制作顯示面板的方法,其特征在于,形成該第一接觸洞與該第二接觸洞的步驟包括:
于該保護層上形成一光刻膠圖案,該光刻膠圖案包括一開口、一第一區域與一第二區域,其中該開口在一垂直投影方向與該第一共通線段以及該第二共通線段部分重迭,該第一區域與該開口鄰接且在該垂直投影方向未與該第一共通線段以及該第二共通線段重迭,該第二區域環繞該第一區域與該開口,且該第一區域的厚度小于該第二區域的厚度;以及
利用該光刻膠圖案作為一蝕刻屏蔽對該保護層及該絕緣層進行蝕刻,以形成該第一接觸洞、該第二接觸洞以及該絕緣層的該階梯結構。
7.根據權利要求6所述的制作顯示面板的方法,其特征在于,該光刻膠圖案利用一半色調光掩模或一灰階光掩模加以形成。
8.根據權利要求1所述的制作顯示面板的方法,其特征在于,該柵極線、該柵極與該至少一第一共通線段由一第一導電圖案層所構成,且該數據線、該源極、該漏極與該至少一第二共通線段由一第二導電圖案層所構成。
9.根據權利要求8所述的制作顯示面板的方法,其特征在于,該至少一接觸洞包括一第一接觸洞與一第二接觸洞,該至少一第一共通線段包括兩第一共通線段,該至少一第二共通線段包括兩第二共通線段,該第一接觸洞部分暴露出該兩第一共通線段的其中一者與該兩第二共通線段的其中一者,且該第二接觸洞部分暴露出該兩第一共通線段的其中另一者與該兩第二共通線段的其中另一者。
10.根據權利要求9所述的制作顯示面板的方法,其特征在于,另包括于形成該保護層與該第二導電圖案層之前,先于該基板與該第一導電圖案層上形成一絕緣層,該第一接觸洞貫穿該保護層與該絕緣層以部分暴露出該兩第一共通線段的其中一者與該兩第二共通線段的其中一者,且該第二接觸洞貫穿該保護層與該絕緣層以部分暴露出該兩第一共通線段的其中另一者與該兩第二共通線段的其中另一者。
11.根據權利要求10所述的制作顯示面板的方法,其特征在于,該第一接觸洞所暴露的該絕緣層的一側壁與該第二接觸洞所暴露出的該絕緣層的一側壁分別具有一第一斜率,該第一接觸洞所暴露出的該第二共通線段的一側壁與該第二接觸洞所暴露出的該第二共通線段的一側壁分別具有一第二斜率,且該第二斜率小于該第一斜率。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





