[發明專利]一種監控MOS器件閾值電壓漂移的方法有效
| 申請號： | 201210139336.7 | 申請日： | 2012-05-08 |
| 公開（公告）號： | CN103390568A | 公開（公告）日： | 2013-11-13 |
| 發明（設計）人： | 陳清 | 申請（專利權）人： | 無錫華潤上華科技有限公司 |
| 主分類號： | H01L21/66 | 分類號： | H01L21/66 |
| 代理公司： | 中國專利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 唐立;李浩 |
| 地址： | 214028 無錫市*** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 監控 mos 器件 閾值 電壓 漂移 方法 | ||
1.?一種監控MOS器件閾值電壓漂移的方法，其特征在于，在柵介質層制備完成后，在線監測該硅片的Qtot和/或Dit值，并通過Qtot和/或Dit值預測該硅片所制備的MOS器件的閾值電壓漂移；
其中，Qtot表示所述柵介質層內部的所有電荷，Dit表示所述柵介質層與硅襯底之間的界面態密度。
2.?如權利要求1所述的方法，其特征在于，該方法包括以下步驟：
在硅片的硅襯底上完成柵介質層制備；
將該硅片置于測試機臺上，并向該硅片的表面偏置電荷；
光照射所述硅襯底的表面；
測量該硅片的Vs，得出Qbias?-Vs關系曲線；
根據Qbias?-Vs關系曲線計算得出Qbias?-SPV關系曲線；
根據Qbias?-SPV關系曲線計算得出Qtot；
根據Qtot和Qbias?-Vs關系曲線計算得出Dit；
分別判斷Qtot和/或Dit是否偏離其相應的預定范圍值；
如果判斷為“是”，則表述該硅片所制備形成的MOS器件的閾值電壓將漂移；
其中，Qbias表示硅片的表面偏置電荷，Vs表示硅片的表面電壓，SPV表述硅片的表面光電壓。
3.?如權利要求2所述的方法，其特征在于，在計算Qtot時，Qtot=?-Qbias︱SPV=0。
4.?如權利要求1或2所述的方法，其特征在于，所述硅片中設置啞片，在線監測所述啞片的Qtot和/或Dit值以反映所述硅片的Qtot和/或Dit值。
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
