[發(fā)明專利]提高靜態(tài)隨機(jī)存儲器寫入冗余度的方法

無效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201210138193.8
• 申請日: 2012-05-04
• 公開（公告）號: CN102646641A
• 公開（公告）日: 2012-08-22
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 俞柳江
• 申請（專利權(quán)）人: 上海華力微電子有限公司
• 主分類號: H01L21/8244
• 分類號: H01L21/8244
• 代理公司: 上海思微知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 31237
• 代理人: 陸花

1.一種提高靜態(tài)隨機(jī)存儲器寫入冗余度的方法，其特征在于包括：當(dāng)采用壓應(yīng)力通孔刻蝕停止層應(yīng)力處理時(shí)，在消除NMOS器件區(qū)域的壓應(yīng)力的元素離子注入工藝步驟中，打開上拉管區(qū)域以使其不覆蓋修改后的光刻膠，使得上拉管區(qū)域與NMOS器件區(qū)域一樣進(jìn)行元素離子的注入，由此元素離子對上拉管區(qū)域的壓應(yīng)力通孔刻蝕停止層進(jìn)行轟擊。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的提高靜態(tài)隨機(jī)存儲器寫入冗余度的方法，其特征在于，其中襯底上的所有NMOS器件區(qū)域均未覆蓋修改后的光刻膠。

3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的提高靜態(tài)隨機(jī)存儲器寫入冗余度的方法，其特征在于，所述元素離子是鍺元素離子。

4.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的提高靜態(tài)隨機(jī)存儲器寫入冗余度的方法，其特征在于，所述提高靜態(tài)隨機(jī)存儲器寫入冗余度的方法用于45nm及以下靜態(tài)隨機(jī)存儲器制備處理。

5.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的提高靜態(tài)隨機(jī)存儲器寫入冗余度的方法，其特征在于，所述提高靜態(tài)隨機(jī)存儲器寫入冗余度的方法是通過邏輯運(yùn)算實(shí)現(xiàn)的。

6.一種靜態(tài)隨機(jī)存儲器制造方法，其特征在于采用了根據(jù)權(quán)利要求1至6之一所述的提高靜態(tài)隨機(jī)存儲器寫入冗余度的方法。