[發(fā)明專利]一種酸性溶液清潔異質(zhì)結(jié)單晶硅薄膜太陽(yáng)能電池無(wú)效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201210138124.7 | 申請(qǐng)日: | 2012-05-07 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN103390686A | 公開(kāi)(公告)日: | 2013-11-13 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 鄭佳仁;劉幼海;劉吉人 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 吉富新能源科技(上海)有限公司 |
| 主分類(lèi)號(hào): | H01L31/18 | 分類(lèi)號(hào): | H01L31/18;H01L31/072;H01L31/036;H01L31/0224 |
| 代理公司: | 暫無(wú)信息 | 代理人: | 暫無(wú)信息 |
| 地址: | 201707 上海市青*** | 國(guó)省代碼: | 上海;31 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 酸性 溶液 清潔 異質(zhì)結(jié) 單晶硅 薄膜 太陽(yáng)能電池 | ||
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明關(guān)于一種可提升異質(zhì)結(jié)單晶硅薄膜太陽(yáng)電池效率的新穎技術(shù)方法,?其目的系藉由酸性溶液清潔工藝,使得硅片表面潔凈度提高,提升整體異質(zhì)結(jié)單晶硅薄膜太陽(yáng)電池的光電轉(zhuǎn)換效率。?
背景技術(shù)
目前異質(zhì)結(jié)單晶硅薄膜太陽(yáng)電池皆于清洗制絨后,進(jìn)入等離子增強(qiáng)式化學(xué)氣相沉積設(shè)備直接制備鈍化層,而本發(fā)明即為提供一種酸性溶液清潔工藝于硅片進(jìn)入等離子增強(qiáng)式化學(xué)氣相沉積設(shè)備前先將硅片表面進(jìn)行清潔,如此可避免于運(yùn)送過(guò)程所造成的不必要的污染和氧化層,進(jìn)而提升轉(zhuǎn)換效率。?
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明為一種可優(yōu)化提升異質(zhì)結(jié)單晶硅薄膜太陽(yáng)電池轉(zhuǎn)化效率的新穎發(fā)明,利用酸性溶液清潔硅片表面,使得硅片表面潔凈度提高,進(jìn)而提升光電轉(zhuǎn)換效率。?
具體實(shí)施方式
茲將異質(zhì)結(jié)單晶硅薄膜太陽(yáng)電池結(jié)構(gòu)說(shuō)明如附圖1,而酸性溶液清潔詳細(xì)說(shuō)明如下:請(qǐng)參閱附圖2,為本發(fā)明之動(dòng)作流程方塊示意圖。流程為先在清洗制絨后的N型單晶硅(1)的背面先利用酸性溶液氫氟酸清潔,接著依序沉積I型氫化非晶硅薄膜(2)與N型氫化非晶硅薄膜(4),接下來(lái)將整個(gè)硅片翻面,于正面亦先進(jìn)行酸性溶液氫氟酸清潔,接著依序沈積I型氫化非晶硅薄膜(2)與P型氫化非晶硅薄膜(3)。再利用磁控濺射或是反應(yīng)式物理氣相沈積設(shè)備,先在P型非晶硅薄膜(3)上沈積透明導(dǎo)電膜(5),接著于N型非晶硅薄膜(4)上沈積透明導(dǎo)電膜(5),最后利用網(wǎng)版印刷于正背面將銀導(dǎo)線(6)布上,及完成此等離子清潔異質(zhì)結(jié)單晶硅薄膜太陽(yáng)電池。而本發(fā)明中的氫化非晶硅薄膜則是透過(guò)通入硅烷、氫氣、磷烷、與硼烷于等離子增強(qiáng)式化學(xué)氣相沉積設(shè)備,經(jīng)由氣體流量比、等離子輸出功率、壓力、電極間距等工藝技術(shù)來(lái)制備,而酸性溶液氫氟酸清潔則是利用于超聲波震蕩器中倒入氫氟酸和去離子水來(lái)清潔硅片,而清潔時(shí)間和氫氟酸濃度則需控制恰當(dāng)以避免傷害硅片表面。而透明導(dǎo)電膜則使用ITO或是ZnO等。?
??
附圖說(shuō)明:??
圖?1?是異質(zhì)結(jié)單晶硅薄膜太陽(yáng)電池結(jié)構(gòu)
圖?2?是酸性溶液清潔異質(zhì)結(jié)單晶硅薄膜太陽(yáng)電池工藝流程圖
圖?1符號(hào)說(shuō)明
1?…N型單晶硅片
2?…I型氫化非晶硅薄膜
3?…P型氫化非晶硅薄膜
4?…N型氫化非晶硅薄膜
5?…透明導(dǎo)電膜
6?…銀電極。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類(lèi)目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對(duì)紅外輻射、光、較短波長(zhǎng)的電磁輻射,或微粒輻射敏感的,并且專門(mén)適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的,或者專門(mén)適用于通過(guò)這樣的輻射進(jìn)行電能控制的半導(dǎo)體器件;專門(mén)適用于制造或處理這些半導(dǎo)體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導(dǎo)體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉(zhuǎn)換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過(guò)該器件的電流的,例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個(gè)共用襯底內(nèi)或其上形成的,一個(gè)或多個(gè)電光源,如場(chǎng)致發(fā)光光源在結(jié)構(gòu)上相連的,并與其電光源在電氣上或光學(xué)上相耦合的
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