[發明專利]一種酸性溶液清潔異質結單晶硅薄膜太陽能電池

無效

• 申請號: 201210138124.7
• 申請日: 2012-05-07
• 公開（公告）號: CN103390686A
• 公開（公告）日: 2013-11-13
• 發明（設計）人: 鄭佳仁;劉幼海;劉吉人
• 申請（專利權）人: 吉富新能源科技(上海)有限公司
• 主分類號: H01L31/18
• 分類號: H01L31/18;H01L31/072;H01L31/036;H01L31/0224
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1.本發明關于一種可提升異質結單晶硅薄膜太陽電池效率的新穎技術方法,?其目的系藉由酸性溶液清潔工藝，使得硅片表面潔凈度提高，提升整體異質結單晶硅薄膜太陽電池的光電轉換效率。

2.根據權利要求1所述的N型單晶硅，其特徵為CZ或FZ法制作的N型單晶硅?，硅片厚度約100~200微米，晶相為<100>，少數載子壽命為大於100微秒，電阻率為0.5~3.0?Ω·cm。

3.根據權利要求1所述的酸性溶液清潔工藝，其特徵為利用于超聲波震蕩器中倒入氫氟酸和去離子水來清潔硅片，而清潔時間和氫氟酸濃度則需控制恰當以避免傷害硅片表面。

4.根據權利要求1所述的氫化I型非晶硅薄膜(I?a-Si:H)、氫化P型非晶硅薄膜?(P?a-Si:H)、與氫化N型非晶硅薄膜(N?a-Si:H)，其特徵為透過通入硅烷、氫氣、磷烷、硼烷于等離子增強式化學氣相沉積設備，經由氣體流量比、等離子輸出功率、壓力、電極間距等工藝技術來制備。

5.?根據權利要求1所述的透明導電膜，其特徵為氧化鋅參雜鋁(ZnO:Al)透明導電膜或氧化鋅參雜硼(ZnO:B)透明導電膜或銦錫氧化物(ITO)透明導電膜，于磁控濺射或是反應式物理氣相沈積設備中藉由通入氬氣、氧氣和氫氣產生等離子來制備。

6.根據權利要求1所述的銀導線，其特徵為透過網版印刷設備，將銀導線布于正反面的透明導電膜上，以形成太陽電池的正負極接線。