[發明專利]一種高陷光異質結單晶硅薄膜太陽能電池

無效

• 申請號: 201210137770.1
• 申請日: 2012-05-07
• 公開（公告）號: CN103390684A
• 公開（公告）日: 2013-11-13
• 發明（設計）人: 鄭佳仁;劉幼海;劉吉人
• 申請（專利權）人: 吉富新能源科技(上海)有限公司
• 主分類號: H01L31/18
• 分類號: H01L31/18;H01L31/072;H01L31/036;H01L31/0216
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

技術領域

本發明關于一種可提升異質結單晶硅薄膜太陽電池陷光的新穎技術方法,?其目的系藉由高陷光的透明導電膜，使得光使用率提升10%以上，亦即可提升整體異質結單晶硅薄膜太陽電池的光電轉換效率。?

背景技術

目前異質結單晶硅薄膜太陽電池皆使用濺射或反應式濺射工藝來制備ITO或是AZO透明導電膜來形成光入射面的電極，然而此兩種透明導電膜皆為平整的膜面，會造成入射光的反射，進而減少了入射光的比例，影響了光電轉換效率，本發明即為提供一種高陷光的透明導電膜技術，提高入射光的比例和利用，進而提升轉換效率。?

發明內容

本發明為一種可優化提升異質結單晶硅薄膜太陽電池轉化效率的新穎發明，利用有機金屬化學氣相沈積設備（MOCVD）制作高陷光的氧化鋅摻雜硼（ZnO:B），可提升入射光的吸收比例，進而提升光電轉換效率。?

具體實施方式

茲將本發明結構說明如附圖1，詳細說明如下：請參閱附圖2，為本發明之動作流程方塊示意圖。流程為于有機金屬化學氣相沈積設備（MOCVD）先均勻加熱已制備完成鈍化、PN結和背場的異質結單晶硅薄膜，加熱溫度為180～200℃，接著通入二乙基鋅（DEZ）、氫氣和乙硼烷（B2H6），最后通入水蒸氣，即形成氧化鋅摻雜硼（ZnO:B），藉由控制二乙基鋅（DEZ）、氫氣、乙硼烷（B2H6）和水蒸氣的比例以及加熱溫度，可形成角錐狀的高陷光氧化鋅摻雜硼（ZnO:B）。?

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附圖說明:??

圖?1?是高陷光異質結單晶硅薄膜太陽電池結構

圖?2?是高陷光透明導電膜工藝流程圖

圖?1符號說明

1?…N型單晶硅片

2?…I型氫化非晶硅薄膜

3?…P型氫化非晶硅薄膜

4?…N型氫化非晶硅薄膜

5?…高陷光透明導電膜

6?…銀電極。