[發明專利]一種高陷光異質結單晶硅薄膜太陽能電池

無效

• 申請號: 201210137770.1
• 申請日: 2012-05-07
• 公開（公告）號: CN103390684A
• 公開（公告）日: 2013-11-13
• 發明（設計）人: 鄭佳仁;劉幼海;劉吉人
• 申請（專利權）人: 吉富新能源科技(上海)有限公司
• 主分類號: H01L31/18
• 分類號: H01L31/18;H01L31/072;H01L31/036;H01L31/0216
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1.本發明為一種可優化提升異質結單晶硅薄膜太陽電池轉化效率的新穎發明，利用有機金屬化學氣相沈積設備（MOCVD）制作高陷光的氧化鋅摻雜硼（ZnO:B），可提升入射光的吸收比例，進而提升光電轉換效率，其特徵為于有機金屬化學氣相沈積設備（MOCVD）先均勻加熱已制備完成鈍化、PN結和背場的異質結單晶硅薄膜，加熱溫度為180～200℃，接著通入二乙基鋅（DEZ）、氫氣和乙硼烷（B2H6），最后通入水蒸氣，即形成氧化鋅摻雜硼（ZnO:B），藉由控制二乙基鋅（DEZ）、氫氣、乙硼烷（B2H6）和水蒸氣的比例以及加熱溫度，可形成角錐狀的高陷光氧化鋅摻雜硼（ZnO:B）。

2.根據權利要求1所述的N型單晶硅，其特徵為CZ或FZ法制作的N型單晶硅?，硅片厚度約100~200微米，晶相為<100>，少數載子壽命為大於100微秒，電阻率為0.5~3.0?Ω·cm。

3.根據權利要求1所述的氫化I型非晶硅薄膜(I?a-Si:H)、氫化P型非晶硅薄膜?(P?a-Si:H)、與氫化N型非晶硅薄膜(N?a-Si:H)，其特徵為透過通入硅烷、氫氣、磷烷、硼烷于等離子增強式化學氣相沉積設備，經由氣體流量比、等離子輸出功率、壓力、電極間距等工藝技術來制備。

4.根據權利要求1所述的透明導電膜，其特徵為氧化鋅參雜硼(ZnO:B)透明導電膜，于有機金屬化學氣相沈積設備（MOCVD）先均勻加熱已制備完成鈍化、PN結和背場的異質結單晶硅薄膜，加熱溫度為180～200℃，接著通入二乙基鋅（DEZ）、氫氣和乙硼烷（B2H6），最后通入水蒸氣，并經由氣體比例調整，即形成角錐狀高陷光的氧化鋅摻雜硼（ZnO:B）

根據權利要求1所述的銀導線，其特徵為透過網版印刷設備，將銀導線布于正反面的透明導電膜上，以形成太陽電池的正負極接線。