[發明專利]一種高效率異質結單晶硅薄膜太陽能電池

無效

• 申請號: 201210137766.5
• 申請日: 2012-05-07
• 公開（公告）號: CN103390683A
• 公開（公告）日: 2013-11-13
• 發明（設計）人: 鄭佳仁;劉幼海;劉吉人
• 申請（專利權）人: 吉富新能源科技(上海)有限公司
• 主分類號: H01L31/18
• 分類號: H01L31/18;H01L31/072;H01L31/036;H01L31/0224
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

技術領域

本發明關于一種可提升普片使用的單晶硅太陽能電池效率的新穎技術方法,?其目的系藉由單晶硅與非晶硅的結合形成異質結結構，將原本使用的單晶硅太陽電池的光電轉化效率從18%提升至20%以上，所有工藝不需昂貴的氣體使用和高耗能設備，即可達成高效率低成本的大量生產目標。?

背景技術

目前單晶硅太陽電池需藉由擴散爐等高溫工藝來制作，會造成高耗能的產生。此外單晶硅太陽電池于使用上對于環境溫度的提升會有很大的衰竭現象（-0.5%/℃），而非晶硅工藝流程的溫度遠低于單晶硅且對于溫度的衰竭現象亦不若單晶硅來的嚴重(-0.2%/℃)，因此結合此兩種技術，而形成了異質結單晶硅薄膜，其光電轉換效率可使原先的單晶硅太陽電池提升至20%以上。?

發明內容

本發明為一種可優化提升單晶硅太陽電池轉化效率的新穎發明，利用非晶硅在單晶硅上面的沈積成膜搭配，形成異質結結構，而非晶硅與透明導電膜沈積的順序，則為達成高效率的重要途徑，而本發明即為提出此沈積順序以形成最佳的單晶硅表面鈍化作用以及減少表面污染的影響，進而達到高效率的異質結單晶硅薄膜。?

具體實施方式

茲將本發明結構說明如附圖1，詳細說明如下：請參閱圖2，為本發明之動作流程方塊示意圖。流程為先在清洗制絨后的N型單晶硅(1)的背面利用等離子增強式化學氣相沉積設備依序沉積I型氫化非晶硅薄膜(2)與N型氫化非晶硅薄膜(4)，接下來將整個硅片翻面，于正面依序沈積I型氫化非晶硅薄膜(2)與P型氫化非晶硅薄膜(3)，接著再利用磁控濺射或是反應式物理氣相沈積設備，先在P型非晶硅薄膜(3)上沈積透明導電膜(5)，接著于N型非晶硅薄膜(4)上沈積透明導電膜(5)，最后利用網版印刷于正背面將銀導線(6)布上，及完成此高效率異質結單晶硅薄膜太陽電池。而本發明中的氫化非晶硅薄膜則是透過通入硅烷、氫氣、磷烷、與硼烷于等離子增強式化學氣相沉積設備，經由氣體流量比、等離子輸出功率、壓力、電極間距等工藝技術來制備，而透明導電膜則使用ITO或是ZnO。?

附圖說明:??

圖?1?是異質結單晶硅薄膜太陽電池結構

圖?2?是工藝流程圖

?圖?1符號說明

1?…N型單晶硅片

2?…I型氫化非晶硅薄膜

3?…P型氫化非晶硅薄膜

4?…N型氫化非晶硅薄膜

5?…透明導電膜

6?…銀電極。