[發(fā)明專利]一種高效率異質(zhì)結(jié)單晶硅薄膜太陽(yáng)能電池

無(wú)效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201210137766.5
• 申請(qǐng)日: 2012-05-07
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN103390683A
• 公開(kāi)（公告）日: 2013-11-13
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 鄭佳仁;劉幼海;劉吉人
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 吉富新能源科技(上海)有限公司
• 主分類號(hào): H01L31/18
• 分類號(hào): H01L31/18;H01L31/072;H01L31/036;H01L31/0224
• 代理公司: 暫無(wú)信息
• 代理人: 暫無(wú)信息

1.本發(fā)明為一種可優(yōu)化提升單晶硅太陽(yáng)電池轉(zhuǎn)化效率的新穎發(fā)明，利用非晶硅在單晶硅上面的沈積成膜搭配，形成異質(zhì)結(jié)結(jié)構(gòu)，而非晶硅與透明導(dǎo)電膜沈積的順序，則為達(dá)成高效率的重要途徑，而本發(fā)明即為提出此沈積順序以形成最佳的單晶硅表面鈍化作用以及減少表面污染的影響，進(jìn)而達(dá)到高效率的異質(zhì)結(jié)單晶硅薄膜，其特徵為為先在清洗制絨后的N型單晶硅的背面利用等離子增強(qiáng)式化學(xué)氣相沉積設(shè)備依序沉積I型氫化非晶硅薄膜與N型氫化非晶硅薄膜，接下來(lái)將整個(gè)硅片翻面，于正面依序沈積I型氫化非晶硅薄膜與P型氫化非晶硅薄膜，接著再利用磁控濺射或是反應(yīng)式物理氣相沈積設(shè)備，先在P型非晶硅薄膜上沈積透明導(dǎo)電膜，接著于N型非晶硅薄膜上沈積透明導(dǎo)電膜，最后利用網(wǎng)版印刷于正背面將銀導(dǎo)線布上，則完成此高效率異質(zhì)結(jié)單晶硅薄膜太陽(yáng)電池。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的N型單晶硅，其特徵為CZ或FZ法制作的N型單晶硅?，硅片厚度約100~200微米，晶相為<100>，少數(shù)載子壽命為大於100微秒，電阻率為0.5~3.0?Ω·cm。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的氫化I型非晶硅薄膜(I?a-Si:H)、氫化P型非晶硅薄膜?(P?a-Si:H)、與氫化N型非晶硅薄膜(N?a-Si:H)，其特徵為透過(guò)通入硅烷、氫氣、磷烷、硼烷于等離子增強(qiáng)式化學(xué)氣相沉積設(shè)備，經(jīng)由氣體流量比、等離子輸出功率、壓力、電極間距等工藝技術(shù)來(lái)制備。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的透明導(dǎo)電膜，其特徵為氧化鋅參雜鋁(ZnO:Al)透明導(dǎo)電膜或氧化鋅參雜硼(ZnO:B)透明導(dǎo)電膜或銦錫氧化物(ITO)透明導(dǎo)電膜，于磁控濺射或是反應(yīng)式物理氣相沈積設(shè)備中藉由通入氬氣、氧氣和氫氣產(chǎn)生等離子來(lái)制備。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的銀導(dǎo)線，其特徵為透過(guò)網(wǎng)版印刷設(shè)備，將銀導(dǎo)線布于正反面的透明導(dǎo)電膜上，以形成太陽(yáng)電池的正負(fù)極接線。