[發(fā)明專利]一種透明導(dǎo)電氧化物薄膜的制備方法有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201210136712.7 | 申請(qǐng)日: | 2012-05-04 |
| 公開(公告)號(hào): | CN102646759A | 公開(公告)日: | 2012-08-22 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 徐東;徐永;任昌義 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 深圳市科聚新材料有限公司 |
| 主分類號(hào): | H01L31/18 | 分類號(hào): | H01L31/18 |
| 代理公司: | 深圳中一專利商標(biāo)事務(wù)所 44237 | 代理人: | 張全文 |
| 地址: | 518103 廣東省深圳市寶安區(qū)*** | 國(guó)省代碼: | 廣東;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 透明 導(dǎo)電 氧化物 薄膜 制備 方法 | ||
1.一種透明導(dǎo)電氧化物薄膜的制備方法,其特征在于,包括如下步驟:
步驟一、獲得鋅鹽或銦鹽與摻雜金屬鹽的溶膠溶液,其中,溶膠溶液的粘度為15~20mPa·s,所述鋅鹽或者銦鹽中鋅或者銦的濃度為0.1~1mol/L,鋅與摻雜金屬的摩爾比值為0.001~0.03,銦與摻雜金屬的摩爾比值為0.05~0.15;
步驟二、將成膜介質(zhì)浸入到所述溶膠溶液中,停留1~30s,然后以1~300cm/min的速度將所述介質(zhì)提拉出所述溶膠液面,隨后在80°C~300°C下保持0.5~30min,冷卻;
步驟三、重復(fù)步驟二至所述成膜介質(zhì)上的膜厚達(dá)到所需厚度,獲得所述透明導(dǎo)電氧化物薄膜。
2.如權(quán)利要求1所述的透明導(dǎo)電氧化物薄膜的制備方法,其特征在于,所述鋅鹽或銦鹽與摻雜金屬鹽的溶膠溶液的配制步驟為:
將鋅鹽或銦鹽加入到有機(jī)溶劑中,再加入與該鋅鹽或銦鹽等摩爾比的穩(wěn)定劑,置于60°C~100°C的溫度下,攪拌0.5h~10h,獲得鋅鹽或銦鹽溶液;
將摻雜金屬鹽溶于有機(jī)溶劑中,獲得摻雜金屬鹽溶液;
將所述鋅鹽或銦鹽溶液與摻雜金屬鹽溶液混合,在50°C~150°C下攪拌0.5h~10h后,靜置24h~48h,獲得鋅鹽或銦鹽與摻雜金屬鹽的溶膠溶液。
3.如權(quán)利要求1所述的透明導(dǎo)電氧化物薄膜的制備方法,其特征在于,所述有機(jī)溶劑為異丙醇、乙酰丙酮、乙二醇甲醚中的至少一種,所述穩(wěn)定劑為二乙醇胺和/或單乙醇胺。
4.如權(quán)利要求1所述的透明導(dǎo)電氧化物薄膜的制備方法,其特征在于,所述鋅鹽與摻雜金屬鹽的溶膠溶液中,摻雜金屬鹽為鋁鹽、鎵鹽、銦鹽和鉬鹽中的至少一種;所述銦鹽與摻雜金屬鹽的溶膠溶液中,摻雜金屬鹽為錫鹽、鎳鹽和鉬鹽中至少一種。
5.如權(quán)利要求1所述的透明導(dǎo)電氧化物薄膜的制備方法,其特征在于,所述厚度為300nm~500nm。
6.如權(quán)利要求1所述的透明導(dǎo)電氧化物薄膜的制備方法,其特征在于,所述鋅鹽、銦鹽和摻雜金屬鹽為其相應(yīng)的醇鹽、醋酸鹽、乙烯丙酮鹽、硝酸鹽、氯化鹽中的至少一種。
7.如權(quán)利要求1所述的透明導(dǎo)電氧化物薄膜的制備方法,其特征在于,所述溶膠溶液的粘度為17~18mPa·s。
8.如權(quán)利要求1所述的透明導(dǎo)電氧化物薄膜的制備方法,其特征在于,所述在80°C~300°C下保持0.5~30min的過(guò)程分為干燥和熱處理兩步依次進(jìn)行,將提拉后的成膜介質(zhì)置于80°C~150°C下干燥,時(shí)間為0.5min~15min,獲得凝膠薄膜,再將凝膠薄膜置于150°C~300°C下預(yù)熱處理,時(shí)間為0.5min~15min。
9.如權(quán)利要求1所述的透明導(dǎo)電氧化物薄膜的制備方法,其特征在于,還包括對(duì)所述透明導(dǎo)電氧化物薄膜進(jìn)行退火的步驟,所述退火的溫度為250°C~800°C,時(shí)間為10min~3h。
10.如權(quán)利要求9所述的透明導(dǎo)電氧化物薄膜的制備方法,其特征在于,還包括對(duì)所述透明導(dǎo)電氧化物薄膜在還原氣氛中進(jìn)行二次退火處理的步驟,所述二次退火處理的溫度為250°C~800°C,時(shí)間為0.5min~1h。
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H01L31-00 對(duì)紅外輻射、光、較短波長(zhǎng)的電磁輻射,或微粒輻射敏感的,并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的,或者專門適用于通過(guò)這樣的輻射進(jìn)行電能控制的半導(dǎo)體器件;專門適用于制造或處理這些半導(dǎo)體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導(dǎo)體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉(zhuǎn)換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過(guò)該器件的電流的,例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個(gè)共用襯底內(nèi)或其上形成的,一個(gè)或多個(gè)電光源,如場(chǎng)致發(fā)光光源在結(jié)構(gòu)上相連的,并與其電光源在電氣上或光學(xué)上相耦合的
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