[發明專利]一種形成雙應力層的方法

無效

• 申請號: 201210136018.5
• 申請日: 2012-05-04
• 公開（公告）號: CN102683285A
• 公開（公告）日: 2012-09-19
• 發明（設計）人: 徐強
• 申請（專利權）人: 上海華力微電子有限公司
• 主分類號: H01L21/8238
• 分類號: H01L21/8238
• 代理公司: 上海新天專利代理有限公司 31213
• 代理人: 王敏杰

1.一種形成雙應力層的方法，其特征在于，包括以下步驟：

步驟S1：沉積高壓應力層覆蓋一具有PMOS和NMOS區域的半導體結構的上表面；

步驟S2：刻蝕去除覆蓋在NMOS區域上的高壓應力層后，沉積高拉應力層覆蓋剩余高壓應力層和所述半導體結構暴露部分的上表面；

步驟S3：采用光刻工藝，形成覆蓋在NMOS區域上的第二光阻，并以所述第二光阻為掩膜刻蝕去除部分覆蓋在PMOS區域上的高拉應力層后，繼續采用遠端等離子化學刻蝕工藝去除覆蓋在PMOS區域上剩余的高拉應力層和交疊區域中的高拉應力層，去除第二光阻。

2.根據權利要求1所述的形成雙應力層的方法，其特征在于，還包括：步驟S2采用光刻工藝形成覆蓋在PMOS區域上的第一光阻，并以所述第一光阻為掩膜刻蝕去除覆蓋在NMOS區域上的高壓應力層，并去除第一光阻。

3.根據權利要求2所述的形成雙應力層的方法，其特征在于，步驟S2中采用干法刻蝕去除覆蓋在NMOS區域上的高壓應力層。

4.根據權利要求3所述的形成雙應力層的方法，其特征在于，步驟S3中采用干法刻蝕去除部分覆蓋在PMOS區域上的高拉應力層。

5.根據權利要求4所述的形成雙應力層的方法，其特征在于，所述高拉應力層和所述高壓應力層的材質均為氮化硅。

6.根據權利要求1-5中任意一項所述的形成雙應力層的方法，其特征在于，采用NH₃、H₂、NF₃氣體進行遠端等離子化學刻蝕工藝。

7.根據權利要求6所述的形成雙應力層的方法，其特征在于，進行遠端等離子化學刻蝕工藝時，通過控制刻蝕時間來控制交疊區域中的高壓應力氮化硅層。

8.根據權利要求7所述的形成雙應力層的方法，其特征在于，所述光刻工藝包括旋涂光刻膠，曝光、顯影后，去除多余光刻膠，形成光阻。

9.根據權利要求8所述的形成雙應力層的方法，其特征在于，所述交疊區域為高壓應力層與高拉應力層的交疊部分。

10.根據權利要求9所述的形成雙應力層的方法，其特征在于，所述半導體結構包括設置有PMOS和NMOS區域的襯底，且所述PMOS和NMOS區域上均設置有側墻和柵極結構，一淺溝隔離槽嵌入部分所述襯底內。