[發明專利]傳輸門

有效

• 申請號: 201210135412.7
• 申請日: 2012-05-02
• 公開（公告）號: CN102761327A
• 公開（公告）日: 2012-10-31
• 發明（設計）人: 賈科莫·庫拉托洛
• 申請（專利權）人: 英飛凌科技股份有限公司
• 主分類號: H03K19/0185
• 分類號: H03K19/0185
• 代理公司: 北京康信知識產權代理有限責任公司 11240
• 代理人: 余剛;吳孟秋

技術領域

本申請的實施方式涉及一種用于選擇性地建立傳輸路徑的傳輸門，更特別地，涉及一種具有擴展了的功能范圍的傳輸門。

背景技術

傳輸門被用于各種應用，例如用于電連接或斷開兩個電節點。

發明內容

本文描述的實施方式提供了一種用于選擇性地建立傳輸路徑的傳輸門。該傳輸門包括第一傳輸路徑端子、第二傳輸路徑端子、串聯連接的第一場效應晶體管和第二場效應晶體管以及控制電路。第一場效應晶體管的溝道和第二場效應晶體管的溝道在第一傳輸路徑端子和第二傳輸路徑端子之間串聯地耦接，使得第一場效應晶體管的溝道觸點與第二傳輸路徑端子耦接并且第二場效應晶體管的溝道觸點與第一傳輸路徑端子耦接。控制電路被構造為，提供用于第一場效應晶體管的柵極觸點的控制電壓和用于第二場效應晶體管的柵極觸點的控制電壓，使得用于第一場效應晶體管的柵極觸點的控制電壓在傳輸門斷開的狀態下以第一傳輸路徑端子處的電壓為基礎，并使得用于第二場效應晶體管的柵極觸點的控制電壓在傳輸門斷開的狀態下以第二傳輸路徑端子處的電壓為基礎。

本文描述的其他實施方式提供了一種用于選擇性地建立傳輸路徑的傳輸門。傳輸門包括第一傳輸路徑端子、第二傳輸路徑端子、串聯連接的第一場效應晶體管和第二場效應晶體管。第一場效應晶體管的溝道和第二場效應晶體管的溝道在第一傳輸路徑端子和第二傳輸路徑端子之間串聯地耦接，使得第一場效應晶體管的溝道觸點耦接至第二傳輸路徑端子且第二場效應晶體管的溝道觸點耦接至第一傳輸路徑端子。第一場效應晶體管和第二場效應晶體管中的至少一個的體積觸點（bulk?contact）連接至在第一場效應晶體管的溝道和第二場效應晶體管的溝道之間電連接的節點。

此外，這里描述的實施方式提供一種用于選擇性地建立傳輸路徑的傳輸門。傳輸門包括第一傳輸路徑端子、第二傳輸路徑端子、串聯連接的第一場效應晶體管和第二場效應晶體管、第三場效應晶體管、第一換流器（first?inverter，INV1）和第二換流器（INV2）。第一場效應晶體管的溝道和第二場效應晶體管的溝道在第一傳輸路徑端子和第二傳輸路徑端子之間串聯地耦接，使得第一場效應晶體管的溝道觸點耦接至第二傳輸路徑端子且第二場效應晶體管的溝道觸點耦接至第一傳輸路徑端子。第一場效應晶體管的體積觸點和第二場效應晶體管的體積觸點連接至在第一場效應晶體管的溝道和第二場效應晶體管的溝道之間電連接的節點。第三場效應晶體管并聯連接至串聯連接的第一場效應晶體管和第二場效應晶體管。第三場效應晶體管的溝道在第一傳輸路徑端子和第二傳輸路徑端子之間耦接。第三場效應晶體管是與第一場效應晶體管和第二場效應晶體管互補的場效應晶體管。第一換流器耦接至第一傳輸路徑端子，使得基于第一傳輸路徑端子處的電壓對第一換流器供電。第二換流器耦接至第二傳輸路徑端子，使得基于第二傳輸路徑端子處的電壓對第二換流器供電。第一換流器被構造為提供用于第一場效應晶體管的柵極觸點的控制電壓，并第二換流器被構造為提供用于第二場效應晶體管的柵極觸點的控制電壓。

通過閱讀以下詳細的描述并觀察附圖，本領域中的技術人員將認識到另外的特征和優點。

附圖說明

附圖的元件并非一定相對于彼此成比例縮放。相同的參考標號表示相應相同的部件。可組合各種所示實施方式的特征，除非它們彼此排斥。在附圖中示出了實施方式，并在以下描述中詳細描述了這些實施方式。

圖1示出了根據一個實施方式的用于選擇性地建立傳輸路徑的傳輸門的簡化了的示意性電路。

圖2示出了傳統的傳輸門（或傳送門）的框圖。

圖3示出了隨著時間繪制的輸入節點、輸出節點和控制端子處的電壓電平的示圖。

圖4示出了傳統的傳輸門的等效電路。

圖5示出了傳統的傳輸門的輸入電壓功能范圍的示圖。

圖6示出了用于寬供電電壓范圍的傳統傳輸門的輸入電壓功能范圍的示圖。

圖7示出了根據一個實施方式的傳輸門的等效電路。

圖8示出了圖7中所示的傳輸門的輸入電壓功能范圍的示圖。

圖9示出了圖7中所示的具有兩個p溝道MOSFET的限定漏極和源極觸點的傳輸門的等效電路。

圖10示出了第一傳輸路徑端子、控制端子、第一p溝道MOSFET的柵極觸點、N阱、第二p溝道MOSFET的柵極觸點和第二傳輸路徑端子處的電壓電平的示圖。

圖11示出了根據一個實施方式的圖7和圖9中所示的第一換流器和第二換流器的等效電路。

具體實施方式