[發明專利]傳輸門

有效

• 申請號: 201210135412.7
• 申請日: 2012-05-02
• 公開（公告）號: CN102761327A
• 公開（公告）日: 2012-10-31
• 發明（設計）人: 賈科莫·庫拉托洛
• 申請（專利權）人: 英飛凌科技股份有限公司
• 主分類號: H03K19/0185
• 分類號: H03K19/0185
• 代理公司: 北京康信知識產權代理有限責任公司 11240
• 代理人: 余剛;吳孟秋

1.一種用于選擇性地建立傳輸路徑的傳輸門，所述傳輸門包括：

第一傳輸路徑端子和第二傳輸路徑端子；

串聯連接的第一場效應晶體管和第二場效應晶體管，其中，所述第一場效應晶體管的溝道和所述第二場效應晶體管的溝道在所述第一傳輸路徑端子和所述第二傳輸路徑端子之間串聯地耦接，使得所述第一場效應晶體管的溝道觸點耦接至所述第二傳輸路徑端子且所述第二場效應晶體管的溝道觸點耦接至所述第一傳輸路徑端子；以及

控制電路，被構造為，提供用于所述第一場效應晶體管的柵極觸點的控制電壓和用于所述第二場效應晶體管的柵極觸點的控制電壓，使得用于所述第一場效應晶體管的所述柵極觸點的所述控制電壓在所述傳輸門斷開的狀態下以所述第一傳輸路徑端子處的電壓為基礎，并使得用于所述第二場效應晶體管的所述柵極觸點的所述控制電壓在所述傳輸門斷開的狀態下以所述第二傳輸路徑端子處的電壓為基礎。

2.根據權利要求1所述的傳輸門，其中，所述控制電路被構造為，在所述傳輸門接通的狀態下，基于所述傳輸門的接地端子處的電壓而提供用于所述第一場效應晶體管的所述柵極觸點的所述控制電壓和用于所述第二場效應晶體管的所述柵極觸點的所述控制電壓。

3.根據權利要求2所述的傳輸門，其中，所述控制電路被構造為，基于所述傳輸門的控制端子處的電壓，在所述第一傳輸路徑端子處的電壓和所述接地端子處的電壓之間切換用于所述第一場效應晶體管的所述柵極觸點的所述控制電壓，并基于所述傳輸門的控制端子處的電壓，在所述第二傳輸路徑端子處的電壓和所述接地端子處的電壓之間切換用于所述第二場效應晶體管的所述柵極觸點的所述控制電壓。

4.根據權利要求1所述的傳輸門，其中，所述控制電路包括第一換流器和第二換流器，其中，所述第一換流器耦接至所述第一傳輸路徑端子，使得基于所述第一傳輸路徑端子處的電壓對所述第一換流器供電，并且其中，所述第二換流器耦接至所述第二傳輸路徑端子，使得基于所述第二傳輸路徑端子處的電壓對所述第二換流器供電，其中，所述第一換流器被構造為提供用于所述第一場效應晶體管的所述柵極觸點的控制電壓，并且其中，所述第二換流器被構造為提供用于所述第二場效應晶體管的所述柵極觸點的控制電壓。

5.根據權利要求4所述的傳輸門，其中，所述控制電路的所述第一換流器和所述第二換流器還耦接至所述傳輸門的接地端子，使得所述第一換流器的供電電壓被定義為所述第一傳輸路徑端子處的電壓和所述接地端子處的電壓之間的電壓差，并使得所述第二換流器的供電電壓被定義為所述第二傳輸路徑端子處的電壓和所述接地端子處的電壓之間的電壓差。

6.根據權利要求4所述的傳輸門，其中，所述控制電路的所述第一換流器和所述第二換流器耦接至所述傳輸門的所述控制端子，使得所述第一換流器基于所述控制端子處的電壓而在所述第一傳輸路徑端子處的電壓和所述接地端子處的電壓之間切換用于所述第一場效應晶體管的所述柵極觸點的所述控制電壓，并使得基于所述控制端子處的電壓，而在所述第二傳輸路徑端子處的電壓和所述接地端子處的電壓之間切換用于所述第二場效應晶體管的所述柵極觸點的所述控制電壓。

7.根據權利要求1所述的傳輸門，其中，所述第一場效應晶體管和所述第二場效應晶體管中的至少一個的體積觸點連接至在所述第一場效應晶體管的所述溝道和所述第二場效應晶體管的所述溝道之間電連接的節點。

8.根據權利要求1所述的傳輸門，其中，所述第一場效應晶體管的體積觸點和所述第二場效應晶體管的體積觸點連接至在所述第一場效應晶體管的所述溝道和所述第二場效應晶體管的所述溝道之間電連接的節點。

9.根據權利要求1所述的傳輸門，還包括并聯連接至串聯連接的所述第一場效應晶體管和所述第二場效應晶體管的第三場效應晶體管，其中，所述第三場效應晶體管的溝道耦接在所述第一傳輸路徑端子和所述第二傳輸路徑端子之間。

10.根據權利要求8所述的傳輸門，其中，所述第三場效應晶體管是與所述第一場效應晶體管和所述第二場效應晶體管互補的場效應晶體管，并且其中，所述控制電路被構造為提供用于所述第三場效應晶體管的柵極觸點的控制電壓，使得用于所述第三場效應晶體管的所述柵極觸點的所述控制電壓與用于所述第一場效應晶體管的所述柵極觸點的所述控制電壓和用于所述第二場效應晶體管的所述柵極觸點的所述控制電壓互補。