[發明專利]半導體器件

有效

• 申請號: 201210132450.7
• 申請日: 2012-04-27
• 公開（公告）號: CN103023477A
• 公開（公告）日: 2013-04-03
• 發明（設計）人: 金美慧
• 申請（專利權）人: 海力士半導體有限公司
• 主分類號: H03K19/00
• 分類號: H03K19/00
• 代理公司: 北京弘權知識產權代理事務所(普通合伙) 11363
• 代理人: 俞波;郭放

1.一種半導體器件，包括：

碼發生器，所述碼發生器被配置成產生具有響應于阻抗碼的變化而變化的值的補充碼；

主驅動器，所述主驅動器被配置成接收輸出數據且將所接收的輸出數據驅動至數據輸出焊盤，其中所述主驅動器的驅動力根據所述阻抗碼而受控制；以及

輔助驅動器，所述輔助驅動器被配置成接收所述輸出數據且將所接收的輸出數據驅動至所述數據輸出焊盤，其中所述輔助驅動器的驅動力根據所述補充碼而受控制。

2.如權利要求1所述的半導體器件，其中，所述阻抗碼具有根據工藝、電壓和溫度PVT的變化而受控的值。

3.如權利要求1所述的半導體器件，還包括：

驅動控制信號發生器，所述驅動控制信號發生器被配置響應于所述輸出數據的邏輯電平改變而產生被使能一段時間的驅動控制信號以控制所述輔助驅動器的操作。

4.如權利要求1所述的半導體器件，其中，所述輔助驅動器在所述輸出數據每次改變之后的初始時段期間被使能以驅動所述數據輸出焊盤且在所述初始時段之后被禁止。

5.如權利要求1所述的半導體器件，其中，所述碼發生器被配置成接收所述阻抗碼且邏輯地組合所述阻抗碼以產生所述補充碼。

6.一種半導體器件，包括：

碼發生器，所述碼發生器被配置成產生上拉補充碼和下拉補充碼，其中所述上拉補充碼和所述下拉補充碼分別響應于上拉阻抗碼的變化和下拉阻抗碼的變化而變化；

上拉驅動器，所述上拉驅動器被配置成接收輸出數據且通過使用多個主上拉驅動器和多個輔助上拉驅動器來對數據輸出焊盤上拉驅動；以及

下拉驅動器，所述下拉驅動器被配置成接收所述輸出數據且通過使用多個主下拉驅動器和多個輔助下拉驅動器來對所述數據輸出焊盤下拉驅動，

其中，所述主上拉驅動器響應于所述上拉阻抗碼而被控制為接通/斷開，且所述輔助上拉驅動器響應于所述上拉補充碼而被控制為接通/斷開，并且

所述主下拉驅動器響應于所述下拉阻抗碼而被控制為接通/斷開，且所述輔助下拉驅動器響應于所述下拉補充碼而被控制為接通/斷開。

7.如權利要求6所述的半導體器件，其中，所述主上拉驅動器和所述輔助上拉驅動器每個都包括PMOS晶體管，并且

所述主下拉驅動器和所述輔助下拉驅動器每個都包括NMOS晶體管。

8.如權利要求6所述的半導體器件，其中，所述上拉阻抗碼和所述下拉阻抗碼具有根據工藝、電壓和溫度PVT的改變而彼此相反地變化的值。

9.如權利要求8所述的半導體器件，其中，所述上拉阻抗碼的值根據外部電源電壓的下降的電平而減小，且根據所述外部電源電壓的上升的電平而增加，并且

所述下拉阻抗碼的值根據所述外部電源電壓的下降的電平而增加，且根據所述外部電源電壓的上升的電平而減小。

10.如權利要求8所述的半導體器件，其中，所述碼發生器包括：

上拉補充碼發生單元，所述上拉補充碼發生單元被配置成用根據所述上拉阻抗碼的值的變化而確定的不同變化范圍來改變所述上拉補充碼的值；以及

下拉補充碼發生單元，所述下拉補充碼發生單元被配置成用根據所述下拉阻抗碼的值的變化而確定的不同變化范圍來改變所述下拉補充碼的值。

11.如權利要求6所述的半導體器件，還包括：

上拉驅動控制信號發生器，所述上拉驅動控制信號發生器被配置成響應于所述輸出數據的邏輯電平從邏輯高電平轉變為邏輯低電平而產生被使能一段時間的上拉驅動控制信號，并且控制所述輔助上拉驅動器的操作；以及

下拉驅動控制信號發生器，所述下拉驅動控制信號發生器被配置成響應于所述輸出數據的邏輯電平從邏輯低電平轉變為邏輯高電平而產生被使能一段時間的下拉驅動控制信號，并且控制所述輔助下拉驅動器的操作。