[發(fā)明專利]半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制造方法

無效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201210132370.1
• 申請日: 2012-04-28
• 公開（公告）號: CN102637649A
• 公開（公告）日: 2012-08-15
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 洪嘉臨
• 申請（專利權(quán)）人: 日月光半導(dǎo)體制造股份有限公司
• 主分類號: H01L23/00
• 分類號: H01L23/00
• 代理公司: 上海專利商標(biāo)事務(wù)所有限公司 31100
• 代理人: 陸勍

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明是有關(guān)于一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制造方法，且特別是有關(guān)于一種應(yīng)用承載層的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制造方法。

背景技術(shù)

傳統(tǒng)上，晶圓或芯片利用膠材來進(jìn)行工藝站點的傳送，以避免晶圓或芯片在傳送過程中破裂。

一般的做法中，會在載板上涂布一層膠材，然后再將晶圓或芯片黏在膠材上。待工藝完成后再將膠材與晶圓泡在溶液中，以分離膠材與晶圓。然而，由于浸泡時間甚久，使得工藝耗費時間無法有效降低。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明有關(guān)于一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制造方法，一實施例中，可省略膠材的使用，因此也不需耗時地以浸泡溶液分離膠材與晶圓。

根據(jù)本發(fā)明的一實施例，提出一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制造方法。制造方法包括以下步驟。提供一承載層，其中承載層具有一開孔；以及，設(shè)置一半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)于承載層上，其中半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)包括一電性接點，電性接點容置于開孔內(nèi)。

為了對本發(fā)明的上述及其他方面有更佳的了解，下文特舉實施例，并配合附圖，作詳細(xì)說明如下：

附圖說明

圖1A至1C繪示依照本發(fā)明一實施例的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制造過程圖。

圖2繪示圖1A的承載層的俯視圖。

圖3繪示依照本發(fā)明另一實施例的承載層的俯視圖。

圖4繪示依照本發(fā)明另一實施例的承載層的俯視圖。

圖5繪示依照本發(fā)明另一實施例的承載層的剖視圖。

圖6繪示依照本發(fā)明另一實施例的承載層的俯視圖。

圖7A至7C繪示依照本發(fā)明另一實施例的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制造過程圖。

圖8A繪示依照本發(fā)明另一實施例的承載層的俯視圖。

圖8B繪示圖8A中沿方向8A-8A’的剖視圖。

主要元件符號說明：

110、210、310：承載層

111、111′、111″、1231：開孔

110s1：第一面

110s2：第二面

112：底部

120：半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)

121、125、131：電性接點

121′：卡合接點

122：主動線路層

1221：接墊

123：保護(hù)層

124：硅穿孔

130：芯片

212、312：第一通道

2121：第一部分

2122：第二部分

213：隔離島

241：第二通道

215：連接部

214：環(huán)繞部

240：載具

3121：子通道

A1、A2：區(qū)域

D1：內(nèi)徑

D2：外徑

H1、H3：厚度

H2：高度

W1、W2：間距

具體實施方式

請參照圖1A至1C，其繪示依照本發(fā)明一實施例的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制造過程圖。

如圖1A所示，提供一承載層110，其中承載層110具有至少一開孔111及相對的第一面110s1與第二面110s2。開孔111從第一面110s1延伸至第二面110s2，即開孔111貫孔。

承載層110的材質(zhì)較佳但非限定地包含耐熱材料，例如是聚亞酰胺(poly-imide，PI)、苯環(huán)丁烯(benzo-cyclo-butene，BCB)、氮化硅(SiN)、耐熱型硅膠、金屬及其組合所構(gòu)成的群組。就性質(zhì)來說，承載層110可以是具備硬性、軟性、可撓性及/或彈性的材質(zhì)。另一實施例中，承載層110的材質(zhì)可同于保護(hù)層123(圖1B)的材質(zhì)。此外，一耐熱膠(未繪示)亦可涂布于承載層110上，并進(jìn)行烘干后，采用例如是微影工藝形成開孔111。此外，承載層110是否具有黏性可視工藝需求而定，本發(fā)明實施例不加以限制。

如圖1B所示，使用例如是高精度接合機(jī)，設(shè)置至少一半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)120于承載層110的第一面110s1上，其中半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)120例如是未切割的晶圓或已切割的芯片，其包括至少一電性接點121，例如是焊球、凸塊或?qū)щ娭?/p>