[發(fā)明專利]半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制造方法

無效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201210132370.1
• 申請日: 2012-04-28
• 公開（公告）號: CN102637649A
• 公開（公告）日: 2012-08-15
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 洪嘉臨
• 申請（專利權(quán)）人: 日月光半導(dǎo)體制造股份有限公司
• 主分類號: H01L23/00
• 分類號: H01L23/00
• 代理公司: 上海專利商標(biāo)事務(wù)所有限公司 31100
• 代理人: 陸勍

1.一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制造方法，包括：

提供一承載層，其中該承載層具有至少一開孔；以及

設(shè)置一半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)于該承載層上，其中該半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)包括至少一電性接點(diǎn)，該至少一電性接點(diǎn)容置于該至少一開孔內(nèi)。

2.如權(quán)利要求1所述的制造方法，其中該承載層具有一第一通道，該第一通道連通于該至少一開孔，該制造方法更包括：

設(shè)置該承載層于一載具上，其中該載具具有一第二通道，該第二通道連通該第一通道；以及

抽出該至少一開孔內(nèi)的一空氣，其中該至少一開孔內(nèi)的該空氣經(jīng)過該第一通道及該第二通道被抽出該載具外。

3.如權(quán)利要求2所述的制造方法，其中該承載層具有相對的一第一面與一第二面，該半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)設(shè)于該承載層的該第一面，而該第一通道延伸于該承載層的該第二面。

4.如權(quán)利要求1所述的制造方法，其中該承載層具有數(shù)個該開孔，相鄰二該開孔之間距不相同。

5.如權(quán)利要求1所述的制造方法，其中該承載層具有數(shù)個該開孔，該承載層包括：

數(shù)個隔離島，所述隔離島彼此分離，且所述開孔位于所述隔離島之間；

一環(huán)繞部，環(huán)繞所述隔離島；以及

一連接部，連接所述隔離島與該環(huán)繞部。

6.如權(quán)利要求5所述的制造方法，其中該承載層具有一第一通道，該第一通道連通所述開孔，該制造方法更包括：

設(shè)置該承載層于一載具上，其中該載具具有一第二通道，該第二通道連通該第一通道；以及

抽出所述開孔內(nèi)的一空氣，其中所述開孔內(nèi)的該空氣經(jīng)過該第一通道及該第二通道而被抽出該載具外。

7.如權(quán)利要求1所述的制造方法，其中該承載層具有另一該開孔，該半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)更包括一卡合接點(diǎn)，該卡合接點(diǎn)卡合于該另一開孔內(nèi)。

8.如權(quán)利要求1所述的制造方法，其中該至少一開孔盲孔。

9.如權(quán)利要求1所述的制造方法，其中該至少一開孔貫孔。

10.如權(quán)利要求1所述的制造方法，其中該承載層的材質(zhì)選自于聚亞酰胺、苯環(huán)丁烯、氮化硅、耐熱型硅膠及其組合所構(gòu)成的群組。