[發明專利]一種真空連續熔煉提純太陽能級硅材料的設備有效
| 申請號： | 201210131540.4 | 申請日： | 2012-04-28 |
| 公開（公告）號： | CN102674366A | 公開（公告）日： | 2012-09-19 |
| 發明（設計）人： | 呂佩文;黃豐;董建平;顏峰岥;林璋;黃嘉魁;黃順樂 | 申請（專利權）人： | 中國科學院福建物質結構研究所 |
| 主分類號： | C01B33/037 | 分類號： | C01B33/037 |
| 代理公司： | 暫無信息 | 代理人： | 暫無信息 |
| 地址： | 350002 *** | 國省代碼： | 福建;35 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 真空 連續 熔煉 提純 太陽 能級 材料 設備 | ||
【權利要求書】：
1.一種真空連續熔煉提純太陽能級硅材料的設備，包括進料腔、石墨坩堝、水冷坩堝、石墨隔離帶、真空腔、二級真空、熔化區、蒸發區、加熱器、傾斜機構，其特征在于：石墨坩堝為整體加熱，加熱可使用石墨加熱器加熱或中頻感應加熱。
2.如權利要求1所述的提純太陽能級硅材料的設備，其特征在于：石墨隔離帶位于石墨坩堝的內部，將石墨坩堝內部分割開，石墨坩堝中靠近進料腔的部分為熔化區，靠近水冷坩堝的部分為蒸發區。
3.如權利要求1所述的提純太陽能級硅材料的設備，其特征在于：傾斜機構與石墨坩堝相連，用于改變石墨坩堝的傾斜度。
4.如權利要求1所述的提純太陽能級硅材料的設備，其特征在于：真空腔為整體結構，進料腔、石墨坩堝、水冷坩堝、加熱器均位于真空腔中，并與二級真空連接。
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