[發明專利]太陽能電池及其制造方法無效
| 申請號: | 201210131169.1 | 申請日: | 2012-04-28 |
| 公開(公告)號: | CN103378106A | 公開(公告)日: | 2013-10-30 |
| 發明(設計)人: | 樓成飛 | 申請(專利權)人: | 杜邦太陽能有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/142 | 分類號: | H01L27/142;H01L31/05;H01L31/18 |
| 代理公司: | 深圳市深佳知識產權代理事務所(普通合伙) 44285 | 代理人: | 唐華明 |
| 地址: | 中國香港新界白石角香港科學園*** | 國省代碼: | 中國香港;81 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 太陽能電池 及其 制造 方法 | ||
1.一種太陽能電池,其特征在于,包括:
玻璃襯底;
位于所述玻璃襯底上水平方向間隔排列的多個串聯的太陽能電池單元組,所述多個串聯的太陽能電池單元組的結構相同;
所述太陽能電池單元組包括多個豎直方向堆疊的太陽能電池單元,多個太陽能電池單元串聯連接,太陽能電池單元組中缺陷最多的太陽能電池單元至少包括兩個并聯的太陽能電池子單元。
2.如權利要求1所述的太陽能電池,其特征在于,所述太陽能電池單元組包括串聯的第一太陽能電池單元和第二太陽能電池單元,所述第一太陽能電池單元的缺陷比第二太陽能電池單元的缺陷多,所述第一太陽能電池單元至少包括兩個并聯的太陽能電池子單元。
3.如權利要求1所述的太陽能電池,其特征在于,所述太陽能電池單元組包括依次串聯的第三太陽能電池單元、第一太陽能電池單元和第二太陽能電池單元,所述第一太陽能電池單元的缺陷最多,所述第一太陽能電池單元至少包括兩個并聯的太陽能電池子單元。
4.如權利要求3所述的太陽能電池,其特征在于,所述第三太陽能電池單元的缺陷比所述第二太陽能電池單元的缺陷多,所述第三太陽能電池單元至少包括兩個并聯的太陽能電池子單元。
5.如權利要求2~4任意一權利要求所述的太陽能電池,其特征在于,所述第一太陽能電池單元為非晶硅太陽能電池單元,所述第二太陽能電池單元為微晶硅太陽能電池單元。
6.如權利要求1所述的太陽能電池,其特征在于,所述缺陷最多的太陽能電池單元包括位于所述玻璃襯底上的、水平方向間隔排列的至少兩個太陽能電池子單元,所述太陽能電池單元組的其他太陽能電池單元位于所述缺陷最多的太陽能電池單元的上方或下方。
7.如權利要求1所述的太陽能電池,其特征在于,
所述太陽能電池單元組包括串聯的第一太陽能電池單元和第二太陽能電池單元,所述第一太陽能電池單元的缺陷比第二太陽能電池單元的缺陷多,所述玻璃襯底上具有透明導電氧化物鍍膜玻璃層;
所述第一太陽能電池單元位于所述玻璃襯底上的所述透明導電氧化物鍍膜玻璃層上,所述第一太陽能電池單元包括:水平方向間隔排列的第一太陽能電池子單元、第二太陽能電池子單元,位于所述第一太陽能電池子單元、第二太陽能電池子單元之間的絕緣層,其中,所述第一太陽能電池子單元、第二太陽能電池子單元包括依次位于所述透明導電氧化物鍍膜玻璃層上的第一型摻雜非晶硅半導體層、本征非晶硅半導體層、第二型摻雜的非晶硅半導體層;
所述第二太陽能電池單元位于所述第一太陽能電池單元上,所述第二太陽能電池單元包括位于所述第二型摻雜非晶硅半導體層上的第一型摻雜微晶硅半導體、本征微晶硅半導體層、第二型摻雜微晶硅半導體層;
所述太陽能電池單元組還包括位于所述第二太陽能電池單元上的電極層,所述電極層通過插塞與鄰近的太陽能電池單元組的透明導電氧化物鍍膜玻璃層電連接。
8.如權利要求1所述的太陽能電池,其特征在于,
所述太陽能電池單元組包括依次串聯的第三太陽能電池單元、第一太陽能電池單元和第二太陽能電池單元,所述第一太陽能電池單元的缺陷最多,所述玻璃襯底上具有透明導電氧化物鍍膜玻璃層;
所述第三太陽能電池單元位于所述玻璃襯底上的所述透明導電氧化物鍍膜玻璃層上,所述第三太陽能電池單元包括依次位于所述透明導電氧化物鍍膜玻璃層上的第一型摻雜微晶硅半導體、本征微晶硅半導體層、第二型摻雜微晶硅半導體層;
所述第一太陽能電池單元位于所述第三太陽能電池單元上,所述第一太陽能電池單元包括:水平方向間隔排列的第一太陽能電池子單元、第二太陽能電池子單元,位于所述第一太陽能電池子單元、第二太陽能電池子單元之間的絕緣層,其中,所述第一太陽能電池子單元、第二太陽能電池子單元包括依次位于所述第二型摻雜微晶硅半導體層上的第一型摻雜非晶硅半導體層、本征非晶硅半導體層、第二型摻雜的非晶硅半導體層;
所述第二太陽能電池單元位于所述第一太陽能電池單元上,所述第二太陽能電池單元包括位于所述第二型摻雜的非晶硅半導體層上的第一型摻雜微晶硅半導體、本征微晶硅半導體層、第二型摻雜的微晶硅半導體層;
所述太陽能電池單元組還包括位于所述第二太陽能電池單元上的電極層,所述電極層通過插塞與鄰近的太陽能電池單元組的透明導電氧化物鍍膜玻璃層電連接。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





