[發明專利]太陽能電池及其制造方法無效
| 申請號: | 201210131169.1 | 申請日: | 2012-04-28 |
| 公開(公告)號: | CN103378106A | 公開(公告)日: | 2013-10-30 |
| 發明(設計)人: | 樓成飛 | 申請(專利權)人: | 杜邦太陽能有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/142 | 分類號: | H01L27/142;H01L31/05;H01L31/18 |
| 代理公司: | 深圳市深佳知識產權代理事務所(普通合伙) 44285 | 代理人: | 唐華明 |
| 地址: | 中國香港新界白石角香港科學園*** | 國省代碼: | 中國香港;81 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 太陽能電池 及其 制造 方法 | ||
技術領域
本發明涉及太陽能電池技術領域,尤其涉及一種太陽能電池及其制造方法。
背景技術
能源是人類社會發展的動力,是國民經濟發展和人民生活水平提高的重要物質基礎。目前廣泛使用的常規能源(主要是煤、石油、天然氣等化石能源)有限,且多年過度的開發利用已造成嚴重的環境問題,制約著經濟和社會的發展。因此,開發可再生能源是關系到國家可持續發展戰略的關鍵問題之一。在各種可再生能源中,太陽能發電技術是近年來太陽能利用領域中發展最快、最前沿的研究領域。
為了提高光電轉換效率,現有技術發展了串疊型太陽能電池,在公開號為CN102282676A的中國專利申請中就公開了一種串疊型太陽能電池,參考圖1,示出了所述中國專利申請中太陽能電池一實施例的示意圖,所述太陽能電池包括依次位于玻璃襯底1上的透明導電氧化物鍍膜玻璃(Transparent?Conducting?Oxide,TCO)3、作為頂部太陽能電池單元的非晶硅太陽能電池單元5、半透明反射層7、作為底部太陽能電池單元的微晶硅太陽能電池單元9。
當圖1箭頭所示的光投射至太陽能電池上時,所述非晶硅太陽能電池單元5和微晶硅太陽能電池單元9分別用于將不同波長的光的能量轉換為電能,從而提高了光電轉換效率。
然而,所述不同材料的太陽能電池單元的串疊容易引起太陽能電池輸出的電流不穩定的問題。
發明內容
本發明的目的是提供一種太陽能電池及其制造方法,以提高太陽能電池輸出電流的穩定性。
為了解決上述問題,本發明提供一種太陽能電池,包括:玻璃襯底;位于所述玻璃襯底上水平方向間隔排列的多個串聯的太陽能電池單元組,所述多個串聯的太陽能電池單元組的結構相同;所述太陽能電池單元組包括多個豎直方向堆疊的太陽能電池單元,多個太陽能電池單元串聯連接,太陽能電池單元組中缺陷最多的太陽能電池單元至少包括兩個并聯的太陽能電池子單元。
可選地,所述太陽能電池單元組包括串聯的第一太陽能電池單元和第二太陽能電池單元,所述第一太陽能電池單元的缺陷比第二太陽能電池單元的缺陷多,所述第一太陽能電池單元至少包括兩個并聯的太陽能電池子單元。
可選地,所述太陽能電池單元組包括依次串聯的第三太陽能電池單元、第一太陽能電池單元和第二太陽能電池單元,所述第一太陽能電池單元的缺陷最多,所述第一太陽能電池單元至少包括兩個并聯的太陽能電池子單元。
可選地,所述第三太陽能電池單元的缺陷比所述第二太陽能電池單元的缺陷多,所述第三太陽能電池單元至少包括兩個并聯的太陽能電池子單元。
可選地,所述第一太陽能電池單元為非晶硅太陽能電池單元,所述第二太陽能電池單元為微晶硅太陽能電池單元。
可選地,所述缺陷最多的太陽能電池單元包括位于所述玻璃襯底上的、水平方向間隔排列的至少兩個太陽能電池子單元,所述太陽能電池單元組的其他太陽能電池單元位于所述缺陷最多的太陽能電池單元的上方或下方。
可選地,所述太陽能電池單元組包括串聯的第一太陽能電池單元和第二太陽能電池單元,所述第一太陽能電池單元的缺陷比第二太陽能電池單元的缺陷多,所述玻璃襯底上具有透明導電氧化物鍍膜玻璃層;所述第一太陽能電池單元位于所述玻璃襯底上的所述透明導電氧化物鍍膜玻璃層上,所述第一太陽能電池單元包括:水平方向間隔排列的第一太陽能電池子單元、第二太陽能電池子單元,位于所述第一太陽能電池子單元、第二太陽能電池子單元之間的絕緣層,其中,所述第一太陽能電池子單元、第二太陽能電池子單元包括依次位于所述透明導電氧化物鍍膜玻璃層上的第一型摻雜非晶硅半導體層、本征非晶硅半導體層、第二型摻雜的非晶硅半導體層;所述第二太陽能電池單元位于所述第一太陽能電池單元上,所述第二太陽能電池單元包括位于所述第二型摻雜非晶硅半導體層上的第一型摻雜微晶硅半導體、本征微晶硅半導體層、第二型摻雜微晶硅半導體層;所述太陽能電池單元組還包括位于所述第二太陽能電池單元上的電極層,所述電極層通過插塞與鄰近的太陽能電池單元組的透明導電氧化物鍍膜玻璃層電連接。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





