[發(fā)明專利]發(fā)光二極體封裝制程及其封裝結(jié)構(gòu)

無效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201210129491.0
• 申請日: 2012-04-28
• 公開（公告）號: CN103378264A
• 公開（公告）日: 2013-10-30
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 彭建忠;洪梓健;沈佳輝
• 申請（專利權(quán)）人: 展晶科技（深圳）有限公司;榮創(chuàng)能源科技股份有限公司
• 主分類號: H01L33/48
• 分類號: H01L33/48;H01L33/62;H01L33/64;H01L27/15
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技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及一種發(fā)光二極體封裝制程及其封裝結(jié)構(gòu)，尤其涉及一種以形成高壓發(fā)光二極體(High?Voltage?Light-Emitting?Diode,?HVLED)芯片的發(fā)光二極體封裝制程及其封裝結(jié)構(gòu)。

背景技術(shù)

LED產(chǎn)業(yè)是近幾年最受矚目的產(chǎn)業(yè)之一，發(fā)展至今，LED產(chǎn)品已具有節(jié)能、省電、高效率、反應(yīng)時(shí)間快、壽命周期時(shí)間長、且不含汞、具有環(huán)保效益等優(yōu)點(diǎn)。然而，由于目前LED照明主要使用低電壓高電流的電路結(jié)構(gòu)，不但需要維持穩(wěn)定電流量的特殊開關(guān)電源控制器，同時(shí)需要交、直流電源轉(zhuǎn)換器以提供較大的壓降，此外還有高電流產(chǎn)生的高熱量散熱問題，造成LED照明燈具仍然有成本高、體積大以及高耗能的使用缺點(diǎn)。有鑒于LED照明燈具使用的缺點(diǎn)，開發(fā)出高壓發(fā)光二極體(HVLED)?光源，所述高壓發(fā)光二極體是在LED芯片的既有面積上，分割形成許多細(xì)小的晶粒，并以制程電性串聯(lián)復(fù)數(shù)個(gè)所述晶粒，以形成發(fā)光二極體模塊。所述發(fā)光二極體模塊可依據(jù)串聯(lián)所述晶粒的數(shù)量與大小，設(shè)計(jì)具有高的正向工作電壓以及低的工作電流，相較于一般發(fā)光二極管在電壓值可以高上幾十倍，而電流則可以減少百倍左右。通過高壓的設(shè)計(jì)在照明燈具使用時(shí)，可以不需要壓降穩(wěn)定電流量的特殊電源控制器及其轉(zhuǎn)換器，另外低電流可以大大降低其發(fā)熱量，從而能有效改善散熱的設(shè)置問題，對于LED照明燈具的成本以及功率消耗均能有效地降低。但是所述高壓發(fā)光二極體的晶粒串聯(lián)結(jié)構(gòu)如何能獲得較佳的電流分布而提升發(fā)光效率，重要在于所述高壓發(fā)光二極體的制程技術(shù)，尤其是在所述細(xì)小晶粒的分割技術(shù)、晶粒間的絕緣技術(shù)以及晶粒間的電性連接技術(shù)。所以高壓發(fā)光二極體的制程中使結(jié)構(gòu)散熱更佳，出光的效率更高，需要持續(xù)進(jìn)行研究改善。

發(fā)明內(nèi)容

有鑒于此，有必要提供一種具有電極基板以及表面粗化的發(fā)光二極體封裝制程及其封裝結(jié)構(gòu)。

一種發(fā)光二極體封裝制程，其包括以下的步驟；

提供一個(gè)LED芯片，在所述LED芯片上以晶粒尺寸蝕刻至N型半導(dǎo)體層，并于所述N型半導(dǎo)體層形成一個(gè)粗糙層，

設(shè)置N、P型電極襯墊，在所述晶粒上形成一個(gè)第一絕緣層，并在電極位置蝕刻所述第一絕緣層以成長所述電極襯墊，

串聯(lián)所述晶粒，電性連接至少二個(gè)所述晶粒并以一個(gè)第二絕緣層覆蓋，所述第二絕緣層的表層形成所述N、P型電極襯墊的一個(gè)外部電極，

提供一個(gè)電極基板，所述電極基板上具有N、P型電極圖案，及

形成高壓LED芯片，以所述電極基板電性連接串聯(lián)的所述晶粒。

一種封裝結(jié)構(gòu)，其包括一個(gè)高壓LED芯片以及一個(gè)電極基板，所述高壓LED芯片設(shè)置于所述電極基板上，所述電極基板具有一個(gè)N型電極以及一個(gè)P型電極，所述高壓LED芯片包括至少二個(gè)晶粒，所述晶粒之間電性連接并具有一個(gè)N型外部電極以及一個(gè)P型外部電極，所述N、P型外部電極與所述N、P型電極電性連接，所述高壓LED芯片具有一個(gè)粗糙層，所述粗糙層位于所述高壓LED芯片的N型半導(dǎo)體上。

上述的發(fā)光二極體封裝制程中，由于提供所述電極基板以電性連接所述高壓LED芯片，所述電極基板有助于所述高壓LED芯片熱量的分散傳導(dǎo)，所述高壓LED芯片的所述N型半導(dǎo)體層表面具有所述粗糙層，所述粗糙層可以提高出光效率，使所述高壓LED芯片的散熱性以及光效能均可達(dá)到最佳化。

附圖說明

圖1是本發(fā)明發(fā)光二極體封裝制程的步驟流程圖。

圖2是對應(yīng)圖1提供一個(gè)LED芯片步驟的剖視圖。

圖3是對應(yīng)圖1設(shè)置N、P型電極襯墊步驟的剖視圖。

圖4是對應(yīng)圖1串聯(lián)所述晶粒步驟的剖視圖。

圖5是對應(yīng)圖1提供一個(gè)電極基板步驟的剖視圖。

圖6是對應(yīng)圖1形成高壓LED芯片步驟的剖視圖。

圖7是本發(fā)明封裝結(jié)構(gòu)的剖視圖。

主要元件符號說明