[發(fā)明專利]發(fā)光二極體封裝制程及其封裝結(jié)構(gòu)

無效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201210129491.0
• 申請日: 2012-04-28
• 公開（公告）號: CN103378264A
• 公開（公告）日: 2013-10-30
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 彭建忠;洪梓健;沈佳輝
• 申請（專利權(quán)）人: 展晶科技（深圳）有限公司;榮創(chuàng)能源科技股份有限公司
• 主分類號: H01L33/48
• 分類號: H01L33/48;H01L33/62;H01L33/64;H01L27/15
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.一種發(fā)光二極體封裝制程，其包括以下的步驟：

提供一個LED芯片，在所述LED芯片上以晶粒尺寸蝕刻至N型半導(dǎo)體層，并于所述N型半導(dǎo)體層形成一個粗糙層，

設(shè)置N、P型電極襯墊，在所述晶粒上形成一個第一絕緣層，并在電極位置蝕刻所述第一絕緣層以成長所述電極襯墊，

串聯(lián)所述晶粒，電性連接至少二個所述晶粒并以一個第二絕緣層覆蓋，所述第二絕緣層的表層形成所述N、P型電極襯墊的一個外部電極，

提供一個電極基板，所述電極基板上具有N、P型電極圖案，及

形成高壓LED芯片，以所述電極基板電性連接串聯(lián)的所述晶粒。

2.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極體封裝制程，其特征在于：所述提供一個LED芯片步驟中，所述N型半導(dǎo)體層設(shè)置在一個基板上，所述N型半導(dǎo)體層內(nèi)具有一個氮化鋁層，通過濕式蝕刻或是干式蝕刻方式在所述LED芯片上以溝槽切割出復(fù)數(shù)個晶粒，所述溝槽的蝕刻深度為到達所述N型半導(dǎo)體層超過所述氮化鋁層但是未到達所述基板。

3.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極體封裝制程，其特征在于：所述提供一個LED芯片步驟中，所述粗糙層是以酸性或堿性溶液于所述溝槽內(nèi)對所述N型半導(dǎo)體層122層進行蝕刻，使所述晶粒的N型半導(dǎo)體層側(cè)面形成所述粗糙層。

4.如權(quán)利要求3所述的發(fā)光二極體封裝制程，其特征在于：所述酸性或堿性溶液可以是氫氧化鉀KOH、硫酸H₂SO₄、鹽酸HCI或是硝酸HNO₃。

5.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極體封裝制程，其特征在于：所述設(shè)置N、P型電極襯墊步驟中，所述第一絕緣層覆蓋所述溝槽以及所述晶粒表面具有的一個導(dǎo)電層，所述導(dǎo)電層為所述P型電極襯墊的電極位置，所述N型電極襯墊的電極位置在所述N型半導(dǎo)體層上，未到達所述氮化鋁層。

6.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極體封裝制程，其特征在于：所述串聯(lián)所述晶粒步驟中，所述晶粒通過相鄰的所述N、P型電極襯墊之間形成的一個電極導(dǎo)線進行串聯(lián)，所述第二絕緣層覆蓋串聯(lián)的所述晶粒包括所述電極導(dǎo)線以及所述第一絕緣層。

7.如權(quán)利要求6所述的發(fā)光二極體封裝制程，其特征在于：所述串聯(lián)的所述晶粒留有單一的所述N、P型電極襯墊，在單一的所述N、P型電極襯墊位置蝕刻移除所述第二絕緣層，以沉積電極方式形成所述外部電極。

8.如權(quán)利要求7所述的發(fā)光二極體封裝制程，其特征在于：所述外部電極的N型外部電極為N型電極襯墊的延伸，所述P型外部電極為所述P型電極襯墊的擴展，擴展的所述P型外部電極覆蓋所述第二絕緣層，但不包括所述N型外部電極以及非串聯(lián)的所述晶粒。

9.如權(quán)利要求6所述的發(fā)光二極體封裝制程，其特征在于：所述第二絕緣層以及所述第一絕緣層的材料為二氧化硅SiO₂或氮化硅SiN。

10.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極體封裝制程，其特征在于：所述提供一個電極基板步驟中，所述N、P型電極圖案是設(shè)置在所述電極基板的一個表面上，所述N、P型電極圖案由復(fù)數(shù)個所述N、P型電極單元組合構(gòu)成，所述N、P型電極單元由一個所述N型電極搭配一個所述P型電極。

11.如權(quán)利要求10所述的發(fā)光二極體封裝制程，其特征在于：所述N、P型電極的材料為金Au、銀Ag、鉻Cr、鎳Ni、銅Cu、類鉆碳Diamond-Like?Carbon、石墨烯Graphene或其合金之復(fù)合材料。

12.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極體封裝制程，其特征在于：所述形成高壓LED芯片步驟中，所述電極基板電性連接串聯(lián)的所述晶粒，是使所述N型電極與所述N型外部電極以及所述P型電極與所述P型外部電極分別一對一的電性連接。

13.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極體封裝制程，其特征在于：所述形成高壓LED芯片步驟中，進一步包括高壓LED芯片表面粗化步驟，是移除所述LED芯片的所述基板，再蝕刻所述N型半導(dǎo)體層的表面形成所述粗糙層。