[發(fā)明專利]讀出放大電路及存儲器

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201210129351.3
• 申請日: 2012-04-27
• 公開（公告）號: CN103377687B
• 公開（公告）日: 2017-04-05
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 周泉;馬慶容;沈曄暉;劉岐;倪成峰;俞惠芬
• 申請（專利權(quán)）人: 上海復(fù)旦微電子集團股份有限公司
• 主分類號: G11C7/06
• 分類號: G11C7/06
• 代理公司: 北京集佳知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司11227
• 代理人: 駱蘇華

1.一種讀出放大電路，其特征在于，包括：

多位存儲單元構(gòu)成的基本物理單元，各位存儲單元對應(yīng)連接于各自的讀出位線；所述基本物理單元經(jīng)由第一選通管選通；

與所述基本物理單元布局相同、由多位基準(zhǔn)單元構(gòu)成的基準(zhǔn)單元組，其中各基準(zhǔn)單元與各位存儲單元一一對應(yīng)，對應(yīng)連接于各自的基準(zhǔn)電壓線，并且與對應(yīng)各位存儲單元的結(jié)構(gòu)完全相同；所述基準(zhǔn)單元組經(jīng)由第二選通管選通；所述第二選通管與第一選通管的結(jié)構(gòu)完全相同；

讀出放大器，連接上述多根讀出位線及基準(zhǔn)電壓線，根據(jù)各讀出位線與其對應(yīng)的基準(zhǔn)電壓線上電壓的比較結(jié)果，輸出相應(yīng)的讀出數(shù)據(jù)。

2.如權(quán)利要求1所述的讀出放大電路，其特征在于，所述基本物理單元包括8位存儲單元；所述基準(zhǔn)單元包括8位基準(zhǔn)單元。

3.如權(quán)利要求1或2所述的讀出放大電路，其特征在于，所述基準(zhǔn)單元包括串聯(lián)的第一選擇管和第一基準(zhǔn)管，所述第一選擇管接收控制信號，所述第二選通管接收控制信號以控制所述第一基準(zhǔn)管的選通，所述第一基準(zhǔn)管接地；所述控制信號有效時，所述第一選擇管和第一基準(zhǔn)管被選通，所述第一選擇管輸出基準(zhǔn)電壓。

4.如權(quán)利要求3所述的讀出放大電路，其特征在于，所述第一選擇管為NMOS管，所述第一基準(zhǔn)管具有控制柵和浮柵層疊的柵極結(jié)構(gòu)，所述第二選通管為NMOS管；所述第一選擇管的柵極接收控制信號，漏極連接基準(zhǔn)電壓線以輸出基準(zhǔn)電壓，源極連接所述第一基準(zhǔn)管的漏極；所述第一基準(zhǔn)管的控制柵連接所述第二選通管的源極，源極通過公共有源區(qū)兩端引出金屬連線接地；所述第二選通管的柵極接收控制信號，漏極接收偏置電壓；在控制信號有效時，所述第二選通管將偏置電壓傳輸至所述第一基準(zhǔn)管的控制柵。

5.如權(quán)利要求1所述的讀出放大電路，其特征在于，多個所述基本物理單元構(gòu)成存儲單元陣列，所述存儲單元陣列包括n行m列個所述基本物理單元，n和m均為自然數(shù)；所述存儲單元陣列中，沿列方向的相鄰兩行所述基本物理單元呈鏡像結(jié)構(gòu)。

6.如權(quán)利要求5所述的讀出放大電路，其特征在于，兩個所述基準(zhǔn)單元組構(gòu)成基準(zhǔn)單元陣列，其中一基準(zhǔn)單元組對應(yīng)偶數(shù)行存儲單元，另一基準(zhǔn)單元組對應(yīng)奇數(shù)行存儲單元。

7.如權(quán)利要求5所述的讀出放大電路，其特征在于，各基本物理單元對應(yīng)接收行選地址信號和列選地址信號，在相應(yīng)行選地址信號有效及相應(yīng)列選地址有效時被選通。

8.如權(quán)利要求6所述的讀出放大電路，其特征在于，所述兩個基準(zhǔn)單元組中，一基準(zhǔn)單元組通過反相器接收最低位行地址信號，另一基準(zhǔn)單元組直接接收最低位行地址信號；所述兩個基準(zhǔn)單元組基于最低位行地址信號擇一選通。

9.如權(quán)利要求7所述的讀出放大電路，其特征在于，各基本物理單元中的各位存儲單元經(jīng)由列向選擇管對應(yīng)接收列向地址選擇信號，在對應(yīng)列向地址選擇信號有效時被選通。

10.如權(quán)利要求8所述的讀出放大電路，其特征在于，各基準(zhǔn)單元組中的各位基準(zhǔn)單元經(jīng)由列向選擇管對應(yīng)接收列向地址選擇信號，在對應(yīng)列向地址選擇信號有效時被選通。

11.如權(quán)利要求7所述的讀出放大電路，其特征在于，各基本物理單元中的各位存儲單元經(jīng)由列向選擇管連接至對應(yīng)的讀出放大器。

12.一種存儲器，其特征在于，包括權(quán)利要求1至11任一項所述的讀出放大電路。

13.如權(quán)利要求12所述的存儲器，其特征在于，所述存儲器為EEPROM。