[發(fā)明專利]超電容的組裝架構(gòu)及制造方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201210128593.0 | 申請日： | 2012-04-27 |
| 公開（公告）號： | CN102760584A | 公開（公告）日： | 2012-10-31 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 汪濂;謝達(dá)理 | 申請（專利權(quán)）人： | 唯電科技股份有限公司 |
| 主分類號： | H01G9/048 | 分類號： | H01G9/048;H01G9/14 |
| 代理公司： | 上海專利商標(biāo)事務(wù)所有限公司 31100 | 代理人： | 胡林嶺 |
| 地址： | 中國臺灣新*** | 國省代碼： | 中國臺灣;71 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 電容 組裝 架構(gòu) 制造 方法 | ||
1.一種超電容的組裝架構(gòu)，該超電容包含：
一第一電極基板，其一表面涂布有一活性物質(zhì)；
一第二電極基板，其一表面涂布有該活性物質(zhì)，該第二電極基板的極性與該第一電極基板的極性相反；以及
一串聯(lián)用電極基板，其一表面涂布有該活性物質(zhì)，該第一電極基板與該第二電極基板堆迭在該串聯(lián)用電極基板上；
其中，在該第一電極基板、該第二電極基板與該串聯(lián)用電極基板的彼此堆迭處的相對表面各設(shè)置呈框狀的一絕緣環(huán)，并在該第一電極基板、該第二電極基板與該串聯(lián)用電極基板的彼此堆迭處的相對表面與該絕緣環(huán)所圍成的空間填充電解液。
2.如權(quán)利要求1所述的超電容的組裝架構(gòu)，其中，在該第一電極基板與該串聯(lián)用電極基板之間與該第二電極基板與該串聯(lián)用電極基板之間各堆迭至少一中間基板，該至少一中間基板的上表面與下表面涂布有該活性物質(zhì)，在該第一電極基板、該至少一中間基板、該第二電極基板及該串聯(lián)用電極基板的彼此堆迭處的相對表面各設(shè)置呈框狀的該絕緣環(huán)，并在該第一電極基板、該至少一中間基板、該第二電極基板及每一串聯(lián)用電極基板的彼此堆迭處的相對表面與該絕緣環(huán)所圍成的空間填充電解液。
3.一種超電容的組裝架構(gòu)，該超電容包含：
一第一電極基板，其一表面涂布有一活性物質(zhì)；
一第二電極基板，其一表面涂布有該活性物質(zhì)，該第二電極基板的極性與該第一電極基板的極性相反；以及
多個串聯(lián)用電極基板，每一串聯(lián)用電極基板的一表面涂布有該活性物質(zhì)，該第一電極基板與該第二電極基板分別堆迭在兩個串聯(lián)用電極基板的部分表面上，每兩個串聯(lián)用電極基板在其部分表面上以兩者的長邊方向?yàn)榇怪狈较蚣?或同方向而堆迭配置；
其中，在該第一電極基板、該第二電極基板與每一串聯(lián)用電極基板的彼此堆迭處的相對表面各設(shè)置呈框狀的一絕緣環(huán)，并在該第一電極基板、該第二電極基板與每一串聯(lián)用電極基板的彼此堆迭處的相對表面與該絕緣環(huán)所圍成的空間填充電解液。
4.如權(quán)利要求3所述的超電容的組裝架構(gòu)，其中，在該第一電極基板與串聯(lián)用電極基板之間、該第二電極基板與串聯(lián)用電極基板之間及彼此堆迭的串聯(lián)用電極基板之間各堆迭至少一中間基板，該至少一中間基板的上表面與下表面涂布有該活性物質(zhì)，在該第一電極基板、該至少一中間基板、該第二電極基板及每一串聯(lián)用電極基板的彼此堆迭處的相對表面各設(shè)置呈框狀的該絕緣環(huán)，并在該第一電極基板、該至少一中間基板、該第二電極基板及每一串聯(lián)用電極基板的彼此堆迭處的相對表面與該絕緣環(huán)所圍成的空間填充電解液。
5.一種超電容的組裝架構(gòu)，該超電容包含：
至少三個電極基板，各表面涂布有一活性物質(zhì)，該至少三個電極基板系串聯(lián)堆迭；其中，該至少三個電極基板的彼此堆迭處的相對表面各設(shè)置呈框狀的一絕緣環(huán)，并在該至少三個電極基板的彼此堆迭處的相對表面與該絕緣環(huán)所圍成的空間填充電解液。
6.如權(quán)利要求5所述的超電容的組裝架構(gòu)，其中，在該至少三個電極基板的相鄰的電極基板之間堆迭至少一中間基板，該至少一中間基板的上表面與下表面涂布有該活性物質(zhì)，在該至少三個電極基板的每一者及該至少一中間基板的彼此堆迭處的相對表面各設(shè)置呈框狀的該絕緣環(huán)，并在該至少三個電極基板的每一者及該至少一中間基板的彼此堆迭處的相對表面與該絕緣環(huán)所圍成的空間填充電解液。
7.一種超電容的組裝架構(gòu)，該超電容包含：
至少一第一電極基板，其表面涂布有一活性物質(zhì)；以及
至少一第二電極基板，其表面涂布有該活性物質(zhì)，該至少一第二電極基板的極性與該至少一第一電極基板的極性相反；
其中，該至少一第一電極基板與該至少一第二電極基板系交錯堆迭，極性相同的數(shù)個第一電極基板或數(shù)個第二電極基板并聯(lián)電連接；
其中，該至少一第一電極基板及該至少一第二電極基板的彼此堆迭處的相對表面各設(shè)置呈框狀的一絕緣環(huán)，并在第一電極基板及第二電極基板的彼此堆迭處的相對表面與該絕緣環(huán)所圍成的空間填充電解液。
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