[發(fā)明專利]通用掩模版及其應(yīng)用

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201210127846.2
• 申請(qǐng)日: 2012-04-27
• 公開（公告）號(hào): CN103376645A
• 公開（公告）日: 2013-10-30
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 宋礦寶
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 無錫華潤華晶微電子有限公司
• 主分類號(hào): G03F1/42
• 分類號(hào): G03F1/42;G03F7/20;G03F9/00
• 代理公司: 中國專利代理(香港)有限公司 72001
• 代理人: 高為;李浩

1.一種至少用于兩種光刻機(jī)的曝光作業(yè)的通用掩模版，包括：

多個(gè)第一掩模版對(duì)位標(biāo)記，以及

多個(gè)第二掩模版對(duì)位標(biāo)記，?

其中，所述第一掩模版用于第一種光刻機(jī)的曝光，所述第二掩模版用于第二種光刻機(jī)的曝光。

2.如權(quán)利要求1所述的通用掩模版，其中，所述第一種光刻機(jī)為ASML步進(jìn)光刻機(jī)。

3.如權(quán)利要求1或2所述的通用掩模版，其中，所述第二種光刻機(jī)為NIKON步進(jìn)光刻機(jī)。

4.如權(quán)利要求3所述的通用掩模版，其中，所述多個(gè)第一掩模版對(duì)位標(biāo)記包括去除掉水平方向上的里面2個(gè)相距96mm的對(duì)位標(biāo)記后的ASML用掩模版的所有剩余的對(duì)位標(biāo)記。

5.如權(quán)利要求4所述的通用掩模版，其中，所述多個(gè)第二掩模版對(duì)位標(biāo)記包括水平方向上相距87mm的兩個(gè)NIKON用掩模版對(duì)位標(biāo)記、下方的NIKON用掩模版對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記，以及劃片槽中的NIKON專用對(duì)位標(biāo)記。

6.兩種光刻機(jī)之間的對(duì)位互套作業(yè)的方法，包括：

在第一種光刻機(jī)上進(jìn)行零次光刻，

在第一種光刻機(jī)上使用如權(quán)利要求1所述的通用掩模版進(jìn)行一次光刻，以及

在第一種或第二種光刻機(jī)上進(jìn)行后續(xù)光刻。

7.如權(quán)利要求6所述的對(duì)位互套作業(yè)的方法，其中，所述第一種光刻機(jī)為ASML步進(jìn)光刻機(jī)。

8.如權(quán)利要求7所述的對(duì)位互套作業(yè)的方法，其中，所述第二種光刻機(jī)為NIKON步進(jìn)光刻機(jī)。

9.如權(quán)利要求8所述的對(duì)位互套作業(yè)的方法，其中，所述后續(xù)光刻還包括兩種光刻機(jī)之間的對(duì)準(zhǔn)匹配步驟。

10.如權(quán)利要求9所述的對(duì)位互套作業(yè)的方法，其中，所述對(duì)準(zhǔn)匹配步驟包括以所述ASML步進(jìn)光刻機(jī)為基準(zhǔn)，修正所述NIKON步進(jìn)光刻機(jī)的預(yù)對(duì)準(zhǔn)機(jī)器常數(shù)。