[發(fā)明專利]通用掩模版及其應(yīng)用

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201210127846.2
• 申請日: 2012-04-27
• 公開（公告）號: CN103376645A
• 公開（公告）日: 2013-10-30
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 宋礦寶
• 申請（專利權(quán)）人: 無錫華潤華晶微電子有限公司
• 主分類號: G03F1/42
• 分類號: G03F1/42;G03F7/20;G03F9/00
• 代理公司: 中國專利代理(香港)有限公司 72001
• 代理人: 高為;李浩

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及半導(dǎo)體技術(shù)，尤其涉及集成電路制造過程中使用的光刻工藝和器件。

背景技術(shù)

光刻是集成電路制造過程中最為重要的工藝之一，在硅片制造工藝中，光刻占所有成本的三分之一左右。通常，光刻次數(shù)以及所需要的掩模的個數(shù)可以表示出集成電路生產(chǎn)工藝的難易程度，一個典型的硅集成電路工藝包括15塊以上的掩模版。

光刻過程中主要采用的設(shè)備包括光刻機，其主要生產(chǎn)廠商包括ASML（阿斯麥）、NIKON（尼康）和CANON（佳能）。其中，ASML步進光刻機和NIKON步進光刻機是兩種主要的半導(dǎo)體曝光設(shè)備。在很多半導(dǎo)體生產(chǎn)商的生產(chǎn)線上既有ASML步進光刻機，也有NIKON步進光刻機。按照現(xiàn)有的技術(shù)，當一個產(chǎn)品在ASML步進光刻機上作業(yè)時需制作一套ASML用掩模版，在NIKON步進光刻機上作業(yè)時還需再制作一套NIKON用掩模版。同時，一個產(chǎn)品只能在一種光刻機上完成整個光刻過程，無法實現(xiàn)ASML步進光刻機與NIKON步進光刻機之間的對位互套。這給生產(chǎn)帶來了不變，不能充分發(fā)揮設(shè)備的效能。

對ASML步進光刻機和NIKON步進光刻機的工作原理和使用技巧的文章可以從很多途徑獲得，其中一些文章專門針對提高設(shè)備使用效率的問題。例如，發(fā)表于2002年9月的《微細加工技術(shù)》雜志上的“Nikon光刻機對準機制和標記系統(tǒng)研究”中就從應(yīng)用角度探討了Nikon系列光刻機的對準方法，說明了眾多對準標記在實際掩模版上的擺放原則，并且特別提到了既可以在I線光刻機上使用，也可以在G線光刻機上使用的掩模版的制作。但是，現(xiàn)有技術(shù)中并沒有給出在兩個不同廠商的光刻機上通用的掩模版。

因此，需要一種新的技術(shù)來解決上述問題，讓一個產(chǎn)品既可以在ASML步進光刻機上作業(yè)，又可以在NIKON步進光刻機上作業(yè)，如果需要的話，可以讓一部分的光刻在ASML步進光刻機上完成，另一部分光刻在NIKON步進光刻機上完成，以充分發(fā)揮配置多種設(shè)備的優(yōu)勢。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明公開了一種至少用于兩種光刻機的曝光作業(yè)的通用掩模版，包括：多個第一掩模版對位標記，以及多個第二掩模版對位標記，?其中，所述第一掩模版用于第一種光刻機的曝光，所述第二掩模版用于第二種光刻機的曝光。

根據(jù)本發(fā)明的一個方面的通用掩模版，其中，所述第一種光刻機為ASML步進光刻機。

根據(jù)本發(fā)明的一個方面的通用掩模版，其中，所述第二種光刻機為NIKON步進光刻機。

根據(jù)本發(fā)明的一個方面的通用掩模版，其中，所述多個第一掩模版對位標記包括去除掉水平方向上的里面2個相距96mm的對位標記后的ASML用掩模版的所有剩余的對位標記。

根據(jù)本發(fā)明的一個方面的通用掩模版，其中，所述多個第二掩模版對位標記包括水平方向上相距87mm的兩個NIKON用掩模版對位標記、下方的NIKON用掩模版對準標記，以及劃片槽中的NIKON專用對位標記。

本發(fā)明還公開了兩種光刻機之間的對位互套作業(yè)的方法，包括：在第一種光刻機上進行零次光刻，在第一種光刻機上使用在第一種光刻機和第二種光刻機上通用的掩模版進行一次光刻，以及在第一種或第二種光刻機上進行后續(xù)光刻。

根據(jù)本發(fā)明的一個方面的對位互套作業(yè)的方法，其中，所述第一種光刻機為ASML步進光刻機。

根據(jù)本發(fā)明的一個方面的對位互套作業(yè)的方法，其中，所述第二種光刻機為NIKON步進光刻機。

根據(jù)本發(fā)明的一個方面的對位互套作業(yè)的方法，其中，所述后續(xù)光刻還包括兩種光刻機之間的對準匹配步驟。

根據(jù)本發(fā)明的一個方面的對位互套作業(yè)的方法，其中，所述對準匹配步驟包括以所述ASML步進光刻機為基準，修正所述NIKON步進光刻機的預(yù)對準機器常數(shù)。

通過使用本發(fā)明，可以實現(xiàn)ASML步進光刻機和NIKON步進光刻機在光刻過程中的充分兼容。

附圖說明

通過閱讀以下詳細說明，并參考附圖，可以對本發(fā)明有一個更全面的了解。附圖中：

圖1示出了ASML用掩模版；

圖2示出了NIKON用掩模版；

圖3示出了根據(jù)本發(fā)明的ASML和NIKON通用的掩模版。

具體實施方式

掩模版上印有預(yù)先設(shè)計好的電路圖案，紫外線透過它照在晶圓上的光刻膠層上就會形成微處理器的電路圖案。在一塊掩模版上，除了所設(shè)計的電路層圖形外，在適當?shù)奈恢脮胖冒鎸蕵擞洝⒐杵謱擞洝⒐杵珜擞洝婷⑻柎a和供自動判別使用的條形碼。