[發明專利]發光二極管封裝結構及其制造方法有效
| 申請號: | 201210127822.7 | 申請日: | 2012-04-27 |
| 公開(公告)號: | CN103378279A | 公開(公告)日: | 2013-10-30 |
| 發明(設計)人: | 陳隆欣;羅杏芬;曾文良 | 申請(專利權)人: | 展晶科技(深圳)有限公司;榮創能源科技股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L33/60 | 分類號: | H01L33/60;H01L33/48;H01L33/00 |
| 代理公司: | 暫無信息 | 代理人: | 暫無信息 |
| 地址: | 518109 廣東省深圳市寶*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 發光二極管 封裝 結構 及其 制造 方法 | ||
1.一種發光二極管封裝結構,包括基板、形成于基板上的電極、固定于基板上并與電極電性連接的發光二極管芯片、形成于基板上的反射杯以及覆蓋發光二極管芯片于基板上的封裝層,其特征在于:所述反射杯的側部形成有一開口,所述封裝層的頂面上形成有反射層,以使發光二極管發出的部分光線經由反射杯和/或反射層反射而從反射杯側部的開口處射出。
2.如權利要求1所述的發光二極管封裝結構,其特征在于:所述基板包括第一側邊、第二側邊、第三側邊和第四側邊,所述反射杯沿該第一側邊、第二側邊和第三側邊形成于基板上,所述開口形成于第四側邊,并與第四側邊平齊。
3.如權利要求1所述的發光二極管封裝結構,其特征在于:所述電極包括相互間隔的第一電極和第二電極,分隔第一電極和第二電極之間的基板形成絕緣層,第一電極和第二電極露出于基板的表面,第一電極和第二電極的露出于基板上表面的面積遠大于絕緣層的寬度,以在基板的表面形成反射面。
4.一種發光二極管封裝結構制造方法,包括以下步驟:
提供一基板,并在基板上形成電極;
在基板上形成反射杯;
將若干發光二極管芯片裝設于反射杯內并與基板的電極電性連接;
在反射杯內形成封裝層;
在封裝層的上部鋪設反射層;及
切割基板使每一反射杯分割成具有相對開口的兩部分。
5.如權利要求4所述的發光二極管封裝結構制造方法,其特征在于:所述在基板上形成電極的步驟是在基板上開設若干通孔,并在通孔中填充金屬材料,該若干通孔包括一組或兩組以上,每組通孔至少包括四個通孔,該四個通孔相鄰兩個之間形成第一間隔區,各組通孔組與組之間形成第二間隔區,第一間隔區的寬度小于第二間隔區的寬度。
6.如權利要求5所述的發光二極管封裝結構制造方法,其特征在于:所述通孔呈工字型。
7.如權利要求5所述的發光二極管封裝結構制造方法,其特征在于:在基板上形成反射杯的步驟是在第二間隔區上形成反射杯,并使每一反射杯環繞每組通孔于反射杯以內。
8.如權利要求5所述的發光二極管封裝結構制造方法,其特征在于:切割基板使每一反射杯分割成具有相對開口的兩部分是在將每組反射杯沿第二間隔區切分后,再對每一反射杯的第一間隔區進行二次切分。
9.如權利要求4所述的發光二極管封裝結構制造方法,其特征在于:在封裝層的上部鋪設反射層的步驟是在所述封裝層的頂面鋪設金屬薄膜,該封裝層的頂面與反射杯的頂面共面,所述反射層自封裝層的頂面延伸至反射杯的頂面。
10.如權利要求9所述的發光二極管封裝結構制造方法,其特征在于:該反射層的厚度在0.03至2微米之間。
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