[發(fā)明專利]發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)的制造方法

無效

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• 申請日: 2012-04-27
• 公開（公告）號: CN103378263A
• 公開（公告）日: 2013-10-30
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 張潔玲;羅杏芬
• 申請（專利權(quán)）人: 展晶科技（深圳）有限公司;榮創(chuàng)能源科技股份有限公司
• 主分類號: H01L33/48
• 分類號: H01L33/48;H01L33/50
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.一種發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)的制造方法，包括以下步驟：

提供一基板；

提供一發(fā)光二極管芯片，設(shè)置該發(fā)光二極管芯片于基板上；

提供一光學(xué)元件，將該光學(xué)元件設(shè)置在該基板上，并覆蓋該發(fā)光二極管芯片；

提供一熒光粉薄膜，將該熒光粉薄膜設(shè)置在該光學(xué)元件上；

提供一具有毛細(xì)孔的載板，將該熒光粉薄膜設(shè)置在該光學(xué)元件上；

提供一模具，該模具與該載板共同形成一收容空間，熒光粉薄膜及基板收容在該收容空間內(nèi)；

通過載板的毛細(xì)孔將收容空間內(nèi)的空氣抽出與/或通過對該熒光粉薄膜吹氣的方式而使該熒光粉薄膜貼附在光學(xué)元件上；

固化該熒光粉薄膜至該光學(xué)元件上。

2.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于：上述將模具內(nèi)的空氣抽出是采用一抽真空裝置對準(zhǔn)載板的方式進(jìn)行。

3.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于：上述對薄膜吹氣是采用一種加壓裝置對熒光粉薄膜施加壓力的方式進(jìn)行。

4.如權(quán)利要求1至3任意一項所述的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于：該模具包括下模及上模，該下模圍設(shè)在該載板周圍，該上模設(shè)置在該下模上，該上模開設(shè)一貫穿孔，該加壓裝置設(shè)置在該貫穿孔處。

5.如權(quán)利要求1至3任意一項所述的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于：先移除模具、加壓裝置/抽真空裝置及載板，然后固化熒光粉薄膜。

6.如權(quán)利要求1至3任意一項所述的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于：先固化熒光粉薄膜，然后移除模具、加壓裝置/抽真空裝置及載板。

7.如權(quán)利要求1至3任意一項所述的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于：所述基板上設(shè)有多個發(fā)光二極管芯片，所述發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)通過切割而得到多個單個的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)。

8.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于：該光學(xué)元件為透鏡，該透鏡的外表面的中央為凹面。

9.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于：該基板開設(shè)若干貫穿基板的孔洞，該光學(xué)元件為透鏡，該透鏡與該基板之間形成一填充空間，沿著該基板的孔洞填充封裝材料到該填充空間內(nèi)，在該透鏡與該基板之間形成包覆該發(fā)光二極管芯片的一封裝層。

10.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于：該光學(xué)元件為封裝層，該熒光粉薄膜貼附在封裝層上。