[發(fā)明專(zhuān)利]晶體管的制作方法、晶體管、陣列基板以及顯示裝置

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201210126730.7
• 申請(qǐng)日: 2012-04-26
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN102683193A
• 公開(kāi)（公告）日: 2012-09-19
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 姜春生
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 京東方科技集團(tuán)股份有限公司
• 主分類(lèi)號(hào): H01L21/28
• 分類(lèi)號(hào): H01L21/28;H01L21/336;H01L29/417;H01L29/423;H01L29/786
• 代理公司: 北京同達(dá)信恒知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11291
• 代理人: 黃志華

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及液晶面板制造技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及晶體管的制作方法、晶體管、陣列基板以及顯示裝置。

背景技術(shù)

氧化物薄膜場(chǎng)效應(yīng)晶體管(Oxide?Thin?Film?Transistor，Oxide?TFT)作為像素區(qū)域的驅(qū)動(dòng)器，在液晶顯示器(Liquid?Crystal?Display，LCD)的背板中用于控制液晶的旋轉(zhuǎn)使得像素區(qū)域產(chǎn)生不同的灰階；在有源矩陣有機(jī)發(fā)光二極體面板(Active?Matrix/Organic?Light?Emitting?Diode，AMOLED)中，用于控制電致發(fā)光層的亮度，使得像素區(qū)域產(chǎn)生不同的灰階。如圖1A至圖1F所示，制作雙底柵OTFT的流程如下：

第一、在基板上沉積一層金屬，一般是鉬金屬，刻蝕后形成包括兩個(gè)相同的柵極金屬層101的雙底柵結(jié)構(gòu)，即Gate層101，如圖1A所示；

第二、在Gate層101上鋪設(shè)一層絕緣材料，形成如圖1B所示的柵極絕緣(Gate?Insulator，GI)層102；

第三、在GI層102上鋪設(shè)銦鎵鋅氧化物(Indium?Gallium?Zinc?Oxide，IGZO)，形成如圖1C所示的IGZO層103，IGZO層可作為OTFT的半導(dǎo)體層；

第四、在IGZO層103上沉積無(wú)機(jī)非金屬材料，刻蝕后形成阻擋層104，如圖1D所示圖形；阻擋層用于防止在后續(xù)刻蝕源極金屬層和漏極金屬層時(shí)破壞IGZO層；

第五、在阻擋層104上沉積一層金屬，刻蝕后分別形成作為源極的源極金屬層106，作為漏極的漏極金屬層105，以及中間金屬層107，如圖1E所示；

第六、在源極金屬層、漏極金屬層以及中間金屬層上沉積PVX，形成絕緣層108，如圖1F所示。

以AMOLED中的雙底柵OTFT為例，OTFT的工作原理如下：

首先，為源極金屬層加上數(shù)字信號(hào)即Data信號(hào)；其次，為柵極金屬層加電壓，當(dāng)電壓大于一定值時(shí)，IGZO層開(kāi)始導(dǎo)通，此時(shí)可在IGZO層中形成載流子。此時(shí)增加在源極金屬層上的數(shù)字信號(hào)就會(huì)通過(guò)載流子傳遞到漏極金屬層上，使得與漏極相連的電致發(fā)光材料發(fā)光；

但本發(fā)明人發(fā)現(xiàn)，使用現(xiàn)有技術(shù)制作的雙底柵結(jié)構(gòu)的OTFT，其在像素區(qū)域所占的面積較大，例如，如果OTFT采用的長(zhǎng)寬比值為：W/L＝18/9，則可得出雙底柵的寬度最小為40μm，這樣對(duì)于像素尺寸為50×200μm的陣列基板的開(kāi)口率的影響較大。開(kāi)口率是指在單元像素內(nèi)，實(shí)際可透光區(qū)的面積與單元像素總面積的比率，顯然開(kāi)口率越高，光透過(guò)率也越高，因此，當(dāng)雙底柵的面積越大則開(kāi)口率越小，光透過(guò)率也越低。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明實(shí)施例提供一種晶體管的制作方法、晶體管、陣列基板以及顯示裝置，用于提高陣列基板的開(kāi)口率。

一種晶體管的制作方法，所述方法包括：

在基板上形成第一源極和漏極金屬層；

在所述第一源極和漏極金屬層上形成絕緣層；所述絕緣層包含第一絕緣區(qū)域和第二絕緣區(qū)域，且所述第一絕緣區(qū)域部分覆蓋所述第一源極和漏極金屬層的一側(cè)；所述第二絕緣區(qū)域部分覆蓋所述第一源極和漏極金屬層的另一側(cè)；

在所述絕緣層上形成柵極金屬層；所述柵極金屬層包含第一柵極區(qū)域和第二柵極區(qū)域，且所述第一柵極區(qū)域覆蓋所述第一絕緣區(qū)域，所述第二柵極區(qū)域覆蓋所述第二絕緣區(qū)域；

在所述柵極金屬層上形成柵極絕緣層；

在所述柵極絕緣層上形成半導(dǎo)體層；所述半導(dǎo)體層的正投影區(qū)域覆蓋所述第一源極和漏極金屬層；

在所述半導(dǎo)體層上形成刻蝕阻擋層；所述刻蝕阻擋層的正投影區(qū)域覆蓋所述第一絕緣區(qū)域與所述第二絕緣區(qū)域之間的空白區(qū)域；

在所述刻蝕阻擋層上形成第二源極和漏極金屬層；所述第二源極和漏極金屬層包括源極區(qū)域和漏極區(qū)域的第二源極和漏極金屬層；所述源極區(qū)域形成的正投影區(qū)域覆蓋所述半導(dǎo)體層與所述第一柵極區(qū)域的重疊部分；所述漏極區(qū)域形成的正投影區(qū)域覆蓋半導(dǎo)體層與第二柵極區(qū)域的重疊部分；

在所述第二源極和漏極金屬層上形成絕緣層。

一種晶體管，所述晶體管包括：

基板以及位于所述基板上的第一源極和漏極金屬層；

部分覆蓋所述第一源極和漏極金屬層一側(cè)的第一絕緣區(qū)域；部分覆蓋所述第一源極和漏極金屬層另一側(cè)的第二絕緣區(qū)域；且所述第一絕緣區(qū)域和所述第二絕緣區(qū)域的其余部分位于所述基板；

覆蓋所述第一絕緣區(qū)域的第一柵極區(qū)域；覆蓋所述第二絕緣區(qū)域的第二柵極區(qū)域；