[發(fā)明專利]晶體管的制作方法、晶體管、陣列基板以及顯示裝置

有效

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• 申請日: 2012-04-26
• 公開（公告）號: CN102683193A
• 公開（公告）日: 2012-09-19
• 發(fā)明（設計）人: 姜春生
• 申請（專利權）人: 京東方科技集團股份有限公司
• 主分類號: H01L21/28
• 分類號: H01L21/28;H01L21/336;H01L29/417;H01L29/423;H01L29/786
• 代理公司: 北京同達信恒知識產權代理有限公司 11291
• 代理人: 黃志華

1.一種晶體管的制作方法，其特征在于，所述方法包括：

在基板上形成第一源極和漏極金屬層；

在所述第一源極和漏極金屬層上形成絕緣層；所述絕緣層包含第一絕緣區(qū)域和第二絕緣區(qū)域，所述第一絕緣區(qū)域和第二絕緣區(qū)域位于相對于第一源極和漏極金屬層中心線相對設置且具有一空白區(qū)域；

在所述絕緣層上形成柵極金屬層；所述柵極金屬層包含第一柵極區(qū)域和第二柵極區(qū)域，且所述第一柵極區(qū)域覆蓋所述第一絕緣區(qū)域，所述第二柵極區(qū)域覆蓋所述第二絕緣區(qū)域；

在所述柵極金屬層上形成柵極絕緣層；

在所述柵極絕緣層上形成半導體層；所述半導體層的正投影區(qū)域覆蓋所述第一源極和漏極金屬層；

在所述半導體層上形成刻蝕阻擋層；所述刻蝕阻擋層的正投影區(qū)域覆蓋所述第一絕緣區(qū)域與所述第二絕緣區(qū)域之間的空白區(qū)域；

在所述刻蝕阻擋層上形成第二源極和漏極金屬層；所述第二源極和漏極金屬層包括源極區(qū)域和漏極區(qū)域的第二源極和漏極金屬層；所述源極區(qū)域形成的正投影區(qū)域覆蓋所述半導體層與所述第一柵極區(qū)域的重疊部分；所述漏極區(qū)域形成的正投影區(qū)域覆蓋半導體層與第二柵極區(qū)域的重疊部分；

在所述第二源極和漏極金屬層上形成絕緣層。

2.如權利要求1所述的方法，其特征在于，還包括，在所述柵極金屬層上形成柵極絕緣層后，將所述空白區(qū)域的柵極絕緣層進行刻蝕。

3.如權利要求1所述的方法，其特征在于，在所述柵極絕緣層上形成半導體層包括：

在所述柵極絕緣層上濺射銦鎵鋅氧化物，刻蝕后形成半導體層。

4.如權利要求1所述的方法，其特征在于，在所述半導體層上形成刻蝕阻擋層包括：

在所述半導體層上濺射無機非金屬材料，刻蝕后形成刻蝕阻擋層。

5.如權利要求1所述的方法，其特征在于，在所述第二源極和漏極金屬層上形成絕緣層包括：

在所述第二源極和漏極金屬層上化學氣相沉積絕緣材料，形成絕緣層。

6.一種晶體管，其特征在于，所述晶體管包括：

基板以及位于所述基板上的第一源極和漏極金屬層；

覆蓋部分所述第一源極和漏極金屬層的第一絕緣區(qū)域和第二絕緣區(qū)域，所述第一絕緣區(qū)域和第二絕緣區(qū)域位于相對于第一源極和漏極金屬層中心線相對設置且具有一空白區(qū)域；

覆蓋所述第一絕緣區(qū)域的第一柵極區(qū)域；覆蓋所述第二絕緣區(qū)域的第二柵極區(qū)域；

覆蓋所述第一柵極區(qū)域、所述第二柵極區(qū)域的柵極絕緣層；

位于所述柵極絕緣層上的半導體層，且所述半導體層的正投影區(qū)域覆蓋所述第一源極和漏極金屬層；

位于所述半導體層上的刻蝕阻擋層，且所述刻蝕阻擋層的正投影區(qū)域覆蓋所述空白區(qū)域；

分別位于所述刻蝕阻擋層上的源極區(qū)域和漏極區(qū)域；所述源極區(qū)域形成的正投影區(qū)域覆蓋所述半導體層與所述第一柵極區(qū)域的重疊部分；所述形成的所述正投影區(qū)域覆蓋所述半導體層與所述第二柵極區(qū)域的重疊部分；

覆蓋所述源極區(qū)域、所述漏極區(qū)域、所述柵極絕緣層以及所述刻蝕阻擋層的絕緣層。

7.根據權利要求6所述的晶體管，其特征在于，所述柵極絕緣層覆蓋所述空白區(qū)域。

8.如權利要求6所述的晶體管，其特征在于，所述第一絕緣區(qū)域與所述第二絕緣區(qū)域在所述第一源極和漏極金屬層上產生的正投影區(qū)域的形狀相同、面積相等。

9.如權利要求6所述的晶體管，其特征在于，所述第一柵極區(qū)域與所述第二柵極區(qū)域在所述基板上產生的正投影區(qū)域的形狀相同、面積相等。

10.如權利要求6所述的晶體管，其特征在于，所述第一柵極區(qū)域與所述第二柵極區(qū)域在所述第一源極和漏極金屬層上形成的正投影區(qū)域的寬度值為0.1微米。

11.一種陣列基板，其特征在于，所述陣列基板包括如權利要求6所述的晶體管。

12.一種顯示裝置，其特征在于，所述顯示裝置包括如權利要求11所述的陣列基板。