[發(fā)明專利]發(fā)光二極管封裝構(gòu)造無效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201210125982.8 | 申請日: | 2012-04-26 |
| 公開(公告)號: | CN102683335A | 公開(公告)日: | 2012-09-19 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 陳盈仲 | 申請(專利權(quán))人: | 日月光半導體制造股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L25/075 | 分類號: | H01L25/075;H01L33/48 |
| 代理公司: | 上海翼勝專利商標事務(wù)所(普通合伙) 31218 | 代理人: | 翟羽 |
| 地址: | 中國臺灣高雄*** | 國省代碼: | 中國臺灣;71 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 發(fā)光二極管 封裝 構(gòu)造 | ||
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及一種發(fā)光二極管封裝構(gòu)造,特別是涉及一種具有下沉結(jié)構(gòu)的發(fā)光二極管封裝構(gòu)造。
背景技術(shù)
發(fā)光二極管(light?emitting?diode,LED)是以半導體材料制成的固態(tài)發(fā)光組件,大多數(shù)使用III族化學元素(鋁(Al)、鎵(Ga)、銦(In))與V族化學元素(氮(N)、磷(P)、砷(As))組成,以外加順向電壓將電子與電洞結(jié)合后,使能量以光的形式釋放;由于不同材料中其兩極體內(nèi)電子、電洞所占的能階不同,兩者間能階的差距稱為能隙(gap),影響結(jié)合后光子的能量而發(fā)出不同波長的光,包含可見光及不可見光。
發(fā)光二極管最大的特點在于:綠色環(huán)保、耗電量小、發(fā)光效率高、使用壽命長、維護成本低、安全可靠、反應(yīng)速度快以及色彩豐富,其照明光源已逐步取代高耗損的傳統(tǒng)燈源,成為新世代照明主流,目前已廣泛應(yīng)用于交通號志與車用照明、消費性電子產(chǎn)品、各種情境燈具以及特殊功能如植物生長領(lǐng)域等。由于發(fā)光二極管是單色光源,因此若要混成白光,則一般需要發(fā)出三原色的單色光(藍、紅、綠)通過數(shù)個發(fā)光二極管芯片多晶封裝(multi-chip?package)或搭配特殊色光的螢光粉將某些單色光激發(fā)轉(zhuǎn)化,以便順利混成白光,其中多晶封裝的好處是可提供優(yōu)越的演色性指數(shù)(color-rendering?index,CRI)、可動態(tài)調(diào)整色溫以及熱源分散在各個芯片上較不容易產(chǎn)生熱點。由于這些優(yōu)點,多晶封裝白光發(fā)光二極管已逐漸取代傳統(tǒng)的單晶封裝。然而,多晶封裝構(gòu)造容易為了減少尺寸,其封裝構(gòu)造內(nèi)部的數(shù)個發(fā)光二極管芯片彼此之間的緊密排列使得部分產(chǎn)生的放射光(例如藍光)被其他的發(fā)光二極管芯片(例如紅光發(fā)光二極管芯片)阻擋或吸收,進而降低某些放射光(藍光)的出光比例,因而可能影響整體出光效率。故,有必要提供一種改良的發(fā)光二極管封裝構(gòu)造,以解決現(xiàn)有技術(shù)所存在的問題。
發(fā)明內(nèi)容
有鑒于此,本發(fā)明提供一種發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu),以解決多晶封裝所導致低出光效率問題。
本發(fā)明一實施例提供一種發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu),其包含:一載板、一第一色光發(fā)光二極管芯片以及數(shù)個第二發(fā)光二極管芯片。所述載板具有一第一芯片承載部及數(shù)個第二芯片承載部。所述第二芯片承載部排列于所述第一芯片承載部周圍,且所述第一芯片承載部具有一下沉結(jié)構(gòu)。所述第一色光發(fā)光二極管芯片設(shè)于所述第一芯片承載部的下沉結(jié)構(gòu)內(nèi),其中所述下沉結(jié)構(gòu)的深度不小于所述第一色光發(fā)光二極管芯片的高度。所述數(shù)個第二發(fā)光二極管芯片分別設(shè)于所述第二芯片承載部上。
再者,本發(fā)明另一實施例提供一種發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu),其包含:一載板、一第一色光發(fā)光二極管芯片、數(shù)個第二發(fā)光二極管芯片、一透光封裝材料以及至少一種螢光粉。所述載板具有一第一芯片承載部及數(shù)個第二芯片承載部,所述第二芯片承載部排列于所述第一芯片承載部周圍,且所述第一芯片承載部具有一下沉結(jié)構(gòu)。所述第一色光發(fā)光二極管芯片具有一朝上的第一出光表面,并設(shè)于所述第一芯片承載部的下沉結(jié)構(gòu)內(nèi),其中所述下沉結(jié)構(gòu)的深度不小于所述第一色光發(fā)光二極管芯片的高度。所述數(shù)個第二發(fā)光二極管芯片各具有一朝上的第二出光表面,且分別設(shè)于所述第二芯片承載部上。所述透光封裝材料包覆所述第一及第二色光發(fā)光二極管芯片;且所述至少一種螢光粉至少位于各所述第二色光發(fā)光二極管芯片朝上的一第二出光表面上方。
為讓本發(fā)明的上述內(nèi)容能更明顯易懂,下文特舉優(yōu)選實施例,幷幷配合所附圖式,作詳細說明如下:
附圖說明
圖1是本發(fā)明一實施例的發(fā)光二極管封裝構(gòu)造的側(cè)剖視圖。圖2是圖1的發(fā)光二極管封裝構(gòu)造的導線架及發(fā)光二極管芯片的俯視圖。
圖3是本發(fā)明另一實施例的導線架及發(fā)光二極管芯片的俯視圖。
圖4是本發(fā)明再一實施例的發(fā)光二極管封裝構(gòu)造的側(cè)剖視圖。
圖5是圖4的發(fā)光二極管封裝構(gòu)造的電路基板及發(fā)光二極管芯片的俯視圖。
具體實施方式
為使本發(fā)明上述目的、特征及優(yōu)點更明顯易懂,下文特舉本發(fā)明較佳實施例,幷配合附圖,做詳細說明如下。再者,本發(fā)明所提到的方向用語,例如「上」、「下」、「左」、「右」、「前」、「后」、「內(nèi)」、「外」、「側(cè)面」等,僅為參考附加圖式的方向。因此,使用的方向用語是用以說明及理解本發(fā)明,而非用以限制本發(fā)明。
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- 同類專利
- 專利分類
H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L25-00 由多個單個半導體或其他固態(tài)器件組成的組裝件
H01L25-03 .所有包含在H01L 27/00至H01L 51/00各組中同一小組內(nèi)的相同類型的器件,例如整流二極管的組裝件
H01L25-16 .包含在H01L 27/00至H01L 51/00各組中兩個或多個不同大組內(nèi)的類型的器件,例如構(gòu)成混合電路的
H01L25-18 .包含在H01L 27/00至H01L 51/00各組中兩個或多個同一大組的不同小組內(nèi)的類型的器件
H01L25-04 ..不具有單獨容器的器件
H01L25-10 ..具有單獨容器的器件





