[發明專利]用于將平面設計轉換為FinFET設計的系統和方法

有效

• 申請號: 201210125911.8
• 申請日: 2012-04-25
• 公開（公告）號: CN102760732A
• 公開（公告）日: 2012-10-31
• 發明（設計）人: 萬幸仁;張智勝;林以唐;謝銘峰;柯亭竹;陳忠賢
• 申請（專利權）人: 臺灣積體電路制造股份有限公司
• 主分類號: H01L27/02
• 分類號: H01L27/02
• 代理公司: 北京德恒律師事務所 11306
• 代理人: 陸鑫;房嶺梅

相關申請的交叉參考

本申請要求于2011年4月29日提交的美國臨時專利申請序列號為61/480,503的優先權，其全部內容結合于此作為參考。

技術領域

本公開內容總的來說涉及集成電路器件的設計和制造，更具體地，涉及用于形成鰭式場效應晶體管(FinFET)器件的系統和方法。

背景技術

在快速發展的半導體制造工業中，互補金屬氧化物半導體(CMOS)FinFET器件越來越多地用于許多邏輯和其他應用，并且集成到各種不同類型的半導體器件中。FinFET器件通常包括具有高縱橫比的半導體鰭，其中，形成晶體管的溝道和源極/漏極區域。在半導體鰭的一部分的側面的上方并沿著半導體鰭的一部分的側面形成柵極。鰭的使用增加了用于相同面積的溝道和源極/漏極區域的表面積。FinFET中增加的表面積產生更快、更可靠且更好控制的半導體晶體管器件，該半導體晶體管器件消耗更少的功率。

最初利用具有限定每個FinFET的邊界的計算機輔助設計(CAD)層的FinFET結構來進行新的先進設計。隨著制造工藝前進到越來越小的技術節點，原來以較大技術節點設計的器件由于按照諸如增加性能和效率以及減小管芯尺寸的方法以較小技術節點進行制造而獲得優勢。類似地，使用平面晶體管設計的器件也可以由于通過使用FinFET進行制造而獲得優勢。然而，由于不同的設計規則應用于平面結構布局和FinFET結構布局，所以手動將器件的多個部分從平面布局轉換為FinFET布局可能與創建新設計類似并且是大量占用資源的工藝。對于已經使用平面晶體管制造的產品，包括變為晶體管層上方的半導體層的轉換將要求創建許多新的光掩模，這大大增加了制造成本。

如此，持續尋求用于自動將平面結構布局轉換為FinFET結構布局的改進方法。

發明內容

為了解決現有技術中所存在的缺陷，根據本發明的一方面，提供了一種生成包括FinFET結構布局的集成電路(IC)設計的方法，所述方法包括：接收用于IC設計的平面結構布局，所述平面結構布局包括多個平面有源區域和多個平面接觸件，每個平面接觸件都與平面有源區域相關聯；限定多個FinFET有源區域，所述多個FinFET有源區域與平面有源區域相對應；確定所述多個FinFET有源區域中的至少一個是否小于對應的平面有源區域；確定所述多個平面接觸件中的至少一個沒有與對應的FinFET有源區域充分接觸；以及創建包括金屬線的金屬層，以將所述多個平面接觸件中的至少一個連接至對應FinFET有源區域的部分。

該方法還包括：將金屬層布局轉印至光掩模。

在該方法中，所述金屬層包括多條金屬線，所述多條金屬線與FinFET溝道寬度方向平行。

在該方法中，與FinFET溝道寬度方向平行的所述多條金屬線具有可變寬度。

在該方法中，所述金屬層還包括一條或多條金屬線，所述一條或多條金屬線與FinFET溝道方向平行。

在該方法中，所述FinFET溝道寬度方向上的所述多條金屬線中的一條或多條與所述FinFET溝道方向上的所述一條或多條金屬線連接。

在該方法中，所述多個平面有源區域中的一個或多個具有T形凸起。

該方法還包括：在多個FinFET偽區域的金屬層中放置金屬線。

在該方法中，所述金屬層還包括金屬線，以將所述多個平面接觸件的剩余部分連接至對應FinFET有源區域的部分。

根據本發明的另一方面，提供了一種生成包括FinFET結構布局的集成電路(IC)設計的方法，所述方法包括：接收用于IC設計的平面結構布局，所述平面結構布局包括多個平面偽區域、多個平面有源區域和多個平面接觸件，每個平面接觸件都對應于平面有源區域；限定多個FinFET有源區域，所述多個FinFET有源區域與平面有源區域相對應，其中，所述多個FinFET有源區域中的至少一個小于對應的平面有源區域，以及其中，所述多個平面接觸件中的至少一個沒有與對應的FinFET有源區域充分接觸；限定多個FinFET偽區域，所述多個FinFET偽區域對應于平面偽區域；創建金屬層，以將所述多個平面接觸件中的至少一個連接至對應的FinFET有源區域；以及在所述FinFET偽區域的金屬層中添加偽金屬線。

該方法還包括：將金屬層布局轉印至光掩模。

在該方法中，所述金屬層包括多條金屬線，所述多條金屬線與FinFET溝道方向平行。

在該方法中，與FinFET溝道方向平行的所述多條金屬線具有可變寬度。