[發明專利]用于將平面設計轉換為FinFET設計的系統和方法

有效

• 申請號: 201210125911.8
• 申請日: 2012-04-25
• 公開（公告）號: CN102760732A
• 公開（公告）日: 2012-10-31
• 發明（設計）人: 萬幸仁;張智勝;林以唐;謝銘峰;柯亭竹;陳忠賢
• 申請（專利權）人: 臺灣積體電路制造股份有限公司
• 主分類號: H01L27/02
• 分類號: H01L27/02
• 代理公司: 北京德恒律師事務所 11306
• 代理人: 陸鑫;房嶺梅

1.一種生成包括FinFET結構布局的集成電路(IC)設計的方法，所述方法包括：

接收用于IC設計的平面結構布局，所述平面結構布局包括多個平面有源區域和多個平面接觸件，每個平面接觸件都與平面有源區域相關聯；

限定多個FinFET有源區域，所述多個FinFET有源區域與平面有源區域相對應；

確定所述多個FinFET有源區域中的至少一個是否小于對應的平面有源區域；

確定所述多個平面接觸件中的至少一個沒有與對應的FinFET有源區域充分接觸；以及

創建包括金屬線的金屬層，以將所述多個平面接觸件中的至少一個連接至對應FinFET有源區域的部分。

2.根據權利要求1所述的方法，還包括：

將金屬層布局轉印至光掩模。

3.根據權利要求1所述的方法，其中，所述金屬層包括多條金屬線，所述多條金屬線與FinFET溝道寬度方向平行。

4.根據權利要求3所述的方法，其中，與FinFET溝道寬度方向平行的所述多條金屬線具有可變寬度。

5.根據權利要求3所述的方法，其中，所述金屬層還包括一條或多條金屬線，所述一條或多條金屬線與FinFET溝道方向平行。

6.根據權利要求5所述的方法，其中，所述FinFET溝道寬度方向上的所述多條金屬線中的一條或多條與所述FinFET溝道方向上的所述一條或多條金屬線連接。

7.根據權利要求1所述的方法，其中，所述多個平面有源區域中的一個或多個具有T形凸起。

8.一種生成包括FinFET結構布局的集成電路(IC)設計的方法，所述方法包括：

接收用于IC設計的平面結構布局，所述平面結構布局包括多個平面偽區域、多個平面有源區域和多個平面接觸件，每個平面接觸件都對應于平面有源區域；

限定多個FinFET有源區域，所述多個FinFET有源區域與平面有源區域相對應，其中，所述多個FinFET有源區域中的至少一個小于對應的平面有源區域，以及其中，所述多個平面接觸件中的至少一個沒有與對應的FinFET有源區域充分接觸；

限定多個FinFET偽區域，所述多個FinFET偽區域對應于平面偽區域；

創建金屬層，以將所述多個平面接觸件中的至少一個連接至對應的FinFET有源區域；以及

在所述FinFET偽區域的金屬層中添加偽金屬線。

9.一種FinFET結構布局，包括：

半導體襯底，包括多個FinFET有源區域；

多個鰭，位于每個FinFET有源區域內；

柵極，具有與所述半導體襯底平行且與每個FinFET有源區域內的多個鰭的長度垂直延伸的柵極長度；以及

多個金屬部件，將所述多個FinFET有源區域的一部分的源極區域或漏極區域連接至多個接觸件，其中，所述多個金屬部件包括與FinFET溝道方向平行的多條金屬線以及與FinFET溝道寬度方向平行的多條金屬線。

10.一種光掩模，包括將多個平面接觸件電連接至對應的FinFET有源區域的金屬層，其中，所述金屬層與FinFET柵極共面。