[發明專利]熱增強型封裝

有效

• 申請號: 201210124148.7
• 申請日: 2007-01-29
• 公開（公告）號: CN102683228A
• 公開（公告）日: 2012-09-19
• 發明（設計）人: 柳程琳;善一明·婁
• 申請（專利權）人: 馬維爾國際貿易有限公司
• 主分類號: H01L21/56
• 分類號: H01L21/56;H01L21/48;H01L21/768;H01L23/31;H01L23/367;H01L23/538
• 代理公司: 北京東方億思知識產權代理有限責任公司 11258
• 代理人: 宋鶴

1.一種制造集成電路封裝的方法，該方法包括：

將管芯的第一表面附接到傳導基板，所述管芯具有至少一個側表面；

在所述管芯的第二表面上形成至少一個管芯連接器，所述第二表面與所述第一表面相對；

連續設置包括單個整體材料的密封材料，以以所述密封材料來包圍所述管芯的至少一個側表面和所述管芯的所述第二表面的一部分；

對所述密封材料的比所述至少一個管芯連接器的表面的區域更大的區域進行平坦化，以暴露所述至少一個管芯連接器的表面，同時所述管芯的所述至少一個側表面和所述管芯的所述第二表面的所述部分保持被封裝；

在平坦化區域上形成至少一條導電跡線，其中，所述至少一條導電跡線的特征在于：第一部分與所述至少一個管芯連接器中的一個電通信，且第二部分與封裝連接器電通信；

在所述平坦化區域上形成絕緣層；以及

在所述絕緣層上形成至少一條第二層導電跡線，其中所述至少一條第二層導電跡線與所述至少一條導電跡線絕緣，并且與所述至少一個管芯連接器電通信，從而形成具有多層布線的集成電路封裝。

2.如權利要求1所述的方法，其中，所述傳導基板包括金屬基板。

3.如權利要求1所述的方法，還包括形成焊料掩模層，所述焊料掩模層被耦合到所述平坦化區域。

4.如權利要求1所述的方法，其中，所述密封材料包括電介質材料。

5.如權利要求5所述的方法，其中，所述電介質材料包括環氧樹脂。

6.如權利要求1所述的方法，其中，對所述密封材料的區域進行平坦化包括對所述密封材料的暴露部分進行磨削。

7.如權利要求1所述的方法，其中，所述封裝連接器包括焊料球。

8.一種熱增強型集成電路封裝，包括：

傳導基板；

管芯附接材料，該管芯附接材料被形成在所述傳導基板上；

管芯，該管芯具有第一表面、至少一個側表面和與所述第一表面相對的第二表面，其中，所述第一表面相鄰于所述管芯附接材料；

在所述管芯的所述第二表面上的至少一個管芯連接器；

密封層，該密封層包括單個整體材料，該單個整體材料被連續地設置為包圍所述管芯的所述至少一個側表面并且位于所述管芯的所述第二表面的至少一部分之上；

形成在所述密封層上的布線層，所述布線層包括至少一條導電跡線，其中，所述至少一條導電跡線的特征在于：第一部分與所述至少一個管芯連接器中的一個電通信，且第二部分與封裝連接器電通信；

所述布線層之上的絕緣層；以及

所述絕緣層上的第二層布線層，其中所述第二層布線層包括與所述至少一條導電跡線絕緣并且與至少一個管芯連接器電通信的至少一條第二層導電跡線。

9.如權利要求8所述的熱增強型集成電路封裝，其中，所述密封層從所述管芯的所述第二表面跨越到所述布線層。

10.如權利要求8所述的熱增強型集成電路封裝，還包括：

第一過孔，該第一過孔從所述布線層通到所述傳導基板，其中，所述第一過孔適于與第一電壓電勢電通信；

第二過孔，該第二過孔從所述布線層通到所述傳導基板，其中，所述第二過孔適于與第二電壓電勢電通信；以及

鍍覆層，該鍍覆層適于接收焊料并且被耦合到所述布線層。

11.如權利要求10所述的熱增強型集成電路封裝，還包括電容器，該電容器被耦合到所述傳導基板，其中，所述電容器的第一端子與所述第一過孔電通信，且所述電容器的第二端子與所述第二過孔電通信。

12.如權利要求8所述的熱增強型集成電路封裝，其中，所述傳導基板包括銅基板。

13.如權利要求8所述的熱增強型集成電路封裝，其中，所述至少一個管芯連接器是從由銅凸塊和金凸塊組成的組中選擇的。

14.如權利要求8所述的熱增強型集成電路封裝，其中，所述密封材料包括電介質材料。