[發明專利]有機發光顯示裝置及其制造方法

有效

• 申請號: 201210122945.1
• 申請日: 2012-04-24
• 公開（公告）號: CN102931211B
• 公開（公告）日: 2017-03-01
• 發明（設計）人: 李海衍;吳真坤;崔宰凡;李俊雨
• 申請（專利權）人: 三星顯示有限公司
• 主分類號: H01L27/32
• 分類號: H01L27/32;H01L21/77
• 代理公司: 北京英賽嘉華知識產權代理有限責任公司11204
• 代理人: 余朦,劉錚

相關專利申請的交叉引用

本申請要求于2011年8月10日在韓國知識產權局提交的第10-2011-0079716號韓國專利申請的權益，該申請的全部公開內容通過引用并入本文。

技術領域

各實施方式涉及有機發光顯示裝置及其制造方法，更具體的，涉及用于減少配線區的寄生電容的有機發光顯示裝置，以及制造該有機發光顯示裝置的方法。

背景技術

諸如有機發光顯示裝置或液晶顯示裝置的平板顯示裝置包括薄膜晶體管(TFT)、電容器以及連接TFT和電容器的配線。

通過在襯底上形成TFT、電容器以及配線的微小圖案來制造平板顯示裝置，其中主要通過利用使用掩模轉移微小圖案的光刻工序在襯底上形成微小圖案。

發明內容

根據一方面，提供了一種有機發光顯示裝置，其包括：薄膜晶體管，設置在襯底上，并且包括有源層、柵電極、源電極和漏電極、插置于所述有源層與所述柵電極之間的第一絕緣層、以及插置于所述源電極和所述漏電極與所述柵電極之間的第二絕緣層；像素電極，設置在所述第二絕緣層上；第一線，設置在所述第一絕緣層上，并且由與所述柵電極相同的材料形成；第二線，設置在所述第二絕緣層上以便與所述第一線至少部分重疊，所述第二線包括由與所述像素電極相同的材料形成的下部配線層，以及設置在所述下部配線層并且由與所述源電極和所述漏電極相同的材料形成的上部配線層；第三絕緣層，設置在所述第二絕緣層與所述像素電極之間和所述第二絕緣層與所述第二線之間；第四絕緣層，覆蓋所述源電極和所述漏電極以及所述上部電極，并且暴露所述像素電極；中間層，設置在所述像素電極上，并且包括有機發光層；以及對電極，設置在所述中間層上。

所述第一絕緣層可以公共地設置在所述有源層之上和所述第一線之下。

所述像素電極和所述第三絕緣層可具有相同的蝕刻表面。

所述第二線和所述第三絕緣層可具有相同的蝕刻表面。

第三絕緣層可包括具有與所述第二絕緣層不同的蝕刻速率的材料。

所述第三絕緣層可包括SiN_x、SiO₂、ZrO₂、TiO₂、Ta₂O₅以及Al₂O₃中的至少一種。

所述源電極的材料、所述漏電極的材料以及所述上部配線層的材料可具有與所述像素電極和所述下部配線層不同的蝕刻速率。

所述像素電極可通過設置在所述像素電極上方的一個連接器與所述源電極和所述漏電極之一電連接。

所述有機發光顯示裝置還可包括電容器，所述電容器包括：下部電極和上部電極，所述下部電極設置在與所述柵電極相同的層上，所述上部電極包括由與所述像素電極相同的材料形成的下部傳導層，以及設置在所述下部傳導層上并且由與所述源電極和所述漏電極相同的材料形成的上部傳導層，其中所述第三絕緣層也直接設置在所述下部電極與所述上部電極之間。

所述第一絕緣層可公共地設置在所述有源層之上和所述下部電極之下。

所述第二絕緣層可未設置在所述上部電極與所述下部電極之間。

所述上部電極和所述第三絕緣層可具有相同的蝕刻表面。

所述第三絕緣層的厚度可小于所述第二絕緣層的厚度。

所述第三絕緣層的介電常數可高于所述第一絕緣層的介電常數。

所述第一線可以是與所述柵電極電連接的掃描線，而所述第二線可以是與所述源電極和所述漏電極之一電連接的數據線。

所述第一線可以是與所述下部電極電連接的電源線，而所述第二線可以是與所述源電極和所述漏電極之一電連接的數據線。

所述第一線可以是與所述柵電極電連接的掃描線，而所述第二線可以是與所述上部電極電連接的電源線。

所述像素電極可以是光透射電極，而所述對電極可以是光反射電極。

所述像素電極和所述第二線的下部配線層可包括透明導電氧化物(TCO)，其中所述透明導電氧化物包括氧化銦錫(ITO)、氧化銦鋅(IZO)、氧化鋅(ZnO)、氧化銦(In₂O₃)、氧化鎵銦(IGO)以及氧化鋅鋁(AZO)中的至少一種。

所述像素電極可以是光反射電極，而所述對電極可以是光透射電極。

所述像素電極和所述第二線的下部配線層可以包括半透射金屬層和透明導電氧化物(TCO)，其中所述半透射金屬層包括選自由銀(Ag)、鋁(Al)、及其合金所組成的組中的至少一種。