[發明專利]有機發光顯示裝置及其制造方法

有效

• 申請號: 201210122945.1
• 申請日: 2012-04-24
• 公開（公告）號: CN102931211B
• 公開（公告）日: 2017-03-01
• 發明（設計）人: 李海衍;吳真坤;崔宰凡;李俊雨
• 申請（專利權）人: 三星顯示有限公司
• 主分類號: H01L27/32
• 分類號: H01L27/32;H01L21/77
• 代理公司: 北京英賽嘉華知識產權代理有限責任公司11204
• 代理人: 余朦,劉錚

1.一種有機發光顯示裝置，包括：

薄膜晶體管，設置在襯底上，并且包括有源層、柵電極、源電極和漏電極、插置于所述有源層與所述柵電極之間的第一絕緣層、以及插置于所述源電極和所述漏電極與所述柵電極之間的第二絕緣層；

像素電極，設置在所述第二絕緣層上；

第一線，設置在所述第一絕緣層上，并且由與所述柵電極相同的材料形成；

第二線，設置在所述第二絕緣層上以與所述第一線至少部分重疊，所述第二線包括由與所述像素電極相同的材料形成的下部配線層，以及設置在所述下部配線層上并且由與所述源電極和所述漏電極相同的材料形成的上部配線層；

第三絕緣層，設置在所述第二絕緣層與所述像素電極之間和所述第二絕緣層與所述第二線之間；

第四絕緣層，覆蓋所述源電極和所述漏電極以及所述上部配線層，并且暴露所述像素電極；

中間層，設置在所述像素電極上，并且包括有機發光層；以及

對電極，設置在所述中間層上。

2.如權利要求1所述的有機發光顯示裝置，其中所述第一絕緣層公共地設置在所述有源層之上和所述第一線之下。

3.如權利要求1所述的有機發光顯示裝置，其中所述像素電極和所述第三絕緣層具有相同的蝕刻表面。

4.如權利要求1所述的有機發光顯示裝置，其中所述第二線和所述第三絕緣層具有相同的蝕刻表面。

5.如權利要求1所述的有機發光顯示裝置，其中所述第三絕緣層包括SiN_x、SiO₂、ZrO₂、TiO₂、Ta₂O₅以及Al₂O₃中的至少一種。

6.如權利要求1所述的有機發光顯示裝置，其中所述第三絕緣層包括具有與所述第二絕緣層不同的蝕刻速率的材料。

7.如權利要求1所述的有機發光顯示裝置，其中所述源電極的材料、所述漏電極的材料以及所述上部配線層的材料具有與所述像素電極以及所述下部配線層不同的蝕刻速率。

8.如權利要求1所述的有機發光顯示裝置，其中所述像素電極通過設置在所述像素電極上方的一個連接器與所述源電極和所述漏電極之一電連接。

9.如權利要求1所述的有機發光顯示裝置，還包括電容器，所述電容器包括下部電極和上部電極，所述下部電極設置在與所述柵電極相同的層上，所述上部電極包括由與所述像素電極相同的材料形成的下部傳導層，以及設置在所述下部傳導層上并且由與所述源電極和所述漏電極相同的材料形成的上部傳導層，

其中所述第三絕緣層也直接設置在所述下部電極與所述上部電極之間。

10.如權利要求9所述的有機發光顯示裝置，其中所述第一絕緣層公共地設置在所述有源層之上和所述下部電極之下。

11.如權利要求9所述的有機發光顯示裝置，其中所述第二絕緣層未設置在所述上部電極與所述下部電極之間。

12.如權利要求9所述的有機發光顯示裝置，其中所述上部電極和所述第三絕緣層具有相同的蝕刻表面。

13.如權利要求9所述的有機發光顯示裝置，其中所述第三絕緣層的厚度小于所述第二絕緣層的厚度。

14.如權利要求9所述的有機發光顯示裝置，其中所述第三絕緣層的介電常數高于所述第一絕緣層的介電常數。

15.如權利要求1所述的有機發光顯示裝置，其中所述第一線是與所述柵電極電連接的掃描線，而所述第二線是與所述源電極和所述漏電極之一電連接的數據線。

16.如權利要求9所述的有機發光顯示裝置，其中所述第一線是與所述下部電極電連接的電源線，而所述第二線是與所述源電極和所述漏電極之一電連接的數據線。

17.如權利要求9所述的有機發光顯示裝置，其中所述第一線是與所述柵電極電連接的掃描線，而所述第二線是與所述上部電極電連接的電源線。

18.如權利要求1所述的有機發光顯示裝置，其中所述像素電極是光透射電極，而所述對電極是光反射電極。