[發明專利]發光器件有效
| 申請號: | 201210122749.4 | 申請日: | 2012-04-24 |
| 公開(公告)號: | CN103066172B | 公開(公告)日: | 2017-04-12 |
| 發明(設計)人: | 黃盛珉 | 申請(專利權)人: | LG伊諾特有限公司 |
| 主分類號: | H01L25/075 | 分類號: | H01L25/075;H01L27/15;H01L33/38 |
| 代理公司: | 北京集佳知識產權代理有限公司11227 | 代理人: | 蔡勝有,董文國 |
| 地址: | 韓國*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 發光 器件 | ||
1.一種發光器件,包括:
發光結構,所述發光結構包括:第一區,所述第一區包括摻雜有第一摻雜劑的第一半導體層、摻雜有第二摻雜劑的第二半導體層、以及設置在所述第一半導體層與所述第二半導體層之間的第一有源層;以及第二區,所述第二區包括摻雜有所述第一摻雜劑并且包括暴露出的區域的第三半導體層、設置在除了所述暴露出的區域之外的所述第三半導體層上的并且摻雜有所述第二摻雜劑的第四半導體層、以及設置在所述第三半導體層與所述第四半導體層之間的第二有源層,所述第二區設置在所述第一半導體上并且設置有形成為從所述第四半導體層至所述第一半導體層并且彼此分離的第一溝槽和第二溝槽;
第一電極,所述第一電極包括設置在通過所述第一溝槽和所述第二溝槽暴露出的所述第一半導體層上的第一電極焊盤和第二電極焊盤;
第二電極,所述第二電極設置在所述第三半導體層的所述暴露出的區域上和形成在所述暴露出的區域處的孔上,并且設置在所述第二半導體層上且電連接至所述第二半導體層和所述第三半導體層;以及
第三電極,所述第三電極設置在所述第四半導體上并且包括與所述第一電極焊盤和所述第二電極焊盤接觸的第三電極焊盤、與所述第一電極焊盤接觸的第四電極焊盤、以及與所述第二電極焊盤接觸的第五電極焊盤。
2.根據權利要求1所述的發光器件,還包括:設置在所述第一電極焊盤至所述第五電極焊盤之間以電連接所述第一電極和所述第三電極的導電連接構件。
3.根據權利要求2所述的發光器件,其中所述導電連接構件與所述第一溝槽和所述第二溝槽的內表面分離開。
4.根據權利要求2所述的發光器件,還包括:設置在所述第一溝槽和所述第二溝槽的內表面上的絕緣構件,
其中所述導電連接構件設置在所述絕緣構件的側表面上。
5.根據權利要求1所述的發光器件,其中所述第三電極焊盤的尺寸大于所述第四電極焊盤和所述第五電極焊盤中的至少之一的尺寸。
6.根據權利要求1所述的發光器件,其中所述第三電極焊盤設置在與所述第四電極焊盤和所述第五電極焊盤中的一個相同的虛線上,或布置在與所述第四電極焊盤和所述第五電極焊盤中的至少之一不同的虛線上。
7.根據權利要求1所述的發光器件,其中所述第一電極包括第六電極焊盤和從所述第六電極焊盤延伸的至少一個指狀電極。
8.根據權利要求7所述的發光器件,其中所述至少一個指狀電極設置為與所述第三電極焊盤鄰接。
9.根據權利要求7所述的發光器件,其中:
所述至少一個指狀電極包括從所述第六電極焊盤延伸的第一指狀電極和第二指狀電極;以及
所述第一指狀電極與所述第二指狀電極沿著彼此交叉的方向延伸,或者沿著彼此平行的方向延伸。
10.根據權利要求9所述的發光器件,其中:
所述第一電極和所述第三電極具有L形;以及
所述第一電極與所述第三電極之間的距離大于所述第四電極焊盤與所述第一指狀電極之間的距離或者所述第五電極焊盤與所述第二指狀電極之間的距離。
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