[發明專利]一種TFT陣列基板及其制造方法和液晶顯示器

有效

• 申請號: 201210122560.5
• 申請日: 2012-04-24
• 公開（公告）號: CN102683341A
• 公開（公告）日: 2012-09-19
• 發明（設計）人: 孔祥春;孫雙;曹占峰
• 申請（專利權）人: 京東方科技集團股份有限公司
• 主分類號: H01L27/02
• 分類號: H01L27/02;H01L29/786;G02F1/1368;H01L21/77
• 代理公司: 北京中博世達專利商標代理有限公司 11274
• 代理人: 申健

技術領域

本發明涉及液晶面板制造領域，尤其涉及一種TFT陣列基板及其制造方法和液晶顯示器。

背景技術

薄膜晶體管液晶顯示器(Thin?Film?Transistor?Liquid?Crystal?Display，簡稱TFT-LCD)具有體積小、功耗低、無輻射等特點，在當前的平板顯示器市場占了主導地位。

現有技術中TFT-LCD的結構由陣列基板、彩膜基板以及充滿兩基板之間的液晶組成。其中陣列結構和彩膜結構分別在兩張不同的玻璃基板上形成。陣列基板包括柵線、數據線、薄膜晶體管和像素電極，一般采用四次構圖工藝來完成TFT的制作。彩膜基板包括黑矩陣、彩色光刻膠、保護層和透明導電層，也需要四次構圖工藝完成彩膜結構的制作，該構圖工藝包括了光刻膠的涂敷、掩膜、曝光與剝離的過程，每次構圖工藝都需要使用掩膜板，而掩膜板價格昂貴。完成TFT-LCD結構的制作共需要至少八次構圖工藝，制造步驟較多，生產成本較高。

發明內容

本發明的實施例提供一種TFT陣列基板及其制造方法和液晶顯示器，能夠減少TFT-LCD的制造步驟，降低生產成本。

為達到上述目的，本發明的實施例采用如下技術方案：

一方面，提供一種TFT陣列基板，包括：

基板；

所述基板上形成有柵極、柵線和遮光條；

所述柵極上依次形成有柵絕緣層、半導體有源層、源極、漏極及溝道結構；所述柵絕緣層與所述半導體有源層相接觸；

所述源極、所述漏極和所述柵極上方形成有鈍化層；

所述柵絕緣層上方形成有像素電極及位于所述像素電極上方的帶有至少一種原色濾光層；所述像素電極與所述漏極電連接。

一方面，提供一種液晶顯示器，包括上述任一所述的TFT陣列基板。

一方面，提供一種TFT陣列基板的制造方法，包括：

在基板上沉積金屬層，通過第一次構圖工藝處理得到柵極、柵線和遮光條；

在所述柵極、柵線和遮光條上連續沉積柵絕緣層、半導體有源層、源漏極金屬層，通過第二次構圖工藝處理得到數據線、源極、漏極及溝道結構；

在所述基板上沉積鈍化層，通過第三次構圖工藝處理露出所述漏極；

在所述鈍化層上沉積透明導電薄膜層，通過構圖工藝處理得到像素電極及位于所述像素電極上的帶有至少一種原色濾光層，其中，所述像素電極與所述漏極電連接。

本發明實施例提供的一種TFT陣列基板及其制造方法和液晶顯示器，包括：基板；所述基板上形成有柵極、柵線和遮光條；所述柵極上依次形成有柵絕緣層、半導體有源層、源極、漏極及溝道結構；所述柵絕緣層與所述半導體有源層相接觸；所述源極、所述漏極和所述柵極上方形成有鈍化層；所述柵絕緣層上方形成有像素電極及位于所述像素電極上方的帶有至少一種原色濾光層；所述像素電極與所述漏極電連接。這樣一來，制造上述TFT陣列基板時，通過構圖工藝處理得到位于像素電極上的帶有至少一種原色濾光層的同時得到像素電極，相對于現有技術，減少了TFT-LCD制造過程中掩膜板使用的次數，因此減少了TFT-LCD的制造步驟，降低了生產成本。

附圖說明

為了更清楚地說明本發明實施例或現有技術中的技術方案，下面將對實施例或現有技術描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本發明的一些實施例，對于本領域普通技術人員來講，在不付出創造性勞動的前提下，還可以根據這些附圖獲得其他的附圖。

圖1為本發明實施例提供的一種TFT陣列基板的制造方法流程圖；

圖2為本發明實施例提供的TFT陣列基板的制造方法中第一次構圖工藝完成后結構示意圖；

圖3為本發明實施例提供的TFT陣列基板的制造方法中第二次構圖工藝完成后結構示意圖；

圖4為本發明實施例提供的TFT陣列基板的制造方法中第三次構圖工藝完成后結構示意圖；

圖5為本發明實施例提供另一種TFT陣列基板的制造方法中第三次構圖工藝完成后結構示意圖；

圖6為本發明實施例提供的通過構圖工藝處理得到帶有原色濾光層及像素電極的流程圖；

圖7為本發明實施例提供的TFT陣列基板的制造方法中第四次構圖工藝完成后結構示意圖；

圖8為本發明實施例提供的TFT陣列基板的制造方法中第六次構圖工藝完成后結構示意圖；

圖9為本發明實施例提供的另一種通過構圖工藝處理得到帶有原色濾光層及像素電極的流程圖；