[發(fā)明專利]一種TFT陣列基板及其制造方法和液晶顯示器

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201210122560.5
• 申請日: 2012-04-24
• 公開（公告）號: CN102683341A
• 公開（公告）日: 2012-09-19
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 孔祥春;孫雙;曹占峰
• 申請（專利權(quán)）人: 京東方科技集團(tuán)股份有限公司
• 主分類號: H01L27/02
• 分類號: H01L27/02;H01L29/786;G02F1/1368;H01L21/77
• 代理公司: 北京中博世達(dá)專利商標(biāo)代理有限公司 11274
• 代理人: 申健

1.一種TFT陣列基板，其特征在于，包括：

基板；

所述基板上形成有柵極、柵線和遮光條；

所述柵極上依次形成有柵絕緣層、半導(dǎo)體有源層、源極、漏極及溝道結(jié)構(gòu)；所述柵絕緣層與所述半導(dǎo)體有源層相接觸；

所述源極、所述漏極和所述柵極上方形成有鈍化層；

所述柵絕緣層上方形成有像素電極及位于所述像素電極上方的至少一種原色濾光層；所述像素電極與所述漏極電連接。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的TFT陣列基板，其特征在于，

所述帶有原色濾光層由原色光刻膠制成。

3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的TFT陣列基板，其特征在于，

所述帶有原色濾光層上方形成有黑矩陣。

4.一種液晶顯示器，其特征在于，包括權(quán)利要求1至3任一所述的TFT陣列基板。

5.一種用于制造如權(quán)利要求1所述的TFT陣列基板的方法，其特征在于，包括：

在基板上沉積金屬層，通過第一次構(gòu)圖工藝處理得到柵極、柵線和遮光條；

在所述柵極、柵線和遮光條上連續(xù)沉積柵絕緣層、半導(dǎo)體有源層、源漏極金屬層，通過第二次構(gòu)圖工藝處理得到數(shù)據(jù)線、源極、漏極及溝道結(jié)構(gòu)；

在所述基板上沉積鈍化層，通過第三次構(gòu)圖工藝處理露出所述漏極；

在所述鈍化層上沉積透明導(dǎo)電薄膜層，通過構(gòu)圖工藝處理得到像素電極及位于所述像素電極上的原色濾光層，其中，所述像素電極與所述漏極電連接。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的TFT陣列基板制造方法，其特征在于，通過構(gòu)圖工藝處理得到像素電極及位于所述像素電極上的帶有至少一種原色濾光層包括：

在所述透明導(dǎo)電薄膜層上，沉積原色光刻膠；

通過半色調(diào)或灰色掩膜板對所述光刻膠進(jìn)行曝光，形成非曝光區(qū)、部分曝光區(qū)和完全曝光區(qū)，其中，所述非曝光區(qū)對應(yīng)所述透明導(dǎo)電薄膜層上帶有所述原色濾光層預(yù)設(shè)位置，所述部分曝光區(qū)域?qū)?yīng)所述透明導(dǎo)電薄膜層上帶有非所述原色濾光層預(yù)設(shè)位置，所述完全曝光區(qū)域?qū)?yīng)除所述部分曝光區(qū)和非曝光區(qū)外的其他區(qū)域；

顯影后，對位于所述完全曝光區(qū)的透明導(dǎo)電薄膜層進(jìn)行刻蝕，得到像素電極；

對位于所述部分曝光區(qū)的光刻膠進(jìn)行灰化處理，保留位于所述非曝光區(qū)的帶有所述原色光刻膠。

7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的TFT陣列基板制造方法，其特征在于，通過構(gòu)圖工藝處理得到像素電極及位于所述像素電極上的原色濾光層包括：

在所述透明導(dǎo)電薄膜層上，沉積第一原色光刻膠；

通過構(gòu)圖工藝對所述帶有第一原色光刻膠進(jìn)行曝光、顯影、烘烤處理，形成第一原色濾光層；所述帶有第一原色濾光層位于所述透明導(dǎo)電薄膜層上所述帶有第一原色濾光層預(yù)設(shè)位置；

重復(fù)上述對原色光刻膠的沉積、曝光、顯影、烘烤處理，形成帶有第n原色濾光層；所述n為正整數(shù)；所述帶有第n原色濾光層位于所述透明導(dǎo)電薄膜層上所述帶有第n原色濾光層預(yù)設(shè)位置；

將暴露在所述帶有原色濾光層間的透明導(dǎo)電薄膜層刻蝕形成像素電極。

8.根據(jù)權(quán)利要求5至7所述任一TFT陣列基板制造方法，其特征在于，還包括：

在所述帶有原色濾光層上沉積遮光性材料，通過構(gòu)圖工藝處理得到黑矩陣。