[發(fā)明專利]具有微構造的外延結構體有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201210122533.8 | 申請日： | 2012-04-25 |
| 公開（公告）號： | CN103378236B | 公開（公告）日： | 2017-04-05 |
| 發(fā)明（設計）人： | 魏洋;范守善 | 申請（專利權）人： | 清華大學;鴻富錦精密工業(yè)（深圳）有限公司 |
| 主分類號： | H01L33/02 | 分類號： | H01L33/02;H01L33/12 |
| 代理公司： | 暫無信息 | 代理人： | 暫無信息 |
| 地址： | 100084 北京市海淀區(qū)清*** | 國省代碼： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 具有 構造 外延 結構 | ||
1.一種具有微構造的外延結構體，其特征在于，其包括一外延層及一石墨烯層，所述外延層一表面具有多個凹槽及多個凸起以形成一圖案化表面，所述石墨烯層為具有多個開口，所述石墨烯層設置于該外延層的圖案化的表面，并嵌入該外延層的多個凹槽中，所述外延層的多個凸起由所述石墨烯層的多個開口露出。
2.如權利要求1所述的具有微構造的外延結構體，其特征在于，所述石墨烯層由石墨烯材料構成。
3.如權利要求1所述的具有微構造的外延結構體，其特征在于，所述石墨烯層由分散的石墨烯粉末或至少一石墨烯薄膜構成。
4.如權利要求1所述的具有微構造的外延結構體，其特征在于，所述石墨烯層的厚度為1納米~100微米。
5.如權利要求1所述的具有微構造的外延結構體，其特征在于，所述石墨烯層的厚度為一個碳原子厚度。
6.如權利要求1所述的具有微構造的外延結構體，其特征在于，所述開口的尺寸為10納米~120微米。
7.如權利要求1所述的具有微構造的外延結構體，其特征在于，所述外延層為一半導體外延層、金屬外延層或合金外延層。
8.如權利要求1所述的具有微構造的外延結構體，其特征在于，所述基底為一單晶結構體，且所述基底的材料為GaAs、GaN、Si、SOI、AlN、SiC、MgO、ZnO、LiGaO2、LiAlO2或Al2O3。
9.一種具有微構造的外延結構體，其特征在于，其包括層疊設置的一外延層及一具有多個開口的圖案化的單層石墨烯薄膜，外延層的部分滲透所述石墨烯層的多個開口露出，所述開口的尺寸為10納米~120微米，所述圖案化的單層石墨烯薄膜的占空比為1:4~4:1。
10.如權利要求9所述的具有微構造的外延結構體，其特征在于，所述多個開口的形狀為圓形、方形、三角形、菱形或矩形。
11.如權利要求9所述的具有微構造的外延結構體，其特征在于，所述圖案化的單層石墨烯薄膜為多個間隔設置的圖案，且相鄰兩個圖案之間形成所述多個開口。
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