[發(fā)明專利]晶圓檢測(cè)裝置及檢測(cè)方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201210122425.0
• 申請(qǐng)日: 2012-04-24
• 公開（公告）號(hào): CN102637616A
• 公開（公告）日: 2012-08-15
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 馬松
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 上海宏力半導(dǎo)體制造有限公司
• 主分類號(hào): H01L21/66
• 分類號(hào): H01L21/66
• 代理公司: 北京集佳知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11227
• 代理人: 駱蘇華

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及半導(dǎo)體檢測(cè)技術(shù)，特別涉及一種能調(diào)整墨滴尺寸的晶圓檢測(cè)裝置及檢測(cè)方法。

背景技術(shù)

在半導(dǎo)體工藝中，隨著晶圓尺寸的增大及元器件尺寸的縮小，一片晶圓可依需要?jiǎng)澐譃閿?shù)千個(gè)相同或不同的晶粒。由于工藝設(shè)計(jì)、制造及材料本身的特性，最終完成的晶圓通常含有部分缺陷晶粒。因此，在半導(dǎo)體制作工藝的后端工藝中，通常還會(huì)利用測(cè)試機(jī)臺(tái)來測(cè)試晶圓上的每一個(gè)晶粒，以確保出廠的每一個(gè)晶粒的電氣特性與效能符合設(shè)計(jì)規(guī)格。在測(cè)試的過程中，如果發(fā)現(xiàn)缺陷晶粒則需要標(biāo)記。

現(xiàn)有技術(shù)中對(duì)缺陷晶粒進(jìn)行標(biāo)記的方法主要有三種，包括用墨水噴涂在缺陷晶粒上、用電子槍或激光使缺陷晶粒產(chǎn)生刻痕、或用計(jì)算機(jī)記錄整片晶圓上正常晶粒及缺陷晶粒的位置從而獲得晶圓缺陷圖表。利用電子槍或激光生成的標(biāo)記不容易有肉眼直接判斷，只能依靠機(jī)器來辨別，應(yīng)用范圍較窄，成本較高。而利用計(jì)算機(jī)記錄整片晶圓上正常晶粒及缺陷晶粒的位置時(shí)，由于不同晶圓具有不同的晶圓缺陷圖表，計(jì)算機(jī)內(nèi)存儲(chǔ)的晶圓缺陷圖表可能無法準(zhǔn)確地對(duì)應(yīng)于實(shí)際晶圓，且計(jì)算機(jī)內(nèi)存儲(chǔ)的晶圓缺陷圖表可能遺失或損壞(因計(jì)算機(jī)操作不當(dāng)或人為疏忽)。因此，雖然利用墨水噴涂在缺陷晶粒進(jìn)行標(biāo)記的方法已使用了較長(zhǎng)的時(shí)間，但仍有很多半導(dǎo)體廠商利用墨水噴涂在缺陷晶粒進(jìn)行標(biāo)記。

但是由于晶粒的尺寸很小，噴涂在所述缺陷晶粒表面的墨滴的尺寸也很小，測(cè)試機(jī)臺(tái)中較細(xì)的噴墨口不容易控制墨滴的大小，且即使是同一瓶的墨-水中墨水的粘稠度也會(huì)有差異，通入噴墨頭的墨水中可能還存在氣泡，可能使得某段時(shí)間噴墨頭噴出的墨滴的尺寸過大或過小，當(dāng)墨滴過小時(shí)，測(cè)試機(jī)臺(tái)和肉眼都不容易分辨缺陷晶粒，當(dāng)墨滴過大時(shí)，墨水會(huì)覆蓋在缺陷晶粒周圍的正常晶粒的表面，使得所述正常晶粒報(bào)廢。

在現(xiàn)有技術(shù)中，當(dāng)測(cè)試員發(fā)現(xiàn)噴涂在所述缺陷晶粒表面的墨滴的尺寸過大或過小時(shí)，只能停止晶圓測(cè)試工藝，將正在檢測(cè)的晶圓從測(cè)試機(jī)臺(tái)中取出，并在測(cè)試機(jī)臺(tái)中放置一塊報(bào)廢的晶圓，讓測(cè)試機(jī)臺(tái)在報(bào)廢的晶圓上進(jìn)行噴墨，直到噴出的墨滴尺寸恢復(fù)正常，符合一定的規(guī)格后，再將報(bào)廢的晶圓從測(cè)試機(jī)臺(tái)中取出，將正在檢測(cè)的晶圓重新放入測(cè)試機(jī)臺(tái)繼續(xù)檢測(cè)。但利用所述方法不僅需要人工操作，且晶圓從測(cè)試機(jī)臺(tái)拿進(jìn)拿出會(huì)使得墨滴大小調(diào)整的時(shí)間變長(zhǎng)，從而使得整個(gè)晶圓的測(cè)試時(shí)間變長(zhǎng)。

更多關(guān)于利用墨水進(jìn)行標(biāo)記的技術(shù)請(qǐng)參考公開號(hào)為CN101197350A的中國(guó)專利文獻(xiàn)。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明解決的問題是提供一種能調(diào)整標(biāo)記墨滴的尺寸的晶圓檢測(cè)裝置及檢測(cè)方法。

為解決上述問題，本發(fā)明技術(shù)方案提供了一種晶圓檢測(cè)裝置，包括：

承片臺(tái)，用于承載晶圓；

晶圓檢測(cè)單元，用于檢測(cè)晶圓中的缺陷晶粒；

噴墨單元，根據(jù)測(cè)試結(jié)果在晶圓中缺陷晶粒的表面噴涂上墨滴；

墨滴調(diào)整單元，用于調(diào)整噴墨單元噴涂出的墨滴的尺寸，當(dāng)噴涂在缺陷晶粒表面的墨滴尺寸不符合規(guī)格時(shí)，將噴墨單元在所述墨滴調(diào)整單元上噴涂墨滴，直到噴涂在所述墨滴調(diào)整單元表面的墨滴的尺寸調(diào)整到符合規(guī)格時(shí)，再將噴墨單元移回晶圓的上方或?qū)⒕A移回噴墨單元的下方，使噴墨單元重新根據(jù)測(cè)試結(jié)果在晶圓中缺陷晶粒的表面噴涂上墨滴；

墨滴檢測(cè)單元，用于檢測(cè)墨滴調(diào)整單元表面墨滴的尺寸是否符合規(guī)格。

可選的，所述墨滴調(diào)整單元為金屬基板、半導(dǎo)體基板或陶瓷基板。

可選的，在所述金屬基板、半導(dǎo)體基板、陶瓷基板表面還粘貼有一層金屬箔膠帶。

可選的，還包括：與所述承片臺(tái)和墨滴調(diào)整單元相連接的傳動(dòng)單元，利用所述傳動(dòng)單元移動(dòng)所述承片臺(tái)和墨滴調(diào)整單元。

可選的，還包括：與所述噴墨單元相連接的傳動(dòng)單元，利用所述傳動(dòng)單元移動(dòng)所述噴墨單元。

可選的，當(dāng)噴墨單元在晶圓表面噴涂墨滴時(shí)，噴墨單元與晶圓之間的間距為第一間距，當(dāng)噴墨單元在墨滴調(diào)整單元表面噴涂墨滴時(shí)，噴墨單元與墨滴調(diào)整單元之間的間距為第二間距，所述第一間距和第二間距相等。

可選的，所述墨滴檢測(cè)單元包括攝像頭和顯示器，所述攝像頭位于晶圓檢測(cè)裝置內(nèi)用于拍攝噴涂于墨滴調(diào)整單元或晶圓表面的墨滴，所述顯示器用于顯示攝像頭拍攝的墨滴，用戶根據(jù)顯示器上顯示的墨滴判斷墨滴尺寸是否符合規(guī)格。

可選的，所述墨滴檢測(cè)單元包括攝像頭和墨滴尺寸檢測(cè)模塊，所述攝像頭位于晶圓檢測(cè)裝置內(nèi)用于拍攝噴涂于墨滴調(diào)整單元或晶圓表面的墨滴，所述墨滴尺寸檢測(cè)模塊利用攝像頭拍攝到的墨滴判斷墨滴尺寸是否符合規(guī)格。

可選的，所述墨滴檢測(cè)單元還檢測(cè)晶圓表面墨滴的尺寸。