[發(fā)明專利]晶圓檢測(cè)裝置及檢測(cè)方法有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201210122425.0 | 申請(qǐng)日: | 2012-04-24 |
| 公開(公告)號(hào): | CN102637616A | 公開(公告)日: | 2012-08-15 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 馬松 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 上海宏力半導(dǎo)體制造有限公司 |
| 主分類號(hào): | H01L21/66 | 分類號(hào): | H01L21/66 |
| 代理公司: | 北京集佳知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11227 | 代理人: | 駱蘇華 |
| 地址: | 201203 上海市浦東新*** | 國省代碼: | 上海;31 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 檢測(cè) 裝置 方法 | ||
1.一種晶圓檢測(cè)裝置,其特征在于,包括:
承片臺(tái),用于承載晶圓;
晶圓檢測(cè)單元,用于檢測(cè)晶圓中的缺陷晶粒;
噴墨單元,根據(jù)測(cè)試結(jié)果在晶圓中缺陷晶粒的表面噴涂上墨滴;
墨滴調(diào)整單元,用于調(diào)整噴墨單元噴涂出的墨滴的尺寸,當(dāng)噴涂在缺陷晶粒表面的墨滴尺寸不符合規(guī)格時(shí),將噴墨單元在所述墨滴調(diào)整單元上噴涂墨滴,直到噴涂在所述墨滴調(diào)整單元表面的墨滴的尺寸調(diào)整到符合規(guī)格時(shí),再將噴墨單元移回晶圓的上方或?qū)⒕A移回噴墨單元的下方,使噴墨單元重新根據(jù)測(cè)試結(jié)果在晶圓中缺陷晶粒的表面噴涂上墨滴;
墨滴檢測(cè)單元,用于檢測(cè)墨滴調(diào)整單元表面墨滴的尺寸是否符合規(guī)格。
2.如權(quán)利要求1所述的晶圓檢測(cè)裝置,其特征在于,所述墨滴調(diào)整單元為金屬基板、半導(dǎo)體基板或陶瓷基板。
3.如權(quán)利要求2所述的晶圓檢測(cè)裝置,其特征在于,在所述金屬基板、半導(dǎo)體基板、陶瓷基板表面還粘貼有一層金屬箔膠帶。
4.如權(quán)利要求1所述的晶圓檢測(cè)裝置,其特征在于,還包括:與所述承片臺(tái)和墨滴調(diào)整單元相連接的傳動(dòng)單元,利用所述傳動(dòng)單元移動(dòng)所述承片臺(tái)和墨滴調(diào)整單元。
5.如權(quán)利要求1所述的晶圓檢測(cè)裝置,其特征在于,還包括:與所述噴墨單元相連接的傳動(dòng)單元,利用所述傳動(dòng)單元移動(dòng)所述噴墨單元。
6.如權(quán)利要求1所述的晶圓檢測(cè)裝置,其特征在于,當(dāng)噴墨單元在晶圓表面噴涂墨滴時(shí),噴墨單元與晶圓之間的間距為第一間距,當(dāng)噴墨單元在墨滴調(diào)整單元表面噴涂墨滴時(shí),噴墨單元與墨滴調(diào)整單元之間的間距為第二間距,所述第一間距和第二間距相等。
7.如權(quán)利要求1所述的晶圓檢測(cè)裝置,其特征在于,所述墨滴檢測(cè)單元包括攝像頭和顯示器,所述攝像頭位于晶圓檢測(cè)裝置內(nèi)用于拍攝噴涂于墨滴調(diào)整單元或晶圓表面的墨滴,所述顯示器用于顯示攝像頭拍攝的墨滴,用戶根據(jù)顯示器上顯示的墨滴判斷墨滴尺寸是否符合規(guī)格。
8.如權(quán)利要求1所述的晶圓檢測(cè)裝置,其特征在于,所述墨滴檢測(cè)單元包括攝像頭和墨滴尺寸檢測(cè)模塊,所述攝像頭位于晶圓檢測(cè)裝置內(nèi)用于拍攝噴涂于墨滴調(diào)整單元或晶圓表面的墨滴,所述墨滴尺寸檢測(cè)模塊利用攝像頭拍攝到的墨滴判斷墨滴尺寸是否符合規(guī)格。
9.如權(quán)利要求7或8所述的晶圓檢測(cè)裝置,其特征在于,所述墨滴檢測(cè)單元還檢測(cè)晶圓表面墨滴的尺寸。
10.如權(quán)利要求9所述的晶圓檢測(cè)裝置,其特征在于,所述墨滴檢測(cè)單元的攝像頭數(shù)量為一個(gè)或兩個(gè),當(dāng)攝像頭數(shù)量為一個(gè)時(shí),所述攝像頭同時(shí)拍攝晶圓表面和墨滴調(diào)整單元表面的墨滴,或者通過轉(zhuǎn)動(dòng)或移動(dòng)所述攝像頭使得攝像頭能拍攝到晶圓表面或墨滴調(diào)整單元表面的墨滴;當(dāng)攝像頭數(shù)量為兩個(gè)時(shí),所述兩個(gè)攝像頭其中一個(gè)拍攝晶圓表面的墨滴,另一個(gè)拍攝墨滴調(diào)整單元表面的墨滴。
11.如權(quán)利要求1所述的晶圓檢測(cè)裝置,其特征在于,還包括報(bào)警單元,當(dāng)墨滴檢測(cè)單元檢測(cè)到墨滴的尺寸不符合規(guī)格時(shí),報(bào)警單元發(fā)出警報(bào)。
12.如權(quán)利要求1所述的晶圓檢測(cè)裝置,其特征在于,所述晶圓檢測(cè)單元包括具有若干探針的探針卡及晶圓檢測(cè)軟件,晶圓檢測(cè)裝置依次將所述探針與晶圓的每一個(gè)晶粒中的測(cè)試觸點(diǎn)相接觸,并利用所述晶圓檢測(cè)軟件對(duì)晶圓上的晶粒進(jìn)行檢測(cè)。
13.一種采用如權(quán)利要求1至12任意一項(xiàng)所述的晶圓檢測(cè)裝置的檢測(cè)方法,其特征在于,包括:
利用晶圓檢測(cè)單元對(duì)承片臺(tái)上的晶圓進(jìn)行測(cè)試;
根據(jù)測(cè)試結(jié)果,噴墨單元在晶圓中缺陷晶粒的表面噴涂上墨滴;
利用墨滴檢測(cè)單元檢測(cè)墨滴的尺寸;
當(dāng)墨滴檢測(cè)單元檢測(cè)到墨滴的尺寸不符合規(guī)格時(shí),將噴墨單元在所述墨滴調(diào)整單元上噴涂墨滴,并利用墨滴檢測(cè)單元進(jìn)行檢測(cè),直到噴涂在所述墨滴調(diào)整單元表面的墨滴的尺寸調(diào)整到符合規(guī)格;
當(dāng)噴涂在所述墨滴調(diào)整單元表面的墨滴的尺寸調(diào)整到符合規(guī)格后,再將噴墨單元移回晶圓上方或?qū)⒕A移回噴墨單元下方,重新利用探針卡對(duì)承片臺(tái)上的晶圓進(jìn)行測(cè)試,根據(jù)測(cè)試結(jié)果,噴墨單元重新在晶圓中缺陷晶粒的表面噴涂上墨滴。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個(gè)器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測(cè)試或測(cè)量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個(gè)固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造
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