[發(fā)明專利]測(cè)試裝置及對(duì)應(yīng)的測(cè)試方法在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201210122338.5 | 申請(qǐng)日: | 2012-04-24 |
| 公開(公告)號(hào): | CN102638263A | 公開(公告)日: | 2012-08-15 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 索鑫 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 上海宏力半導(dǎo)體制造有限公司 |
| 主分類號(hào): | H03M1/10 | 分類號(hào): | H03M1/10 |
| 代理公司: | 北京集佳知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11227 | 代理人: | 駱蘇華 |
| 地址: | 201203 上海市浦東新*** | 國(guó)省代碼: | 上海;31 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 測(cè)試 裝置 對(duì)應(yīng) 方法 | ||
1.一種測(cè)試裝置,其特征在于,包括:
信號(hào)輸入裝置、存儲(chǔ)器測(cè)試裝置、D/A轉(zhuǎn)換器、A/D轉(zhuǎn)換器、測(cè)試單元,所述存儲(chǔ)器測(cè)試裝置包括第一存儲(chǔ)器單元和第二存儲(chǔ)器單元,所述D/A轉(zhuǎn)換器、A/D轉(zhuǎn)換器其中一個(gè)為標(biāo)準(zhǔn)轉(zhuǎn)換器,另一個(gè)為待測(cè)試轉(zhuǎn)換器;
所述信號(hào)輸入裝置用于產(chǎn)生數(shù)字向量,并將所述數(shù)字向量存儲(chǔ)到存儲(chǔ)器測(cè)試裝置中的第一存儲(chǔ)器單元中;
所述存儲(chǔ)器測(cè)試裝置將所述第一存儲(chǔ)器單元中的數(shù)字向量通過(guò)D/A轉(zhuǎn)換器轉(zhuǎn)換為模擬信號(hào),并將所述模擬信號(hào)發(fā)送給A/D轉(zhuǎn)換器;
所述A/D轉(zhuǎn)換器將所述模擬信號(hào)轉(zhuǎn)換成數(shù)字信號(hào),并存儲(chǔ)在所述存儲(chǔ)器測(cè)試裝置的第二存儲(chǔ)器單元中;
所述測(cè)試單元對(duì)第二存儲(chǔ)器單元中的數(shù)字信號(hào)進(jìn)行處理測(cè)試出待測(cè)試轉(zhuǎn)換器的性能參數(shù),將所述待測(cè)試轉(zhuǎn)換器的性能參數(shù)與標(biāo)準(zhǔn)的測(cè)量參數(shù)進(jìn)行比較,判斷待測(cè)試轉(zhuǎn)換器是否符合技術(shù)要求。
2.如權(quán)利要求1所述的測(cè)試裝置,其特征在于,當(dāng)所述D/A轉(zhuǎn)換器為標(biāo)準(zhǔn)轉(zhuǎn)換器,所述A/D轉(zhuǎn)換器為待測(cè)試轉(zhuǎn)換器,所述D/A轉(zhuǎn)換器的精度高于所述A/D轉(zhuǎn)換器的精度。
3.如權(quán)利要求1所述的測(cè)試裝置,其特征在于,當(dāng)所述A/D轉(zhuǎn)換器為標(biāo)準(zhǔn)轉(zhuǎn)換器,所述D/A轉(zhuǎn)換器為待測(cè)試轉(zhuǎn)換器,所述A/D轉(zhuǎn)換器的精度高于所述D/A轉(zhuǎn)換器的精度。
4.如權(quán)利要求1所述的測(cè)試裝置,其特征在于,還包括:位于所述D/A轉(zhuǎn)換器、A/D轉(zhuǎn)換器之間的低通濾波器,將所述D/A轉(zhuǎn)換器轉(zhuǎn)換后的模擬信號(hào)進(jìn)行濾波。
5.如權(quán)利要求1所述的測(cè)試裝置,其特征在于,還包括:位于所述D/A轉(zhuǎn)換器、A/D轉(zhuǎn)換器之間的運(yùn)算放大電路,提高D/A轉(zhuǎn)換器的增益。
6.如權(quán)利要求1所述的測(cè)試裝置,其特征在于,所述信號(hào)輸入裝置為任意波形產(chǎn)生器,所述任意波形產(chǎn)生器包括信號(hào)圖形產(chǎn)生模塊和直接數(shù)字頻率合成模塊。
7.如權(quán)利要求6所述的測(cè)試裝置,其特征在于,所述信號(hào)輸入裝置還包括信號(hào)格式轉(zhuǎn)換模塊,用于將直接數(shù)字頻率合成模塊產(chǎn)生的數(shù)字信號(hào)的格式轉(zhuǎn)換成存儲(chǔ)器測(cè)試裝置內(nèi)部的數(shù)據(jù)格式。
8.如權(quán)利要求1所述的測(cè)試裝置,其特征在于,所述存儲(chǔ)器測(cè)試裝置為卡羅斯存儲(chǔ)器測(cè)試裝置。
9.如權(quán)利要求1所述的測(cè)試裝置,其特征在于,所述性能參數(shù)包括靜態(tài)性能參數(shù)和動(dòng)態(tài)性能參數(shù),當(dāng)所述靜態(tài)性能參數(shù)和動(dòng)態(tài)性能參數(shù)滿足技術(shù)要求,表明所述待測(cè)試轉(zhuǎn)換器符合技術(shù)要求;當(dāng)所述靜態(tài)性能參數(shù)或動(dòng)態(tài)性能參數(shù)不滿足技術(shù)要求,表明所述待測(cè)試轉(zhuǎn)換器不符合技術(shù)要求。
10.如權(quán)利要求9所述的測(cè)試裝置,其特征在于,所述動(dòng)態(tài)性能參數(shù)包括信號(hào)-噪聲比,信號(hào)-噪聲加失真,總諧波失真,以及無(wú)雜散動(dòng)態(tài)范圍。
11.如權(quán)利要求10所述的測(cè)試裝置,其特征在于,當(dāng)待測(cè)試轉(zhuǎn)換器為12位,所述待測(cè)試轉(zhuǎn)換器的信號(hào)-噪聲比,信號(hào)-噪聲加失真比的標(biāo)準(zhǔn)的測(cè)量參數(shù)范圍為大于60dB,所述總諧波失真的標(biāo)準(zhǔn)的測(cè)量參數(shù)范圍為小于等于-70dB,所述無(wú)雜散動(dòng)態(tài)范圍的標(biāo)準(zhǔn)的測(cè)量參數(shù)范圍為大于等于55dB。
12.如權(quán)利要求9所述的測(cè)試裝置,其特征在于,所述靜態(tài)性能參數(shù)包括積分非線性誤差、微分非線性誤差、失調(diào)誤差、增益誤差。
13.如權(quán)利要求12所述的測(cè)試裝置,其特征在于,當(dāng)待檢測(cè)轉(zhuǎn)換器為12位,所述待測(cè)試轉(zhuǎn)換器的積分非線性誤差、微分非線性誤差的標(biāo)準(zhǔn)的測(cè)量參數(shù)范圍為小于等于1LSB,所述增益誤差、失調(diào)誤差的標(biāo)準(zhǔn)的測(cè)量參數(shù)范圍為小于等于2mV。
14.一種采用如權(quán)利要求1所述的測(cè)試裝置的測(cè)試方法,其特征在于,包括:
利用信號(hào)輸入裝置產(chǎn)生數(shù)字向量,并將所述數(shù)字向量存儲(chǔ)到存儲(chǔ)器測(cè)試裝置中的第一存儲(chǔ)器單元中;
將所述第一存儲(chǔ)器單元中的數(shù)字向量通過(guò)所述D/A轉(zhuǎn)換器轉(zhuǎn)換為模擬信號(hào),并將所述模擬信號(hào)發(fā)送給A/D轉(zhuǎn)換器;
利用所述A/D轉(zhuǎn)換器將所述模擬信號(hào)轉(zhuǎn)換成數(shù)字信號(hào),并存儲(chǔ)在所述存儲(chǔ)器測(cè)試裝置的第二存儲(chǔ)器單元中;
利用所述測(cè)試單元對(duì)第二存儲(chǔ)器單元中的數(shù)字信息進(jìn)行處理測(cè)試出器件待測(cè)試轉(zhuǎn)換器的性能參數(shù),將所述待測(cè)試轉(zhuǎn)換器的性能參數(shù)與標(biāo)準(zhǔn)的測(cè)量參數(shù)進(jìn)行比較,判斷待測(cè)試轉(zhuǎn)換器是否符合技術(shù)要求。
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息,商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于上海宏力半導(dǎo)體制造有限公司,未經(jīng)上海宏力半導(dǎo)體制造有限公司許可,擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購(gòu)買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作,請(qǐng)聯(lián)系【客服】
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