[發(fā)明專利]基板載具及其硒化制程系統(tǒng)無效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201210121515.8 | 申請日: | 2012-04-24 |
| 公開(公告)號: | CN103311164A | 公開(公告)日: | 2013-09-18 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 李適維;林清儒;鍾青源;林明弘;黃偉民;邱振海 | 申請(專利權(quán))人: | 綠陽光電股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/673 | 分類號: | H01L21/673;H01L31/18 |
| 代理公司: | 深圳新創(chuàng)友知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 44223 | 代理人: | 江耀純 |
| 地址: | 中國臺*** | 國省代碼: | 中國臺灣;71 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 基板載具 及其 硒化制程 系統(tǒng) | ||
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及一種基板載具及其硒化制程系統(tǒng),特別涉及一種具有耐熱金屬架體且在其上形成有保護層的基板載具及其硒化制程系統(tǒng)。
背景技術(shù)
一般來說,在銅銦鎵硒(CIGS)太陽能電池的量產(chǎn)制程上,常見用來形成銅銦鎵硒/銅銦鎵硒硫(CIGSS)吸收層的方法有二,一種為四元蒸鍍法,另一種則是為硒化法。
在硒化法中,用來運載太陽能電池的背電極基板至硒化爐中的基板載具通常由石英或陶瓷所組成,借此,基板載具就可以同時具有抗高溫及抗特定氣體(如硫氣體等)反應(yīng)腐蝕的特性。然而,由于石英與陶瓷價格昂貴且質(zhì)脆易碎,因此,使用基板載具由石英或陶瓷所組成的設(shè)計不僅會提高太陽能電池在整體制程上所需的物料成本,同時也會容易出現(xiàn)基板載具在運載背電極基板的過程中因與其它制程組件相撞而產(chǎn)生結(jié)構(gòu)碎裂的問題,進而影響太陽能電池的制程效能及造成不必要的損失。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明提供一種基板載具,用來運載多個背電極基板至一爐腔內(nèi),每一背電極基板上形成有一前趨物層,所述爐腔用來提供一制程氣體以與所述前趨物層反應(yīng)形成一光電轉(zhuǎn)換層在每一背電極基板上,所述基板載具包括一耐熱金屬架體及一第一保護層。所述耐熱金屬架體具有多個承載槽,所述多個承載槽用來承載所述多個背電極基板。所述第一保護層形成在所述耐熱金屬架體上,用來防止所述耐熱金屬架體發(fā)生化學反應(yīng)。
所述第一保護層可以是一氧化層、一氮化層,或一硒化層。
所述耐熱金屬架體可以在對應(yīng)所述第一保護層之間形成有一第二保護層,且所述第二保護層可以由鉬、鈦、鉭,或鎢所組成。
所述耐熱金屬架體可以由不銹鋼所組成。
所述耐熱金屬架體可以由鉬、鈦、鉭,或鎢所組成。
本發(fā)明還提供一種硒化制程系統(tǒng),包括多個背電極基板、一爐腔及一基板載具。每一背電極基板上形成有一前趨物層。所述爐腔包括一反應(yīng)室、一一氣體輸入管線及一加熱裝置。所述氣體輸入管線用來提供一制程氣體至所述反應(yīng)室內(nèi)。所述加熱裝置用來加熱所述反應(yīng)室以使所述制程氣體與所述前趨物層反應(yīng)形成一光電轉(zhuǎn)換層在每一背電極基板上。所述基板載具用來運載所述多個背電極基板至所述反應(yīng)室內(nèi),所述基板載具包括一耐熱金屬架體及一第一保護層。所述耐熱金屬架體具有對應(yīng)所述多個背電極基板的多個承載槽,每一背電極基板分別置放在相對應(yīng)的承載槽上。所述第一保護層形成在所述耐熱金屬架體上,用來防止所述耐熱金屬架體與所述制程氣體發(fā)生化學反應(yīng)。
所述前趨物層可以是一I?B族與IIIA族化合物層。
所述制程氣體可以是硒化氫或硫化氫氣體。
根據(jù)上述技術(shù)方案,本發(fā)明相較于現(xiàn)有技術(shù)至少具有下列優(yōu)點及有益效果:通過基板載具具有耐熱金屬架體并在耐熱金屬架體上形成保護層的設(shè)計,本發(fā)明所提供的基板載具不僅可同時具有抗高溫及抗特定氣體反應(yīng)腐蝕的特性,以防止耐熱金屬架體出現(xiàn)受到高溫熔化、受到制程氣體的腐蝕或是與制程氣體反應(yīng)生成有害化合物等現(xiàn)象,從而提升光電轉(zhuǎn)換層的形成質(zhì)量。另外,在可不須使用石英或陶瓷為基板載具的架體組成材質(zhì)的設(shè)計下,本發(fā)明也可達到降低太陽能電池在整體制程上所需的物料成本的目的。除此之外,本發(fā)明還可利用耐熱金屬架體的高強度與高剛性的金屬特性以大幅地提升基板載具的整體結(jié)構(gòu)強度,從而解決上述基板載具在運載背電極基板的過程中因與其它制程組件相撞而產(chǎn)生結(jié)構(gòu)碎裂的問題,以進一步地執(zhí)行自動化。
附圖說明
圖1為根據(jù)本發(fā)明一優(yōu)選實施例的硒化制程系統(tǒng)的內(nèi)部示意圖;
圖2為圖1的基板載具的立體圖;
圖3為圖2的基板載具沿剖面線A-A′的剖面圖;及
圖4為根據(jù)本發(fā)明另一優(yōu)選實施例的基板載具的剖面圖。
其中,附圖標記說明如下:
10????????硒化制程系統(tǒng)????12????????背電極基板
14????????爐腔????????????16、100???基板載具
18????????前趨物層????????20????????反應(yīng)室
22????????氣體輸入管線????24????????加熱裝置
26、102???耐熱金屬架體????28????????第一保護層
30????????承載槽??????????104???????第二保護層
具體實施方式
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





