[發(fā)明專利]基板載具及其硒化制程系統(tǒng)

無效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201210121515.8
• 申請日: 2012-04-24
• 公開（公告）號: CN103311164A
• 公開（公告）日: 2013-09-18
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 李適維;林清儒;鍾青源;林明弘;黃偉民;邱振海
• 申請（專利權(quán)）人: 綠陽光電股份有限公司
• 主分類號: H01L21/673
• 分類號: H01L21/673;H01L31/18
• 代理公司: 深圳新創(chuàng)友知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 44223
• 代理人: 江耀純

1.一種基板載具，用來運載多個背電極基板至一爐腔內(nèi)，每一背電極基板上形成有一前趨物層，所述爐腔用來提供一制程氣體以與所述前趨物層反應(yīng)形成一光電轉(zhuǎn)換層在每一背電極基板上，其特征在于，所述基板載具包括：

一耐熱金屬架體，具有多個承載槽，所述多個承載槽用來承載所述多個背電極基板；及

一第一保護層，形成在所述耐熱金屬架體上，用來防止所述耐熱金屬架體發(fā)生化學(xué)反應(yīng)。

2.如權(quán)利要求1所述的基板載具，其特征在于，所述第一保護層為一氧化層、一氮化層，或一硒化層。

3.如權(quán)利要求1所述的基板載具，其特征在于，所述耐熱金屬架體在對應(yīng)所述第一保護層之間形成有一第二保護層，且所述第二保護層由鉬、鈦、鉭，或鎢所組成。

4.如權(quán)利要求3所述的基板載具，其特征在于，所述耐熱金屬架體由不銹鋼所組成。

5.如權(quán)利要求1所述的基板載具，其特征在于，所述耐熱金屬架體由鉬、鈦、鉭，或鎢所組成。

6.一種硒化制程系統(tǒng)，包括：

多個背電極基板，每一背電極基板上形成有一前趨物層；

一爐腔，包括：

一反應(yīng)室；

一氣體輸入管線，用來提供一制程氣體至所述反應(yīng)室內(nèi)；及

一加熱裝置，用來加熱所述反應(yīng)室以使所述制程氣體與所述前趨物層反應(yīng)形成一光電轉(zhuǎn)換層在每一背電極基板上；及

一基板載具，用來運載所述多個背電極基板至所述反應(yīng)室內(nèi)，其特征在于，所述基板載具包括：

一耐熱金屬架體，具有對應(yīng)所述多個背電極基板的多個承載槽，每一背電極基板分別置放在相對應(yīng)的承載槽上；及

一第一保護層，形成在所述耐熱金屬架體上，用來防止所述耐熱金屬架體與所述制程氣體發(fā)生化學(xué)反應(yīng)。

7.如權(quán)利要求6所述的硒化制程系統(tǒng)，其特征在于，所述第一保護層為一氧化層、一氮化層，或一硒化層。

8.如權(quán)利要求6所述的硒化制程系統(tǒng)，其特征在于，所述耐熱金屬架體在對應(yīng)所述第一保護層之間形成有一第二保護層，所述第二保護層由鉬、鈦、鉭，或鎢所組成。

9.如權(quán)利要求8所述的硒化制程系統(tǒng)，其特征在于，所述耐熱金屬架體由不銹鋼所組成。

10.如權(quán)利要求6述的硒化制程系統(tǒng)，其特征在于，所述耐熱金屬架體由鉬、鈦，或鉭所組成。

11.如權(quán)利要求6所述的硒化制程系統(tǒng)，其特征在于，所述前趨物層為一IB族與IIIA族化合物層。

12.如權(quán)利要求6所述的硒化制程系統(tǒng)，其特征在于，所述制程氣體為硒化氫或硫化氫氣體。