[發(fā)明專利]MOSFET制造方法

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 201210120924.6
• 申請日: 2012-04-23
• 公開（公告）號: CN103377895A
• 公開（公告）日: 2013-10-30
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 何衛(wèi);朱慧瓏
• 申請（專利權(quán)）人: 中國科學(xué)院微電子研究所
• 主分類號: H01L21/28
• 分類號: H01L21/28;H01L21/336
• 代理公司: 北京藍智輝煌知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 11345
• 代理人: 陳紅

1.一種MOS?FET制造方法，包括：

在襯底上形成犧牲柵極堆疊；

以犧牲柵極堆疊為掩膜，對襯底離子注入形成源漏區(qū)；

在襯底以及犧牲柵極堆疊上沉積層間介質(zhì)層；

移除犧牲柵極堆疊，在層間介質(zhì)層中形成柵極溝槽；

在柵極溝槽內(nèi)側(cè)壁上形成內(nèi)柵極間隔壁；

在柵極溝槽中形成柵極絕緣層和柵極導(dǎo)電層。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，犧牲柵極堆疊包括層疊的界面層和犧牲柵極層。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，其中，界面層包括氧化物、氮氧化物及其組合，犧牲柵極層包括多晶硅、非晶硅、微晶硅。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，源漏區(qū)包括輕摻雜源漏區(qū)和重摻雜源漏區(qū)。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，層間介質(zhì)層包括氧化物、氮氧化物及其組合。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，移除犧牲柵極堆疊的步驟進一步包括，平坦化層間介質(zhì)層直至暴露犧牲柵極堆疊，刻蝕去除犧牲柵極堆疊。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，內(nèi)柵極間隔壁包括氧化物、氮化物、氮氧化物及其組合。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，內(nèi)柵極間隔壁的厚度為3～20nm。

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，在柵極溝槽中形成柵極絕緣層和柵極導(dǎo)電層的步驟進一步包括，在柵極溝槽中沉積柵極絕緣層，在柵極絕緣層上沉積柵極導(dǎo)電層，平坦化柵極導(dǎo)電層以及柵極絕緣層直至暴露層間介質(zhì)層。

10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，柵極絕緣層包括氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、高k材料及其組合，柵極導(dǎo)電層包括摻雜多晶硅、金屬、金屬的合金、金屬的氮化物及其組合。